一种薄膜芯片制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体器件的制作方法，尤其涉及一种薄膜芯片制备方法。
【背景技术】
[0002]半导体气敏元件分为烧结型、厚膜型和薄膜型。它们各自的结构，制作工艺不同，其性能特点也各异。目前，烧结元件逐步在被厚、薄膜元件代替。厚、薄膜元件具有灵敏度高、重复性、稳定性好、功耗低、寿命长等优点，但薄膜元件制作对工艺设备要求很高，制造成本高，不易产业化推广。
【发明内容】
[0003]本发明所要解决的技术问题是提供一种方法简单、操作过程简单，成本低廉，芯片性能稳定，易批量生产的薄膜芯片制备方法。
[0004]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种薄膜芯片制备方法，包括如下步骤:
[0005]用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；
[0006]将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；
[0007]用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；
[0008]用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；
[0009]将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；
[0010]将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
[0011]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0012]进一步，所述将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上步骤的具体实现如下:
[0013]将质量比为10:1?20:1的PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上。
[0014]进一步，所述用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理步骤的具体实现如下:
[0015]用甩胶机在1000?2500rpm转速下涂布20?50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30?40 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50?80°C温度条件下固化处理。
[0016]进一步，所述将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗步骤的具体实现如下:
[0017]将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30?60s。
[0018]本发明的有益效果是:
[0019]1.方法简单、操作过程简单，成本低廉；
[0020]2.芯片性能稳定，易批量生产。
【附图说明】
[0021]图1为本发明一种薄膜芯片制备方法流程示意图。
【具体实施方式】
[0022]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0023]如图1所示，一种薄膜芯片制备方法，包括如下步骤:
[0024]用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；
[0025]将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；
[0026]用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；
[0027]用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；
[0028]将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；
[0029]将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
[0030]实施例1:
[0031]用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将1gPDMS前聚物与Ig固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在100rpm转速下涂布20s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50°C温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30s ;将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
[0032]实施例2:
[0033]用光刻胶制作阳模,将制备好的阳模进行娃烧化处理；将15gPDMS前聚物与Ig固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在1500rpm转速下涂布30s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约35 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在60°C温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗50s ;将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
[0034]实施例3:
[0035]用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将20gPDMS前聚物与Ig固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机在2500rpm转速下涂布50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约40 μ m，长和宽与底层PDMS芯片相同，并在80°C温度条件下固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗60s ;将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
[0036] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤: 用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理； 将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上； 用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理； 用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔； 将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗； 将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。
2.根据权利要求1所述一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，所述将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上步骤的具体实现如下: 将质量比为10:1?20:1的PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上。
3.根据权利要求1所述一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，所述用甩胶机涂布，形成均勻的PDMS薄膜,并固化处理步骤的具体实现如下: 用甩胶机在1000?2500rpm转速下涂布20?50s，形成均匀的PDMS薄膜，膜厚约30?40 μ m,长和宽与底层PDMS芯片相同，并在50?80°C温度条件下固化处理。
4.根据权利要求1所述一种薄膜芯片制备方法，其特征在于，所述将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗步骤的具体实现如下: 将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗30?60s。
【专利摘要】本发明涉及一种薄膜芯片制备方法，包括如下步骤：用光刻胶制作阳模，将制备好的阳模进行硅烷化处理；将PDMS前聚物与固化剂混合均匀，去除气泡，涂在经硅烷化处理的阳模上；用甩胶机涂布，形成均匀的PDMS薄膜，并固化处理；用打孔器在中层PDMS薄膜上与下层液体通道端点相对应的位置打孔；将已固化好的底层PDMS芯片从阳模上揭下，将带有通道的一面朝上和固化好的中层PDMS薄膜一起放进等离子清洗器中清洗；将底层PDMS芯片带有沟道的一面与中层PDMS薄膜芯片没有通道的一面贴合。本发明方法简单、操作过程简单，成本低廉，芯片性能稳定，易批量生产。
【IPC分类】G01N33-00
【公开号】CN104535713
【申请号】CN201410565795
【发明人】周祖渝
【申请人】重庆市旭星化工有限公司
【公开日】2015年4月22日
【申请日】2014年10月22日