技术总结
本发明的实施方式提供一种动作速度得到提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：存储单元阵列；读出放大器，与所述存储单元阵列连接；第1数据锁存器，与输入输出电路连接；第2数据锁存器，与所述输入输出电路连接；数据总线，连接于所述读出放大器、所述第1数据锁存器及所述第2数据锁存器；以及第3数据锁存器，连接于所述数据总线，且配置在所述读出放大器与所述第1数据锁存器或所述第2数据锁存器之间。
技术研发人员：长富靖;星聪
受保护的技术使用者：株式会社东芝
文档号码：201610141276
技术研发日：2016.03.11
技术公布日：2016.12.21