1.一种石墨烯及离子印迹膜修饰的碳糊电极的制备方法，其特征在于，包括：
以四吡咯间苯二甲醛作为配体、a-甲基丙烯酸作为功能单体、在铀酰离子存在下发生自组装；然后加入功能单体3-氨丙基三甲氧基硅烷作为稳定剂以及正硅酸乙酯为交联剂，反应形成聚合物；再使所述聚合物于表面有石墨烯修饰的碳糊电极的表面形成膜；去除所述膜上的铀酰离子，制成石墨烯及离子印迹膜修饰的碳糊电极。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述功能单体3-氨丙基三甲氧基硅烷与正硅酸乙酯的摩尔比例为5:2～4:1，优选为3:1。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将溶于溶剂中的石墨烯滴加在碳糊电极的表面上，制成表面有石墨烯修饰的碳糊电极；
2)将四吡咯间苯二甲醛、a-甲基丙烯酸和铀酰离子在溶剂中自组装；然后加入3-氨丙基三甲氧基硅烷和正硅酸乙酯在碱性条件下反应形成聚合物；
3)将所述聚合物添加到所述表面有石墨烯修饰的碳糊电极的表面，使所述聚合物在所述碳糊电极的表面形成膜；
4)去除所述膜上的铀酰离子。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中，所述四吡咯间苯二甲醛与铀酰离子的摩尔比例为2:1～2:3，优选为1:1；和/或，
所述a-甲基丙烯酸、3-氨丙基三甲氧基硅烷、正硅酸乙酯的摩尔比例为1:15:5～3:30:10，优选为1:30:10。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，步骤4)采用盐酸溶液、硝酸溶液或硫酸溶液洗脱去除所述膜中的铀酰离子，优选采用盐酸溶液。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)取25μl浓度为1mg/ml的溶于dmf中的石墨烯滴加在碳糊电极的表面上，制成表面有石墨烯修饰的碳糊电极；
2)将1ml0.001moll-1四吡咯间苯二甲醛、10μla-甲基丙烯酸和1ml0.001moll-1uo22+在乙醇中混合并在35℃下搅拌10分钟；接着加入300μl3-氨丙基三甲氧基硅烷、100μl正硅酸乙酯和100μl1moll-1氢氧化钠溶液，反应15min，制成溶胶；
3)取25μl所述溶胶溶液滴加到所述表面有石墨烯修饰的碳糊电极的表面，并在室温下通过水解-缩合反应10h将残余的溶剂蒸发；
4)将步骤3)修饰后的碳糊电极置于5.0ml0.5moll-1hcl中，洗脱去除铀酰离子，制成石墨烯及离子印迹膜修饰的碳糊电极。
7.权利要求1-6任一项所述方法制备的石墨烯及离子印迹膜修饰的碳糊电极。
8.一种离子印迹识别的iptp传感器，其特征在于，包括以权利要求7所述石墨烯及离子印迹膜修饰的碳糊电极(iip/gr/cpe)为工作电极，以铂电极为对电极，以饱和甘汞电极为参比电极。
9.权利要求7所述石墨烯及离子印迹膜修饰的碳糊电极或权利要求8所述离子印迹识别的iptp传感器在检测铀或铀酰离子中的应用。
10.一种uo22+的检测方法，其特征在于，以铂电极为对电极、饱和甘汞电极为参比电极、以权利要求7所述方法制备的石墨烯及离子印迹膜修饰的碳糊电极为工作电极，通过chi-660c电化学工作站为检测平台，采用差分脉冲伏安法进行检测。