1.一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法，其特征在于，包括：
步骤1，将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，持续至少64小时后完成静态老化，所述第一温度为140～150℃；
步骤2，调整温度至第二温度，向静态老化后的所述存储器发送激励信号，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据，持续至少160小时后完成动态老化，所述第二温度为100～125℃；
步骤3，根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验。
2.根据权利要求1所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法，其特征在于，所述步骤3之后还包括步骤4：根据所述校验筛选获得功能正常的存储器。
3.根据权利要求1所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法，其特征在于，所述步骤3中的校验数据通过所述存储器内编辑的程序运行所述激励信号而获得。
4.根据权利要求1所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法，其特征在于，所述步骤2还包括向所述存储器进行最高5.5V供电。
5.根据权利要求1所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法，其特征在于，所述第一温度为150℃。
6.根据权利要求1所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验方法，其特征在于，所述第二温度为125℃。
7.一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置，其特征在于，包括：温控箱、信号控制器、计算机；
所述温控箱用于：
响应所述信号控制器的控制将编程后的抗辐照栅氧击穿型PROM存储器进行第一温度烘焙，所述第一温度为140～150℃，持续至少64小时后调整温度至第二温度，持续至少160小时进行动态老化，所述第二温度为100～125℃；
所述信号控制器用于：
控制所述温控箱的温度调节和持续时间，和
自所述计算机获取激励信号并在所述动态老化过程中发送至所述存储器，并采集所述存储器响应所述激励信号获得的信号处理数据；
所述计算机用于：
向所述信号控制器发送所述激励信号，和
根据预存的校验数据对所述信号处理数据进行校验，所述校验数据通过所述存储器内编辑的程序运行所述激励信号而获得。
8.根据权利要求7所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置，其特征在于，所述计算机还用于：根据所述校验筛选获得功能正常的存储器。
9.根据权利要求7所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置，其特征在于，还包括直流稳压电源；
所述直流稳压电源用于：向所述信号控制器进行供电，和响应所述信号控制器的控制在所述动态老化过程中向所述存储器进行最高为5.5V的供电；
所述信号控制器还用于在所述动态老化过程中控制所述直流稳压电源连通所述存储器。
10.根据权利要求7所述的一种抗辐照栅氧击穿型PROM存储器编程后老化试验装置，其特征在于，所述温控箱内还设置有防静电耐高温的芯片安装板，所述存储器通过所述芯片安装板安装于所述温控箱内并与所述信号控制器电气连接。