半导体存储装置的制造方法
【专利说明】半导体存储装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年5月13日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0057137的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]各种实施例总体而言涉及半导体集成电路，且更具体地涉及半导体存储装置。
【背景技术】
[0004]半导体存储装置配置成接收且储存数据，并且输出储存的数据。半导体存储装置可以从半导体存储装置外部或半导体存储装置之外接收串行类型数据。然后，半导体存储装置可以在内部将串行类型数据转换成并行类型数据，且储存转换的并行类型数据。当半导体存储装置输出储存的数据时，并行类型数据被转换成串行类型数据。然后，转换的串行类型数据可以从半导体存储装置外部(例如，半导体存储装置外部的设备)输出。
[0005]在半导体存储装置安装至系统之后，可以执行优化系统和半导体存储装置之间的操作余量的训练操作(training operat1n)。
【发明内容】
[0006]在一个实施例中，一种半导体存储装置可以包括:数据转换控制块，配置成响应于训练控制信号而控制使能的管道输入控制信号的数量和使能的管道输出控制信号的数量。所述半导体存储装置还可以包括数据转换块，配置成响应于所述管道输入控制信号和所述管道输出控制信号而接收并行数据且输出串行数据。
[0007]在一个实施例中，一种半导体存储装置可以包括:数据转换块，包括多个管道锁存器，且配置成利用所述多个管道锁存器顺序地输出多个并行数据作为串行数据。所述半导体存储装置还可以包括:数据转换控制块，配置成响应于训练控制信号、管道输入信号和管道输出信号而选择所述管道锁存器的数量，且控制所述数据转换块输出与所述选中数量的管道锁存器相同数量的并行数据作为所述串行数据。
【附图说明】
[0008]图1是说明根据一个实施例的半导体存储装置的表示的配置图；
[0009]图2是图1中说明的管道锁存输入控制单元的实例的表示的配置图；
[0010]图3是图1中说明的管道锁存输出控制单元的实例的表示的配置图；
[0011]图4和图5是可以用于解释根据一个实施例的半导体存储装置的操作的时序图；
[0012]图6是图1中说明的管道锁存输入控制单元的实例的表示的配置图；
[0013]图7是图1中说明的管道锁存输出控制单元的实例的表示的配置图；
[0014]图8说明使用根据以上参照图1至图7讨论的实施例的半导体存储装置的系统的实例的框图表示。
【具体实施方式】
[0015]在下文中，将经由各种实施例的实例参照附图描述半导体存储装置。
[0016]参见图1，根据一个实施例的半导体存储装置可以包括数据转换控制块100和数据转换块200。
[0017]数据转换控制块100可以响应于管道输入信号PIN和训练控制信号Tct而产生第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C〈0:6>。数据转换控制块100可以响应于管道输出信号POUT和训练控制信号Tct而产生第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0:6>。例如，当训练控制信号Tct被禁止时，数据转换控制块100可以在每次管道输入信号PIN转换成特定电平时，顺序地使能第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C〈0:6>。当训练控制信号Tct被禁止时，数据转换控制块100可以在每次管道输出信号POUT转换成特定电平时，顺序地使能第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0:6>。此外，当训练控制信号Tct被使能时，数据转换控制块100可以在每次管道输入信号PIN转换成特定电平时，仅顺序地使能第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C〈0:6>之中的第一管道输入控制信号至第六管道输入控制信号PIN_C<0:5>o当训练控制信号Tct被使能时，数据转换控制块100可以在每次管道输出信号POUT转换成特定电平时，仅顺序地使能第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0:6>之中的第一管道输出控制信号至第六管道输出控制信号P0UT_C〈0:5>。
[0018]数据转换控制块100可以包括管道锁存输入控制单元110和管道锁存输出控制单元 120。
[0019]管道锁存输入控制单元110可以响应于训练控制信号Tct和管道输入信号PIN而产生第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C〈0:6>。例如，当训练控制信号Tct被禁止时，管道锁存输入控制单元110可以在每次管道输入信号PIN转换成特定电平(即，电压电平或逻辑电压电平)、即例如高电平时，顺序地使能第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C〈0:6>。当训练控制信号Tct被使能时，管道锁存输入控制单元110可以在每次管道输入信号PIN转换成特定电平、即例如高电平时，仅顺序地使能第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C〈0:6>之中的第一管道输入控制信号至第六管道输入控制信号PIN_C〈0: 5>。即，当训练控制信号Tct被使能时，管道锁存输入控制单元110可以将第七管道输入控制信号PIN_C〈6>保持为禁止状态。
[0020]管道锁存输出控制单元120可以响应于训练控制信号Tct和管道输出信号POUT而产生第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0:6>。例如，当训练控制信号Tct被禁止时，管道锁存输出控制单元120可以在每次管道输出信号POUT转换成特定电平(即，电压电平或逻辑电压电平)、即例如高电平时，顺序地使能第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0: 6>。当训练控制信号Tct被使能时，管道锁存输出控制单元120可以在每次管道输出信号POUT转换成特定电平时，仅顺序地使能第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0:6>之中的第一管道输出控制信号至第六管道输出控制信号P0UT_C〈0:5>。当训练控制信号Tct被使能时，管道锁存输出控制单元120可以将第七管道输出控制信号P0UT_C〈6>保持为禁止状态。
[0021]数据转换块200可以响应于第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C<0:6>和第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0:6>而将并行类型的第一数据至第七数据Data_p〈0:6>输出作为串行数据Data_s。例如，数据转换块200可以响应于第一管道输入控制信号至第七管道输入控制信号PIN_C〈0:6>而接收且锁存第一数据至第七数据Data_p〈0:6>，且响应于第一管道输出控制信号至第七管道输出控制信号P0UT_C〈0:6>而顺序地输出锁存的数据作为串行数据Data_s。
[0022]数据转换块200可以包括第一管道锁存器至第七管道锁存器210、220、230、240、250、260 和 270。
[0023]第一管道锁存器210响应于第一管道输入控制信号PIN_C〈0>和第一管道输出控制信号P0UT_C〈0>而将第一数据Data_p〈0>输出作为串行数据Data_s。例如，当第一管道输入控制信号PIN_C〈0>被使能时，第一管道锁存器210接收且锁存第一数据Data_p〈0>。当第一管道输出控制信号P0UT_C〈0>例如被使能时，第一管道锁存器210输出锁存的数据作为串行数据Data_s。
[0024]第二管道锁存器220响应于第二管道输入控制信号PIN_C〈1>和第二管道输出控制信号P0UT_C〈1>而将第二数据Data_p〈l>输出作为串行数据Data_s。例如，当第二管道输入控制信号PIN_C〈1>被使能时，第二管道锁存器220接收且锁存第二数据Data_p〈l>。当第二管道输出控制信号P0UT_C〈1>例如被使能时，第二管道锁存器220输出锁存的数据作为串行数据Data_s。
[0025]第三管道锁存器230响应于第三管道输入控制信号PIN_C〈2>和第三管道输出控制信号P0UT_C〈2>而将第三数据Data_p〈2>输出作为串行数据Data_s。例如，当第三管道输入控制信号PIN_C〈2>被使能时，第三管道锁存器230接收且锁存第三数据Data_p〈2>。当第三管道输出控制信号P0UT_C〈2>例如被使能时，第三管道锁存器230输出锁存的数据作为串行数据Data_s。
[0026]第四管道锁存器240响应于第四管道输入控制信号PIN_C〈3>和第四管道输出控制信号P0UT_C〈3>而将第四数据Data_p〈3>输出作为串行数据Data_s。例如，当第四管道输入控制信号PIN_C〈3>被使能时，第四管道锁存器240接收且锁存第四数据Data_p〈3>。当第四管道输出控制信号P0UT_C〈3>例如被使能时，第四管道锁存器240输出锁存的数据作为串行数据Data_s。
[0027]第五管道锁存器250响应于第五管道输入控制信号PIN_C〈4>和第五管道输出控制信号P0UT_C〈4>而将第五数据Data_p〈4>输出作为串行数据Data_s。例如，当第五管道输入控制信号PIN_C〈4>被使能时，第五管道锁存器250接收且锁存第五数据Data_p〈4>。当第五管道输出控制信号P0UT_C〈4>例如被使能时，第五管道锁存器250输出锁存的数据作为串行数据Data_s。
[0028]第六管道锁存器260响应于第六管道输入控制信号PIN_C〈5>和第六管道输出控制信号P0UT_C〈5>而将第六数据Data_p〈5>输出作为串行数据Data_s。例如，当第六管道输入控制信号PIN_C〈5>被使能时，第六管道锁存器260接收且锁存第六数据Data_p〈5>。当第六管道输出控制信号P0