专利名称：一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法
技术领域：
本发明涉及电子元器件领域，特别涉及一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法。
背景技术：
电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单、透光率高，是当前显示触控技术发展的主流方向。电容触摸屏的触摸感应部件一般为多个行电极、列电极相互交错形成的感应矩阵，行电极和列电极设置在一片透明基板的同一面上。典型的金属电极的制作方法包括第一步镀金属膜；第二步涂布光刻胶；第三步曝光；第四步显影、硬化；第五步蚀刻金属；第六步去除光刻胶；第七部手工点(蚀刻)残留金属点，形成设计图形的单层的金属电极。由于金属电极制作过程中较易产生金属残留现象，从而导致使用人工较多，且效率低，是生产过程的瓶颈部分。针对上述问题进行检索，尚未发现有效的解决方案。
发明内容
本发明的目的就是针对现有的单层金属电极存在的表面较容易产生金属点从而导致使用人工较多，且效率低，生产过程的瓶颈部分，提供一种一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法。为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案
一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤
(1)、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度0.0Γ0. 5Pa，温度22(T35(TC，ITO薄膜层的厚度5nm 25nm ；
(2)、在ITO薄膜层上涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度100(T2000nm，均匀性10%以内，预烘温度:60 100。。；
(3)、对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为紫外光波长365nm，光通量6(Tl50mj，ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米 200微米；
(4)、对光刻胶进行显影并硬化，显影采用有机碱，浓度广4%，或者NaOH，浓度O. I O. 8%，温度2(T40°C，时间20秒 300秒，硬化温度8(Tl20°C，时间20 50分钟；
(5)、蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料HCL109T20%+HN032% 10%，温度4(T60°C，时间:120 600 秒；
(6)、去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料有机溶液，有机溶液为二甘醇丁醚8(Γ90%+已醇胺10% 20%，时间5分钟内，最后用纯水漂洗；
(7)、在ITO薄膜层电极图形层上镀金属层，真空度0.01 0.5Pa，温度4(T250°C ；
(8)、在金属层上涂布二次光刻胶，二次光刻胶的厚度50(T2000nm，均匀性10%以内，预烘温度6(Tl00°C ；(9)、对二次光刻胶进行曝光，即在二次光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为紫外光波长365nm，光通量6(Tl50mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米 200微米；
(10)、对一次曝光过后的电极图形上进行二次曝光(图形要求把需要金属线路部分的光刻胶遮盖，其余部分透光)，曝光条件为紫外光波长365nm，光通量6(Tl50mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米 200微米；
(11)、对二次光刻胶进行显影并硬化，形成电极图形，显影采用有机碱，浓度f4%，或者NaOH,浓度O. I O. 8%，温度20^40°C，时间20秒 300秒，硬化温度:80^120°C，时间20 50分钟；
(12)、蚀刻金属层，使金属层形成金属电极图形，用弱酸蚀刻金属层，蚀刻时间控制在10分钟内，在十分钟内，弱酸不会蚀刻ITO薄膜层，弱酸组成磷酸50°/Γ80%+醋酸5°/Γ 5% ；
(13)、去除二次光刻胶，形成金属电极，使用材料有机溶液，有机溶液为二甘醇丁醚80% 90%+已醇胺10% 20%，时间5分钟内，再用纯水漂洗。本发明的优点在于
通过本发明的方法使得在制作的金属层图形的可视区域内不出现金属残留的现象，提高生产效率，降低人工成本，打通流程上的瓶颈问题。
图I是本发明的镀ITO薄膜层的示意图。图2是本发明的ITO薄膜层上涂布光刻胶的示意图。图3是本发明对光刻胶曝光的示意图。图4是本发明对光刻胶显影并硬化的示意图。图5是本发明蚀刻ITO层的示意图。图6是本发明去除ITO上光刻胶的示意图。图7是本发明的镀金属层的示意图。图8是本发明的金属层上涂布二次光刻胶的示意图。图9是本发明对金属层上光刻胶曝光的示意图。图10是本发明对一次光刻后的产品进行二次曝光的示意图。图11是本发明对金属层上二次光刻胶显影并硬化的示意图。图12是本发明蚀刻金属层的示意图。图13是本发明去除金属层上二次光刻胶的示意图。
具体实施例方式
一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，包括以下步骤
第一步如图I所示，在基板I上真空溅射ITO薄膜层2，真空度0. OfO. 5Pa，温度220^350°C, ITO 薄膜层 2 的厚度 5nm 25nm ；
第二步如图2所示，在ITO薄膜层2上涂布光刻胶3，用辊轮或旋转涂布，光刻胶厚度:1000nm，均匀性10%以内，预烘温度80°C ；
第三步如图3所示，在光刻胶3上光刻电极图形，紫外光波长365nm，光通量IOOmj, ITO电极图案的光罩6是菲林或铬板，菲林或铬板距离基板的尺寸100微米；
第四步如图4所示，对光刻胶3进行显影并硬化，形成电极图形，采用有机碱，浓度2%，或者NaOH,浓度O. 4%，温度30°C,时间200秒，硬化温度100°C，时间40分钟；
第五步如图5所示，蚀刻ITO薄膜层2，形成ITO电极图形，蚀刻使用材料HCL15%+HN03 6%，温度50°C，时间400 秒；
第六步如图6所示，去除光刻胶3，形成ITO电极，使用材料有机溶液(以二甘醇丁醚(85%)和已醇胺按(15%))，时间5分钟内，最后用纯水漂洗；
第七步如图7所示，在ITO薄膜层2上真空溅射镀金属层4，金属层4是钥，真空度O. 2Pa，温度40°C，与ITO薄膜层3接触的钥的厚度15nm ;空气面的钥的厚度40nm ；
第八步如图8所示，在金属层4上涂布二次光刻胶5，用辊轮或旋转涂布，光刻胶5厚度1000nm，均匀性10%以内，预烘温度80°C ；
第九步如图9所示，在二次光刻胶5上光刻电极图形，紫外光波长365nm，光通量IOOmj，金属电极图案的光罩6是菲林或铬板，菲林或铬板距离基板的尺寸100微米，此时金属电极图案之间有金属点7 ；
第十步如图10所示，在一次曝光过后的电极图形上用新的电极图案光罩6进行二次曝光，紫外光波长365nm，光通量100mj，金属电极图案的光罩6是菲林或铬板，菲林或铬板距离基板的尺寸100微米；
第十一步如图11所示，对二次光刻胶5进行显影并硬化，形成电极图形，采用有机碱，浓度2%，或者NaOH，浓度O. 4%，温度30°C，时间200秒，硬化温度100°C，时间40分钟；第十二步如图12所示，蚀刻金属层4，形成金属电极图形，用弱酸蚀刻金属层，蚀刻时间控制在10分钟内，在十分钟内，弱酸不会蚀刻ITO薄膜层，弱酸组成磷酸(509Γ80%)、醋酸(5% I5%)；
第十三步如图13所示，去除二次光刻胶5，形成金属电极，使用材料有机溶液(以二甘醇丁醚(85%)和已醇胺按(15%))，时间5分钟内，再用纯水漂洗。
权利要求
1.一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，其特征在于，包括以下步骤 (1)、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度0.0Γ0. 5Pa，温度22(T35(TC，ITO薄膜层的厚度5nm 25nm ； (2)、在ITO薄膜层上涂布光刻胶，将ITO薄膜层覆盖，光刻胶的厚度100(T2000nm，均匀性10%以内，预烘温度:60 100。。； (3)、对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为紫外光波长365nm，光通量6(Tl50mj，ITO电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米 200微米； (4)、对光刻胶进行显影并硬化，显影采用有机碱，浓度广4%，或者NaOH，浓度O.I O. 8%，温度2(T40°C，时间20秒 300秒，硬化温度8(Tl20°C，时间20 50分钟； (5)、蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，蚀刻使用材料HCL109T20%+HN032% 10%，温度4(T60°C，时间:120 600 秒； (6)、去除光刻胶，形成ITO电极，使用材料有机溶液，有机溶液为二甘醇丁醚80^90%+已醇胺10% 20%，时间5分钟内，最后用纯水漂洗； (7)、在ITO薄膜层电极图形层上镀金属层，真空度O.0Γ0. 5Pa，温度4(T250°C ； (8)、在金属层上涂布二次光刻胶，二次光刻胶的厚度50(T2000nm，均匀性10%以内，预烘温度6(Tl00°C ； (9)、对光刻胶进行曝光，即在二次光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为紫外光波长365nm，光通量6(Tl50mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米 200微米； (10)、对一次曝光过后的电极图形上进行二次曝光，曝光条件为紫外光波长365nm，光通量6(Tl50mj，金属电极图案的光罩是菲林或者铬板，菲林或者铬板距离基板的尺寸20微米 200微米； (11)、对二次光刻胶进行显影并硬化，形成电极图形，显影采用有机碱，浓度f4%，或者NaOH,浓度0. Γ0. 8%，温度20^40°C，时间20秒 300秒，硬化温度=80^120°C，时间20 50分钟； (12)、蚀刻金属层，使金属层形成金属电极图形，用弱酸蚀刻金属层，蚀刻时间控制在10分钟内，弱酸组成磷酸50% 80%+醋酸5% 15% ； (13)、去除二次光刻胶，形成金属电极，使用材料有机溶液，有机溶液为二甘醇丁醚80% 90%+已醇胺10% 20%，时间5分钟内，再用纯水漂洗。
全文摘要
本发明公开了一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法，包括以下步骤在基板上镀ITO薄膜层；在ITO薄膜层上涂布光刻胶；对光刻胶曝光；对光刻胶显影并硬化；蚀刻ITO薄膜层；去除光刻胶；在ITO薄膜层上溅射金属层；涂布二次光刻胶；对二次光刻胶一次曝光；对二次光刻胶二次曝光；对二次光刻胶显影并硬化；蚀刻金属层，形成金属电极图形；去二次光刻胶，形成金属电极。本发明的方法可以制作出金属层和ITO薄膜层的复合电极，即使表面的金属层被划伤、划断，电极仍然可以使用，本发明提高了电极的质量、增强电极的耐用性能。
文档编号G06F3/044GK102929459SQ20121036147
公开日2013年2月13日 申请日期2012年9月24日 优先权日2012年9月24日
发明者周朝平, 肖新煌 申请人:晟光科技股份有限公司