一种提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及服务器电子零部件技术领域，具体提供一种提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法。
【背景技术】
[0002]计算机具有存储信息量大、获取信息方便快捷等优点，在社会生活中的使用越来越广泛。随着社会经济的发展，大型企业对数据存储要求越来越高，相应的计算机的内部空间利用率越来越高，闲置的空间越来越少，以最大效率的利用计算机内空间，这就导致计算机内的零部件越来越小型化，以满足其内部零件不断增加的需求。在相关电子产品向轻薄短小的发展趋势下，金氧半场效晶体管的封装也不例外，由原来的3.0*3.0mm缩小为2.0*2.0mm，由于零件尺寸的缩小、引脚间距的缩小以及现有的一些测试设备，例如TEK 370B是采用自行在各个引脚焊线再插入370B进行测试，造成在焊接测试引脚到零件上时不稳定甚至无法将测试引脚焊接到零件上，，严重影响测试结果的精确性，延长测试时间，并且由于尺寸较小，导致测试数据不稳定，给测试过程及测试准确性带来很大的阻碍。
【发明内容】
[0003]本发明的技术任务是针对上述存在的问题，提供一种操作快捷方便，测试完成后可以将物料取下，并且不同尺寸的测试治具可以重复使用的提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法。
[0004]为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案:
一种提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法，基于金氧半场效晶体管的尺寸、引脚间距以及引脚宽，设计相关尺寸的测试治具，使焊接测试引脚到零件上时稳定存在，并将测试引脚焊接到金氧半场效晶体管上。
[0005]现有的测试设备TEK 370B，采用自行在各个引脚焊线，再插入370B进行测试，造成在焊接测试引脚到零件上时不稳定，甚至无法将测试引脚焊接到零件上，严重影响测试结果的精确性，延长测试时间，以及测试效率的降低。
[0006]作为优选，所述测试治具在测试完成后，可以将金氧半场效晶体管取下来，不同尺寸的测试治具可以重复利用。所述测试治具根据待测试的零部件的尺寸、引脚间距及引脚宽度，由供应商提供。
[0007]本发明具有以下突出的有益效果:所述方法根据待测试的金氧半场效晶体管的尺寸、引脚间距以及引脚宽度由供应商提供相关尺寸的测试治具，并且使用测试治具进行测试完成后，可以将金氧半场效晶体管取下来，测试治具进行重复使用，有效的降低了测试成本，并且提高了测试精确性和稳定性，具有良好的实用性。
【具体实施方式】
[0008]下面结合实施例对本发明所述提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法作进一步详细说明。
[0009]
实施例
[0010]本发明所述提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法，基于金氧半场效晶体管的尺寸、引脚间距以及引脚宽，设计相关尺寸的测试治具，使焊接测试引脚到零件上时稳定存在，并将测试引脚焊接到金氧半场效晶体管上。测试治具根据待测试的零部件的尺寸、引脚间距及引脚宽度，由供应商提供。现有的测试设备TEK 370B，采用自行在各个引脚焊线，再插入370B进行测试，造成在焊接测试引脚到零件上时不稳定，甚至无法将测试引脚焊接到零件上，严重影响测试结果的精确性，延长测试时间，以及测试效率的降低。该测试治具在测试完成后，可以将金氧半场效晶体管取下来，不同尺寸的测试治具可以重复利用。所述测试小尺寸金氧半场效晶体管的方法，操作简单便捷，治具制作成本较低，测试金氧半场效晶体管的精确性和稳定性均有很大的提高，适应大数据发展环境下的零部件的轻薄化。
[0011]以上所述的实施例，只是本发明较优选的【具体实施方式】，本领域的技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法，其特征在于:基于金氧半场效晶体管的尺寸、引脚间距以及引脚宽，设计相关尺寸的测试治具，使焊接测试引脚到零件上时稳定存在，并将测试引脚焊接到金氧半场效晶体管上。2.根据权利要求1所述的提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法，其特征在于:所述测试治具在测试完成后，可以将金氧半场效晶体管取下来，不同尺寸的测试治具可以重复利用。
【专利摘要】本发明公开了一种提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法，属于服务器电子零部件技术领域。所述提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法，基于金氧半场效晶体管的尺寸、引脚间距以及引脚宽，设计相关尺寸的测试治具，使焊接测试引脚到零件上时稳定存在，并将测试引脚焊接到金氧半场效晶体管上。本发明所述提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法，操作简单方便，测试治具可以重复利用，具有很好的推广应用价值。
【IPC分类】G01D21/00
【公开号】CN105509787
【申请号】CN201510915327
【发明人】刘进锁
【申请人】浪潮电子信息产业股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月10日