供应块包括：
[0099]第一上拉驱动单元，其适于：在所述第一模式的所述初始时段期间，利用所述第三高电压来驱动所述上拉电源线；
[0100]第二上拉驱动单元，其适于：在所述第一模式的所述其余时段期间，利用所述第一高电压来驱动所述上拉电源线；
[0101]第三上拉驱动单元，其适于：在所述第二模式的所述初始时段期间，利用所述第二高电压来驱动所述上拉电源线；以及
[0102]第二下拉驱动单元，其适于：在所述第二模式的所述初始时段期间，利用所述第二低电压来驱动所述下拉电源线。
[0103]技术方案11.如技术方案7所述的半导体器件，还包括：
[0104]第一预充电块，其适于：在所述第二模式的其余时段期间，利用预定的预充电电压对所述数据线预充电；以及
[0105]第二预充电块，其适于：在所述第二模式的所述其余时段期间，利用所述预充电电压对所述上拉电源线和所述下拉电源线预充电。
[0106]技术方案12.如技术方案11所述的半导体器件，其中，所述预充电电压具有与所述第一高电压的一半相对应的电压电平。
[0107]技术方案13. —种半导体器件，包括：
[0108]位线对，其包括位线和互补位线；
[0109]存储器单元，其与所述位线和所述互补位线之间的一个位线耦接；
[0110]感测放大块，其适于：基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压，来感测和放大加载在所述位线上的数据；
[0111]第一上拉驱动块，其适于：在预充电模式的初始时段期间，利用升高的电压来驱动所述上拉电源线；
[0112]第一下拉驱动块，其适于：在所述预充电模式的所述初始时段期间，利用负电压来驱动所述下拉电源线；以及
[0113]第一预充电块，其适于：在所述预充电模式的其余时段期间，利用预定的预充电电压对所述位线预充电。
[0114]技术方案14.如技术方案13所述的半导体器件，还包括：
[0115]第二上拉驱动单元，其适于：在激活模式的初始时段期间，利用具有比所述升高的电压的电压电平低的电压电平的电源电压来驱动所述上拉电源线；
[0116]第三上拉驱动单元，其适于：在所述激活模式的其余时段期间，利用具有比所述电源电压的电压电平低的电压电平的内部电压来驱动所述上拉电源线；以及
[0117]第二下拉驱动单元，其适于：在所述激活模式的所述初始时段和所述其余时段期间，利用具有比所述负电压的电压电平高的电压电平的接地电压来驱动所述下拉电源线。
[0118]技术方案15.如技术方案14所述的半导体器件，其中，所述预充电电压具有与所述内部电压的一半相对应的电压电平。
[0119]技术方案16.如技术方案15所述的半导体器件，其中，所述内部电压包括核心电压，以及所述预充电电压包括位线预充电电压。
[0120]技术方案17.如技术方案13所述的半导体器件，还包括：
[0121]第二预充电块，其适于：在所述预充电模式的所述其余时段期间，利用所述预充电电压对所述上拉电源线和所述下拉电源线预充电。
【主权项】
1.一种半导体器件，包括：感测放大块，其适于：基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压来感测并放大加载在数据线对上的数据；以及电压供应块，其适于：在第一模式中，将第一高电压作为所述上拉驱动电压供应至所述上拉电源线，并且将第一低电压作为所述下拉驱动电压供应至所述下拉电源线，以及在作为所述第一模式的后续模式的第二模式的初始时段期间，将所述第一高电压作为所述上拉驱动电压供应至所述上拉电源线，并且将具有比所述第一低电压的电压电平低的电压电平的第二低电压作为所述下拉驱动电压供应至所述下拉电源线。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一模式包括：将加载在所述数据线上的数据放大并保持的部分，以及所述第二模式包括：利用预定的电压对所述数据线预充电的时段。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电压供应块在所述第一模式的初始时段期间，供应具有比所述第一高电压的电压电平高的电压电平的第二高电压作为所述上拉驱动电压，以及在所述第一模式的其余时段期间，供应所述第一高电压作为所述上拉驱动电压。4.如权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电压供应块包括：第一上拉驱动单元，其适于：在所述第一模式的所述初始时段期间，利用所述第二高电压来驱动所述上拉电源线；第二上拉驱动单元，其适于：在所述第一模式的所述其余时段期间，利用所述第一高电压来驱动所述上拉电源线；第一下拉驱动单元，其适于：在所述第一模式的所述初始时段和所述其余时段期间，利用所述第一低电压来驱动所述下拉电源线；以及第二下拉驱动单元，其适于：在所述第二模式的所述初始时段期间，利用所述第二低电压来驱动所述下拉电源线。5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一预充电块，其适于：在所述第二模式的其余时段期间，利用预定的预充电电压对所述数据线预充电；以及第二预充电块，其适于：在所述第二模式的所述其余时段期间，利用所述预充电电压对所述上拉电源线和所述下拉电源线预充电。6.如权利要求5所述的半导体器件，其中，所述预充电电压具有与所述第一高电压的一半相对应的电压电平。7.—种半导体器件，包括：感测放大块，其适于：基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压，来感测并放大加载在数据线对上的数据；以及电压供应块，其适于：在第一模式中，将第一高电压作为所述上拉驱动电压供应至所述上拉电源线，并且将第一低电压作为所述下拉驱动电压供应至所述下拉电源线，以及在作为所述第一模式的后续模式的第二模式的初始时段期间，将具有比所述第一高电压的电压电平高的电压电平的第二高电压作为所述上拉驱动电压供应至所述上拉电源线，并且将具有比所述第一低电压的电压电平低的电压电平的第二低电压作为所述下拉驱动电压供应至所述下拉电源线。8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一模式包括：将加载在所述数据线上的数据放大且保持的时段，以及所述第二模式包括：利用预定的电压对所述数据线预充电的时段。9.如权利要求7所述的半导体器件，其中，所述电压供应块在所述第一模式的初始时段期间，供应具有比所述第一高电压的电压电平高、且比所述第二高电压的电压电平低的电压电平的第三高电压作为所述上拉驱动电压，以及在所述第一模式的其余时段期间，供应所述第一高电压作为所述上拉驱动电压。10.—种半导体器件，包括：位线对，其包括位线和互补位线；存储器单元，其与所述位线和所述互补位线之间的一个位线耦接；感测放大块，其适于：基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压，来感测和放大加载在所述位线上的数据；第一上拉驱动块，其适于：在预充电模式的初始时段期间，利用升高的电压来驱动所述上拉电源线；第一下拉驱动块，其适于：在所述预充电模式的所述初始时段期间，利用负电压来驱动所述下拉电源线；以及第一预充电块，其适于：在所述预充电模式的其余时段期间，利用预定的预充电电压对所述位线预充电。
【专利摘要】一种半导体器件包括：感测放大块，其适于基于经由上拉电源线供应的上拉驱动电压和经由下拉电源线供应的下拉驱动电压来感测并放大加载在数据线对上的数据；以及电压供应块，其适于在第一模式中，将第一高电压作为上拉驱动电压供应至上拉电源线，并且将第一低电压作为下拉驱动电压供应至下拉电源线，以及在作为第一模式的后续模式的第二模式的初始时段期间，将第一高电压作为上拉驱动电压供应至上拉电源线，并且将具有比第一低电压的电压电平低的电压电平的第二低电压作为下拉驱动电压供应至下拉电源线。
【IPC分类】G11C11/413
【公开号】CN105304122
【申请号】CN201410806763
【发明人】任锺满, 池性洙
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年12月22日
【公告号】US20150364166