无效且读出放大器使能信号SAEN有效时(例如，在时间614处)，偏置晶体管350的较高电压(信号电压V_signal)使得节点41放电要比偏置晶体管360的较低电压(参考电压K*VDD)引起的节点42放电更迅速。当使能信号EN有效时，上面所描述的读出放大器340的正反馈机制上拉节点42处的电压，并且下拉节点41处的电压。
[0058]在上面的描述中，描述了信号电压V_signal大体上被充电至第一电压VDD,然后在读出放大器使能信号SAEN启动读出放大器340之前由存储器位单元300放电的实施例。本文也可以预期其他实施例，其中，信号电压V_signal最初被放电至第二电压(例如，VSS,接地电压等)，然后在启动读出放大器340之前由存储器位单元300的单元电流的镜像复制进行充电。
[0059]实施例可以获得一些优点。存储器电路20、30、40在各个工艺角(例如，SS、TT、FF等)表现出非常一致的性能。晶体管330使得节点31迅速充电至大体为第一电压VDD。将信号电压V_signal和参考电压施加到晶体管350、360的栅电极允许从读出放大器340的操作中进行缓冲。读出放大器340的交叉耦合反相器结构也允许高速操作。禁用晶体管403,413允许节点41、42处的电压充分偏离，以使得当晶体管403、413导通时能快速轨对轨锁存。
[0060]根据本发明的不同实施例，一种装置包括参考电流源、电连接到参考电流源和存储器位单元的电流镜、以及电连接到电流镜、存储器位单元和第一电压供给节点的充电器件。第一共源放大器电连接到电流镜和存储器位单元，第二共源放大器电连接到第一晶体管，以及读出放大器电连接到第二晶体管。第三晶体管电连接到读出放大器和第二电压供给节点。
[0061]根据本发明的不同实施例，一种装置包括参考电流源、电流镜、充电器件、第一共源放大器、第二共源放大器、以及读出放大器。电流镜电连接到参考电流源和存储器位单元。充电器件电连接到电流镜、存储器位单元和第一电压供给节点。第一共源放大器电连接到电流镜和存储器位单元。第二共源放大器电连接到第二电压供给节点。读出放大器电连接到第一和第二共源放大器。
[0062]根据本发明的不同实施例，一种方法包括:(a)对信号电压节点进行充电；(b)对读出放大器的输出节点进行充电；(C)激活电连接到信号电压节点的存储器位单元；(d)基于参考电流和存储器位单元的单元电流对信号电压节点处的信号电压进行修改；(e)基于信号电压和参考电压在读出放大器的输出节点之间建立电压差；(f)锁存该电压差以大体上生成轨对轨电压差；以及(g)基于轨对轨电压差确定存储器位单元所存储的数据的极性。
[0063]如该申请中所使用的，“或”意欲表示包括的“或”而不是排他的“或”。此外，除非另有指定或者上下文很清楚地涉及单数形式，否则本申请中所使用的“一”和“一个”通常理解为表示“一个或多个”。而且，A和B中至少一个和/或类似的表述通过指的是A或B，或者A和B。此外，在某种程度上，“包括”、“具有着”、“具有”、“带有”，或其变体用在具体实施例或者权利要求中，此类术语意欲以与术语“包含着”类似的方式包括界限。另外，本申请中使用的术语“之间”也通常包括界限(例如，“A和B之间”包括A和B的内部边界)。
[0064]尽管已经详细地描述了本发明及其优势，但应该理解，可以在不背离所附权利要求限定的本发明主旨和范围的情况下，做各种不同的改变、替换和更改。而且，本申请的范围并不仅限于本说明书中描述的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法和步骤的特定实施例。作为本领域普通技术人员应理解，通过本发明，现有的或今后开发的用于执行与根据本发明所采用的所述相应实施例基本相同的功能或获得基本相同结果的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤根据本发明可以被使用。因此，所附权利要求应该包括在这样的工艺、机器、制造、材料组分、装置、方法或步骤的范围内。
【主权项】
1.一种装置，包括: 参考电流源； 电流镜，电连接到所述参考电流源和存储器位单元； 充电器件，电连接到所述电流镜、所述存储器位单元和第一电压供给节点； 第一共源放大器，电连接到所述电流镜和所述存储器位单元； 第二共源放大器，电连接到第二电压供给节点；以及 读出放大器，电连接到所述第一共源放大器和所述第二共源放大器。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述读出放大器包括: 第一反相器； 第二反相器，与所述第一反相器交叉耦合；以及 预充电电路，具有电连接到所述第一反相器的输出端的第一端和电连接到所述第二反相器的输出端的第二端。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述预充电电路包括: 第一晶体管，具有: 电连接到所述第一反相器的输出端的第一端；以及 电连接到所述第二反相器的输出端的第二端； 第二晶体管，具有: 电连接到所述第一电压供给节点的第一端；以及 电连接到所述第一反相器的输出端的第二端； 第三晶体管，具有: 电连接到所述第一电压供给节点的第一端； 电连接到所述第二反相器的输出端的第二端；以及 电连接到所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端的控制端。
4.根据权利要求1所述的装置，进一步包括: 电连接到所述存储器位单元和所述电流镜的钳位器件。
5.根据权利要求4所述的装置，进一步包括: 电连接到所述钳位器件和所述存储器位单元的选择晶体管。
6.根据权利要求5所述的装置，其中: 所述钳位器件是N型晶体管；以及 所述选择晶体管是N型晶体管。
7.一种装置，包括: 存储器位单元； 第一电流源； 电流比较器，电连接到所述存储器位单元和所述第一电流源； 第一晶体管，具有: 电连接到第一电压供给节点的第一端； 电连接到控制器的控制端；和 电连接到所述存储器位单元和所述电流比较器的第二端；以及 读出放大器，电连接到所述电流比较器和参考电流生成器。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第一电流源具有参考电流源和电流镜。
9.根据权利要求7所述的装置，其中，所述电流比较器是控制端电连接到所述存储器位单元和所述第一电流源的N型晶体管。
10.一种方法，包括: Ca)对信号电压节点进行充电； (b)对读出放大器的输出节点进行充电； (c)激活连接到所述信号电压节点的存储器位单元； (d)基于参考电流和所述存储器位单元的单元电流改变所述信号电压节点处的信号电压； (e)基于所述信号电压和参考电压建立所述读出放大器的输出节点之间的电压差； (f)锁存所述电压差以生成轨对轨电压差；以及 (g)基于所述轨对轨电压差确定所述存储器位单元所存储的数据的极性。
【专利摘要】一种装置，包括存储器位单元、第一电流源以及电连接到存储器位单元和第一电流源的电流比较器。第一晶体管具有电连接到第一电压供给节点的第一端、电连接到控制器的控制端、以及电连接到存储器位单元和电流比较器的第二端。读出放大器电连接到电流比较器和参考电流发生器。本发明提供了存储器电路及相关方法。
【IPC分类】G11C7-06
【公开号】CN104835519
【申请号】CN201410154371
【发明人】邹宗成, 李伯浩, 陈德瀚
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2014年4月16日
【公告号】US20150228333