技术特征：
技术总结
本发明公开了一种深Si通孔结构，包括带有通孔的Si衬底、位于所述通孔中的第一金属粘附层、位于所述第一金属粘附层中间的金属Ag、以及将金属Ag封闭于所述通孔内部的位于Si衬底上下表面的第一厚金属。本发明采用金属Ag替代传统金属Cu填充工艺，并在表面通过电镀厚金属，使其与含O2环境隔离，从而实现金属化良好的深Si通孔。其中，金属Ag优选为采用纳米银浆固化技术实现。
技术研发人员：陈一峰
受保护的技术使用者：成都海威华芯科技有限公司
技术研发日：2017.12.12
技术公布日：2018.04.20