半导体器件和包括该半导体器件的半导体系统的制作方法
【专利说明】半导体器件和包括该半导体器件的半导体系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2014年5月27日提交的申请号为10-2014-0063663号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请以参阅方式全文并入本申请。
技术领域
[0003]本发明的示意性实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及半导体系统的封装后修复。
【背景技术】
[0004]当半导体器件中数百万或数十亿微小的存储单元中只有一个有缺陷时，半导体器件可能不能正常操作。没有办法修复这些器件，它们只能作为缺陷产品被丢弃。但是，由于很少的缺陷存储单元而抛弃整个半导体器件是低效的，并且降低产品产量。现在，通过制备备用存储单元并且用备用存储单元替换缺陷存储单元来恢复存储器，其提高了产品产量。备用存储单元被称为冗余存储单元。
[0005]总体来说，以这样的方式执行使用冗余存储单元的修复过程，即在每一个单元阵列中预置冗余存储单元的备用行或列，并且用预置的备用行或列来替换包括缺陷存储单元的存储单元的行或列。换句话说，通过半导体器件的晶片加工完成之后的测试操作发现缺陷存储单元，内电路执行对应于缺陷存储单元的缺陷行的地址的编程操作。因此，当在实际条件下输入缺陷行的地址时，缺陷行被备用线路替换。
[0006]用于修复缺陷存储单元的方法被分成在晶片级修复的方法和在封装级修复的方法。当在晶片上执行测试操作之后，在晶片级中可以用冗余存储单元替换缺陷存储单元。另夕卜，当在半导体器件的封装级中执行测试操作之后，可以用旨在在封装级中替换缺陷存储单元的冗余存储单元替换缺陷存储单元。该方法被称为封装后修复操作。
[0007]封装后修复操作可以执行为用于执行修复操作的命令，并且从存储控制器应用于存储器。预定的地址和命令从存储控制器应用于存储器以设置用于执行封装后修复操作的封装后修复(PPR)模式。存储器可以基于接收到的预定地址和命令执行封装后修复操作。
【发明内容】
[0008]本发明的示意性实施例涉及可以通过控制进入封装后修复(PPR)模式来防止修复操作的故障的半导体器件，以及包括该半导体器件的半导体系统。
[0009]根据本发明的实施例，一种半导体系统包括:存储控制器和存储器，该存储器适于确定是否响应于从存储控制器应用的阻断模式进入信号启用控制信号，响应于从存储控制器应用的第一地址和第一命令进入修复模式，以及不管第一地址和第一命令，在控制信号的启用部分期间阻断进入修复模式。
[0010]修复模式可以是封装后修复模式。
[0011]阻断模式进入信号可以是从存储控制器应用的第二地址和第二命令。
[0012]阻断模式进入信号是用于定义存储器的测试部分的测试操作信号。
[0013]存储器可以包括:控制信号生成块，其适于响应于第二地址和第二命令生成控制信号；和模式启用信号生成块，其适于生成用于确定是否基于第一地址、第一命令和控制信号进入修复模式的模式启用信号。
[0014]当控制信号被启用时，模式启用信号可以被停用并且不管第一地址和第一命令，存储器阻断进入修复模式，并且当控制信号被停用时，响应于第一地址和第一命令，模式启用信号被启用并且存储器进入修复模式。
[0015]控制信号生成块可以包括:控制信号设置单元，其适于响应于第二地址和第二命令启用控制信号；控制信号初始化单元，其适于响应于从存储控制器应用的或从存储器的内部生成的阻断模式退出信号停用控制信号。
[0016]模式启用信号生成块可以包括:模式启用信号控制单元，其适于在控制信号的停用部分期间响应于第一地址和第一命令启用模式启用信号，并且在控制信号的启用部分期间，不管第一地址和第一命令，停用模式启用信号；和模式启用信号初始化单元，其适于响应于从存储控制器应用的或从存储器的内部生成的初始化信号将模式启用信号初始化。
[0017]存储器可以是在封装级中。
[0018]根据本发明的另一个实施例，一种操作包括存储控制器和存储器的半导体系统的方法包括:响应于从存储控制器应用的阻断模式进入信号确定存储器的阻断模式；响应于从存储控制器生成的第一地址和第一命令控制存储器进入修复模式；以及不管第一地址和第一命令，在阻断模式中阻断存储器进入修复模式。
[0019]修复模式可以是封装后修复模式。
[0020]阻断模式进入信号可以是从存储控制器生成的第二地址和第二命令。
[0021]阻断模式进入信号是用于定义存储器的测试部分的测试操作信号。
[0022]确定存储器的阻断模式可以包括:响应于第二地址和第二命令进入阻断模式；以及响应于从存储控制器应用的或从存储器的内部生成的阻断模式退出信号从阻断模式退出。
[0023]根据本发明的另一个实施例，一种半导体器件包括:控制信号生成块，其适于响应于从外部应用的阻断模式进入信号生成控制信号；和模式启用信号生成块，其适于启用用于确定是否在控制信号的停用部分期间响应于从外部应用的第一地址和第一命令进入修复模式的模式启用信号，以及在控制信号的启用部分期间，不管第一地址和第一命令，停用模式启用信号。
[0024]修复模式可以是封装后修复模式。
[0025]阻断模式进入信号可以是从外部应用的第二地址和第二命令。
[0026]阻断模式进入信号可以是用于定义存储器的测试部分的测试操作信号。
[0027]控制信号生成块可以包括:控制信号设置单元，其适于响应于第二地址和第二命令启用控制信号；和控制信号初始化单元，其适于响应于从外部应用的或从存储器的内部生成的阻断模式退出信号停用控制信号。
[0028]模式启用信号生成块可以包括:模式启用信号控制单元，其适于在控制信号的停用部分期间，响应于第一地址和第一命令启用模式启用信号，以及在控制信号的启用部分期间，不管第一地址和第一命令，停用模式启用信号；和模式启用信号初始化单元，其适于响应于从外部应用的或从存储器的内部生成的初始化信号初始化模式启用信号。
【附图说明】
[0029]图1是说明根据本发明第一实施例的半导体系统的框图。
[0030]图2是示意性说明图1中示出的存储器的电路图。
[0031]图3是说明根据本发明的第二实施例的半导体系统的框图。
[0032]图4是说明图3中示出的存储器的框图。
[0033]图5A是示出当命令输入至存储器时存储器的操作的时序图。
[0034]图5B是描述在存储器中可能发生的问题的时序图。
【具体实施方式】
[0035]下文将参照附图更详细地描述各实施例。但是，本发明可以以不同的形式实现，不应被理解为限制于本文所提出的实施例。而是，应用这些实施例来使本文全面和完整，并且向本领域技术人员完全表达本发明的范围。贯穿全文，相同的附图标记表示本发明各个图和实施例的相同部件。
[0036]在附图中，为了说明方便，相对于实际的物理厚度和长度，放大了部件的厚度和长度。在下文的说明中，会省略已知的相关功能和结构以避免不必要地混淆本发明的主题。另外，“连接/联接”表示一个部件直接联接至另一个部件或通过其它部件不直接联接。在本说明书中，只要没有特别说明，在一个句子中单数形式可以包括复数形式。另外，在说明书中使用的“包括/包含”或“包括有/包含有”表示存在或加入一个或更多个部件、步骤、操作和元件。
[0037]<第一实施例>
[0038]图1是说明根据本发明第一实施例的半导体系统1000的框图。
[0039]参照图1，半导体系统1000可以包括存储器100和存储控制器200。存储器100可以包括核心块110、模式寄存块130、控制信号生成块150和模式启用信号生成块170。
[0040]存储控制器200可以生成并且将第一地址ADD1、第一命令CMD1和用于控制存储器10