半导体发光器件及其制造方法和制造透明导体膜的方法

专利名称：半导体发光器件及其制造方法和制造透明导体膜的方法
技术领域：
本发明总体上涉及半导体发光器件，更具体地说，涉及改进的半导体发光器件，它可以发射出大量的光。本发明还涉及透明导体膜的制造方法，更具体地说，涉及改进的透明导体膜的制造方法，这样制造出来的透明导体膜在较低的温度下平滑，并具有低电阻和高透射率，从而降低了其成本。本发明还涉及制造化合物半导体发光器件。
图9A和9B示出了传统的发光器件的结构及其机制。参考图9a和9b，一发光二极管(LED)是光电转换型半导体发光器件，它利用了在由彼此相邻的p-和n-型半导体晶体的p-n结部分内的少数载流子注入和接下来的复合发光。
半导体器件本身是由约0.3平方毫米的半导体晶体材料制成，其基本结构和硅整流器件相似，如图9A所示。
当在p-型和n-型晶体上分别施加正、负前向电压时，分别向p区域和n区域注入电子和空穴，如图9B所示。这些少数载流子和多数载流子局部重组(或复合，recombined)，发出光。
这种LED经久耐用，重量轻，规格小。那些曾经仅用作室内指示器灯的LED，随着效率和亮度的改进以及成本的降低，现在被用于汽车尾灯、道路标记、交通灯、大面积彩色显示以及类似的东西上面。现在LED有可能用作汽车前灯和代替荧光灯的室内照明。另外，高效LED的开发还可以节省能量。
LED的发光效率包括外部量子效率和内部量子效率，LED的效率与二者的乘积成正比。内部量子效率是用所产生的光子数量和所注入的电子空穴对的数量之间的比例来表示的。为了改进内部量子效率，必须要有包含少量缺陷和杂质的高质量的晶体，以防止电子空穴对的再结合。
外部量子效率是用向外辐射的光子数量和所注入的电子空穴对的数量之间的比例来表示的。从活性层(或称有源层，active layer)产生的光被活性层本身、一基底或电极吸收，因此只能局部引出到空气。另外，半导体的折射率比外侧的高，因此大部分光完全被半导体和外侧之间的边界反射，返回到半导体。现在市场上的LED是用折射率为1.5的环氧树脂密封的，以增加全反射临界角，从而引出较多量的光，另外，还可以保护LED并增加LED的抗氧化能力。


图10是一概念性的图，示出了传统的LED的结构。在n型半导体层22(其背面有一n电极21)之上形成有一活性层23。在活性层23上形成有一p型半导体层24。在p型半导体层24上形成有一p电极25。在电极之下电流最大之处会立即产生最大的再结合辐射。然而公用电极阻止光线，因此，造成正对电极下面之处发射的光很难引出到外面。此时，重要的是将电流分散到电极之外的一个区域上。因此，应提供一个电流扩散层或在整个表面上提供一能传送光的薄金电极。
图11是LED的截面图，在p型半导体层24上提供有一电流扩散电极26。电流扩散电极26是用一厚度为20nm的Au薄膜形成，以获得足够的电流分布。
然而，具有这种厚度的Au薄膜对波长为500nm的光的透射率仅为37％。因此，大部分光被吸收了，所以，降低了发光效率。
下面将介绍施加到传统的化合物半导体发光器件上的透明半导体膜的问题。施加到传统的化合物半导体发光器件上的透明半导体膜通常是由ITO(In2O3-5wt％SnO2)形成。采用溅射法时，形成的ITO膜透射率至少为80％，并且在基底温度为300℃时电阻率为2×104Ωcm，其具有优良的重复性。考虑到用于有机电致发光(EL)或发光二极管(LED)，需要可在低温下形成的透明导体膜。
日本专利公开No.6-318406(1994)提出了一种制造In2O3-10wt％ ZnO的膜的方法，在室温下它可以达到高透射率和低电阻率。根据这种技术，在室温下通过溅射技术形成的厚度为140nm的膜的电阻率为3×10-4Ωcm，在550nm时，透射率为86％。
另外，在用气相沉积或离子镀来形成透明导体膜上也进行了研究。
透明导体膜的透射率和导电率明显依赖于氧气量。然而，在传统的气相沉积中，由于蒸气沉积源的跑动，使膜形成压力受到限制。在溅射过程中，形成膜的压力和气体受到限制，所以使用等离子体的压力范围受到限制，并需要氩气以形成等离子体，因此不能精确地控制氧气的量。
本发明旨在解决上述问题，其一个目的是提供一种通过改进后可以增加发光效率的半导体发光器件。
本发明的另一个目的是提供一种制造透明导体膜的方法，通过改进后可以精确地控制氧气的量，对膜的形成压力和膜的形成气体没有限制。
本发明的另一个目的是提供一种制造透明导体膜的方法，通过改进后可以增加透射率并降低成本。
本发明的另一个目的是提供一种制造化合物半导体发光器件的方法，它包括形成改进后可以增加透射率并降低成本的透明导体膜这一步。
根据本发明的一个方面，一种半导体发光器件包括一基底，基底的背面提供有n-型下电极。在上述基底上形成有一发光层。在上述发光层上形成有一p-型半导体层。在上述p-型半导体层上形成有一上电极。上述上电极是具有至少两个不同层的多层结构。
根据这方面，上电极是通过具有至少两个不同层的多层结构来形成的，因此，与p-型半导体层不形成连接并具有高透射率的上电极可以通过正确选择不同层来形成。因此可以获得具有高发光效率的半导体发光二极管。
根据本发明的第二方面，上述上电极包括一Au薄膜，它与上述p-型半导体层和形成于其上的n-型半导体裁膜接触。
透明导体膜通常是由n-型半导体形成，当它直接形成于p-型半导体层上时，不可避免地形成结。为了避免这上点，在p-型半导体层上形成一非常薄的Au膜，然后在其上堆栈上透明半导体膜。当Au薄膜的厚度减小时，透射率不会明显减小。具有高透射率的透明导体膜的厚度可以形成得大一点。结果，电流通过透明导电膜在电极上有效地分散。
根据本发明的第三方面，上述Au薄膜的厚度是1nm-3nm。Au薄膜的厚度足够小，以使其透射率不会明显减小。
根据本发明的第四方面，上述透明导体膜是由In2O3-10wt％ ZnO形成的，当透明导体膜是由这种材料形成的时候，透射率增加。
根据本发明的第五方面，上述上电极具有多层结构，包括一上层和一下层。上述下层的表面是平的。上述上层的表面是不规则的。
根据这一方面，当表面是光滑的时，整个折射不能被吸收，通过不规则地控制透明导体膜的表面形状，光可以有效地吸到外面。因此，可以改进光的输出。
根据本发明的第六方面，上述基底包括一ZnSe单晶线基底。上述p-型半导体层包括一ZnSe半导体层，一ZnTe半导体层或BeTe半导体层。
根据本发明的第开方面，上述In2O3-10wt％ ZnO透明半导体层是由激光烧蚀(laser ablation)来形成的。
根据本发明的第八方面，在制造透明导体膜的方法中，首先在真空室中放一基底。当作透明导体膜材料用的靶在上述真空室中居中，向上述真空室中引入氧气。用激光束辐射上述靶，以将通过烧蚀发射的原子或分子离子(molecular ions)沉积在上述基底上，并且在使原子和分子离子氧化的同时，使它们结晶生长。
这种称作激光烧蚀的方法在本发明中用以形成一透明导体膜。在激光烧蚀中，用作激励源的激元激光束是从膜形成装置的外面导入，不限制膜形成压力和膜形成气体。另外，与溅射不同，激光烧蚀不存在由负离子引起的反溅射的影响。根据激光烧蚀，由于上述特征，氧气的量可以稳定地得到控制，并且可以得到成份和靶相接近的膜。另外，和用溅射法相比，可能得到高表面光洁度的膜。
根据本发明的第九方面，In2O3-10wt％ ZnO用作上述靶。
根据本发明的第十方面，一种制造透明导体膜的方法是在室温到300℃范围内的膜形成温度下执行的。
根据本发明的第十一方面，一种制造透明导体膜的方法是在0.3-3×103Torr范围内的膜形成压力下执行的。
根据本发明的第十二方面，在一种制造化合物半导体发光器件的方法中，刚好在形成一透明电极之前准备化合物半导体发光器件基底。上述化合物半导体发光器件基底放在一真空室中。用作透明导体膜材料的靶在上述真空室中居中。在上述真空室中引入氧气。用激光束辐射上述靶，以在将通过烧蚀发射的原子或分子离子沉积在上述基底上并使之氧化的同时，结晶生长上述透明电极。
根据这一方面，通过激光烧蚀在化合物半导体发光器件基底上形成透明电极，因此，可以获得低电阻率和高透射率的化合物半导体发光器件。
根据本发明的第十三方面，In2O3-10wt％ ZnO被采用来作为上述靶。
根据本发明的第十四方面，一种制造化合物半导体发光器件的方法是在室温到300℃范围内的膜形成温度下执行的。
根据本发明的第十五方面，一种制造化合物半导体发光器件的方法是在0.3-3×103Torr范围内的膜形成压力下执行的。
下面将参考附图，详细介绍本发明的上述和其它目的，特征，以及其它方面和优点。
图1(a)-1(d)示出根据本发明第一实施例的半导体光射器件的结构；图2是根据第一实施例的半导体发光器件的具体实例的截面图；图3是一概念图，用以示出根据本发明第二实施例的半导体发光二极管的光输出的改进；图4是激光烧蚀膜形成设备的概念图；图5示出了厚度为120nm的IDIXO膜的电阻率和氧气压力之间的关系；图6示出了厚度为120nm的IDIXO膜的透射率随氧气压力的变化；图7示出了厚度为120nm的IDIXO膜的透射率随波长的变化；图8是根据本发明的化合物半导体发光器件的截面图；图9A和9B是传统的发光器件的截面图；图10示出了传统的LED的结构；和图11是具有电流扩散电极的传统的LED的截面图。
第一实施例在本发明的第一实施例中，用具有低电阻、高透射率的透明导体膜来代替传统的Au膜。参考图1中的(a)，透明导体膜在本发明的第一实施例中具体用作p-电极。
参考图1中的(c)，透明导体膜30通常由一n-型半导体构成，当直接形成于p-型半导体层24上的时候，会不可避免地形成结。参考图1中的(b)，当在p-型半导体层上形成一Au膜26上的时候，透射率以及发光效率都会降低。
参考图1中的(d)，根据本发明，一特别薄的Au膜10a形成于p-型半导体层24上，接着在它上面叠置上一透明导体膜10b。Au膜的厚度非常薄，为1至3nm，因此，透射率不会明显降低。具有高透射率的透明导体膜10b的厚度可以形成得相对厚一点。所以，电流可以通过透明导体膜10b在电极上有效地分散。
图2是用于本发明的ZnSe化合物半导体发光器件的截面图。一1微米厚的n-型ZnSe缓中层2；一1微米厚的n-型ZnMgSSe包覆层3；一ZnSe/ZnCdSe多量子井活性层4；一1微米厚的p-型ZnMgSSe包覆层5；一0.2毫米厚的p-型ZnSe层6和一由ZnTe和ZnSe的多层超晶格结构构成的p-型接触层7依次提供在背面具有n-型电极12的导电ZnSe单晶基底1上。一60nm厚的p-型ZnTe层8提供在最上面的表面上。一具有厚度为1到3nm的Au薄膜10a和一形成于其上的透明导电层10b的多层结构的上电极10形成于这种外延结构上。
第二实施例本发明的第二实施例涉及通过(如不规则地)控制透明导体膜的表面形状来引出那些由于全折射而不能引出的光的技术。因此，可以改进光输出。图3示出了该实施例的概念图。
根据Snell定律可以得到下面等式n1sinθ1＝n2sinθ2假设n1＝3.5(半导体)和n2＝1(空气)，当θ2等于90度时，θ1等于16.6度(临界角)。在此情况下，光仅部分被引出到外面。
通过将透明导体膜的表面制备成透镜或锯齿形，可以提高临界角。因此，可以引出那些由于全反射而不能引出的光，从而改进光输出。
根据本发明，如上所述，当p-型电极是由透明导体膜和Au膜来形成的时候，可以增加透射率和光输出。另外，由于光输出得到了改进，在稳定输出的条件下，使用寿命得到增加。由于具有高透射率，透明导体膜的表面形状可以得到控制。因此，可以改进光输出。另外，由于具有高透射率，透明导体膜的厚度可以增加，其表面形状可以得到实际地控制。
下面将具体介绍本发明。
下面的例子涉及ZnSe的LED，In2O3-10wt％ ZnO用作透明导体膜的材料。
(例1)在每个样品中，具有ZnCdSe活性层的LED形成于通过化学蒸气传送(CVT，chemical vapor transport)法获得的n-型ZnSe(100)上。一p-型电极置于ZnSe/ZnTe的超晶格结构上。通过真空沉积，在它上面形成一3nm厚的Au膜，接着，在下列条件下，通过激光烧蚀，形成In2O3-10wt％ ZnO膜(IDIXO)
膜形成温度室温(25℃)膜形成压力3×10-3Torr O2激光248nm和2J/cm2的KrF激光表1示出在电极结构、电压和光输出值之间的关系(20mA的激励电流)。
表1
在具有IDIXO(180nm)/Au(3nm)的电极结构的样品中，光输出从1.31mW增加到2.19mW，也就是说，和传统的具有Au(20nm)电极的样品相比，提高了1.67倍。操作电压基本保持不变。在具有IDIXO(190nm)的电极结构的样品中，光输出基本上与具有IDIXO(180nm)/Au(3nm)的电极结构的样品相同，而操作电压增加了。因此，可以理解为Au(3nm)抑制结的形成。
在具有IDIXO(190nm)/Au(3nm)的电极结构的样品中，和具有IDIXO(180nm)/Au(3nm)的电极结构的样品相比，光输出减少了。这可能是由于在IDIXO膜中多次反射导致透射率降低而造成的。根据实验结果，IDIXO(180nm-200nm)/Au(2nm-3nm)的电极结构具有优良的效果。
使透射率为最大的膜厚可以表达为(1/4+m/2)×λ/n(m＝0，1，2，3)，使透射率为最小的膜厚可以表达为(m/2)×(λ/n)，其中λ表示发光波长，n表示IDIXO膜的折射率。
例如，当LED的发光波长为480nm时，折射率的实际值为2.07。因此，使透射率为最大的膜厚是58nm(m＝0)或174nm(m＝1)，也就是说，基本上与上述180nm厚度的相同。使透射率为最小的膜厚为116nm(m＝1)。
(例子2)在沉积Au膜以后，接着分两步形成In2O3-10wt％ ZnO膜(如表2所示)。上层的表面是不规则的。
表2
在这个实例中，工作电压是2.80V，光输出增加到2.43mW。
第三实例图4是用于本发明制造透明导体膜的激光烧蚀膜形成设备的概念图。一种用高密度激光脉冲辐射一固态表面，将其中发射出来的离子或原子沉积到位于相对位置的基底上，并用激光烧蚀来形成一薄膜。该方法特别适合于形成金属氧化物衍生薄膜。根据激光烧蚀，不仅膜的形成，还有精炼，蚀刻、多层化等，可以在具有强的激光脉冲的相同的实验腔室中进行。对于铁电体薄膜的形成，激光烧蚀具有下列优点首先，在这种方法中，激光束是从膜形成室的外面引入的，因此，薄膜可以在适合晶体生长的任何大气压力下形成。另外，原子、分子和离子仅从靶中发射出来，因此所形成的薄膜中不含有杂质。
可以分别选择各种参数，如压力、基底温度和膜形成速率。至于膜的可控制性，可以通过调节激光脉冲数和能量，随时控制膜的形成。
另外，可以非常高的速度形成膜。因此，激光烧蚀具有诸多优点。
在激光烧蚀的设备中，由包含用于形成膜的铁电体基底构成的大靶在真空室中居中，向真空系统中引入具有强氧化能力的氧气、臭氧和NO2，用脉冲激光来辐射靶，以产生烧蚀。通过烧蚀发射出的原子、分子和离子沉积在基底，并被氧化，从而导致晶体生长。在本发明的第三实施例中，在这种激光烧蚀设备中，形成的是透明导体膜。
膜形成条件如下激光248nm和2J/cm2的KrF激光靶In2O3-10wt％ ZnO(Idemitsu Kosan生产的高密度产品，下面简称为IDIXO)基底MgO(用于测量透射率)和玻璃(用于测量电阻率)
膜形成温度在从室温(RT)到300℃范围内，标准地采用室温膜形成压力0.3-3×10-3Torr O2，标准地采用3×10-3Torr O2下面将详细介绍膜形成条件。
随氧气压力的变化首行观察透明导体膜的透射率随氧气压力的变化。
在激光烧蚀中，一羽毛形状随膜形成压力的变化而变化。在某一膜形成压力下，样品的成份随样品在羽毛上的位置而变化。发明者得到这样一个结果，在超导器件的开发中，靶到基底的最佳距离为60至70毫米，从羽毛上看，此时靶到基底的距离固定在70毫米，来评估随氧气压力的变化。IDIXO的厚度设定为120nm。
图5示出了电阻率与氧气压力之间的关系。
电阻率随氧气压力的变化而产生明显的变化，并在3×10-3Torr O2下获得了具有下降的特性，到目前为止，据报道根据氧气量透明导体膜的电阻有一最佳值。通过传统的溅射法很难获得6.5×10-5Ωcm的最低值。所以与溅射法相比，电阻降低了一个数量级，所需的厚度可以降到1/10，可以增加透射率，因此，花较低的成本就可以得到高质量的透明导体膜。在这种条件下所得到的膜的表面非常光滑，粗糙度为0.5nm。该值是通过溅射法所得到的值的1/10。
图6示出了IDIXO的透射率随氧气压力的变化的评估。可以看出一300nm的吸收边缘(absorption edge)。用于测量透射率的样品是通过具有200nm的吸收边缘的MgO基底形成的。应当理解的是300nm的吸收边缘是从IDIXO膜中得到的。在波长为500nm时测得的MgO基底的透射率为84％，IDIXO膜(120nm)的透射率和膜形成氧气压力之间的关系如表3所示。
表3
在0.3Torr的膜形成压力下，尽管获得了高透射率，但电阻率明显增加。在膜形成压力为3×10-3Torr时，所得到的电阻率最低，透射率为92％。在发光器件中，厚度小的Au膜通常用作透明电极。厚为20nm的Au膜的透射率为37％，因此，可以通过采用IDIXO膜获得的光输出超过常用发光器件的两倍。再现性当将IDIXO膜用于产品上时，必须评估1)平面分布和2)再现性和类似性能。考虑到发明者在羽毛形状和超导方面所作的实验和取得的成功，ZnSe基底，在此为10平方毫米，是没有问题的。这次用在相同条件下三次形成的IDIXO膜的样品来对电阻率进行评估。结果示于表4表4
尽管随着运行次数的增加，电阻率增加，但是在所有样品中均不大于10-5Ωcm的数量级。在应用到产品中时，认为在这种低值条件下稳定性是没有问题的。
电阻率的这种变化的可能因素有1)靶成份的变化和2)膜厚度的变化。变化因素1)可以通过抛光靶表面来防止，变化因素2)可以通过设定一厚度监示器来防止。
随降低温度氧气压力的变化当通过激光烧蚀来形成IDIXO膜时，与传统的溅射法相比，在最佳数值中，电阻率可以降低一个数量级。这表明透明导体膜的厚度可能减少到约1/10。在气相沉积或溅射法中，设备中有激励源(蒸气沉积中用热，溅射中用等离子体)来限制膜形成条件。与此相比，在激光烧蚀中，从设备外面引入起着激励源作用的激元激光束，因此，膜形成压力可以从非常接近大气压力的水平变化成很高的真空度，从而使膜在最佳的氧气压力下形成。另外，至于膜的成份，在激光烧蚀中，可以获得和靶成份十分相近的膜。因此，根据本发明可以获得电阻率特性非常好的IDIXO膜。
为了研究氧气量和电阻率之间的关系，在约300℃下，在膜形成以后，降低温度。膜形成压力设定为3×10-3Torr，此时，在室温下形成的膜的电阻率最低。结果示于表5。
表5
在100 Torr下，当温度降低时，氧气施加到样品上，以增加电阻率。在膜形成压力或真空条件下，当温度降低时，电阻率基本保持不变，这表明在该温度范围内，氧气的引入没有明显的变化。同样在考虑氧气压力的依赖性的实验中，IDIXO膜可能便于氧气的引入，很难损坏。
对带有Au膜的IDIXO膜的评估一种通常由n-型半导体构成的透明导体膜当用作ZnSe LED的p电极时，可能形成结。为了避免这一点，研究了通过在形成IDIXO膜之前形成Au膜而得到的IDIXO/Au基底。表6示出了关于电阻率的结果。
表6
与光滑玻璃基底相比，当Au膜的厚度为3nm时，可以得到稍微高的电阻率，当厚度为10nm时，可以获得基本相同的电阻率。当Au膜的厚度为3nm时，由于呈岛形生长的Au(对导电没有作用) 的出现，在初始状态，没有连续的IDIXO膜形成，所以可能增加电阻率。当Au膜的厚度为10nm时，形成连续膜的Au弥补IDIXO导电性能的降低。
图7示出了IDIXO/Au电极结构中的透射率。人们认为Au的出现是导致透射率降低的原因。在波长为500nm时，IDIXO(120nm)/Au(3nm)样品的透射率为80％。与小厚度的Au膜相比，透射率减小了，可能是因为Au的出现使IDIXO膜本身的透射率减小了。
第四实施例图8示出了根据本发明第三实施例中制造透明导体膜的方法制造的化合物半导体发光器件的截面图。参考图8，在n-型半导体层51的背面提供有一n电极52。在n型半导体层51上提供有一活性层53。在活性层53上提供有一p-型半导体层。在p-型半导体层54上提供有一接触层55。在接触层55上提供有一p电极6，其为透明电极。在p电极上提供有一垫57。电流通过引线58从外部电源(未显示)提供到垫57上。
当也用在第三实施例中所介绍的激光烧蚀方法来作为形成图8所示的化合物半导体发光器件的透明电极56的形成方法时，可以获得具有高透射率、低导电率和光输出至少为传统的Au电极的两倍的电极。ZnSe LED最好具有IDIXO(120nm)/Au(3nm)的电极结构，以便使光输出最大化。
制造具有上述结构的透明导体膜的方法不仅适用于形成化合物半导体发光器件的透明电极，还适合用于液晶显示器，太阳能电池以及类似场合。
尽管已经详细示出并介绍了本发明，应当清楚理解的是它们仅作为示例性的，而不是作为对本发明的限制，本发明的精神和范围由后附权利要求书进行限定。
权利要求
1.一种半导体发光器件，包括；一基底，其背面带有一n-型下电极；一发光层(4)，提供在上述基底上；一p-型半导体层(24)，提供在上述发光层上；和一上电极(10a，10b)，提供在上述p-型半导体层上，其中，上述上电极是一具有至少两个不同层的多层结构。
2.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，上述上电极包括一与上述p-型半导体层(24)接触的Au薄膜(10a)和形成于上述Au薄膜上的n-型透明导体膜(10b)。
3.如权利要求2所述的半导体发光器件，其中，Au薄膜(10a)的厚度为1nm至3nm。
4.如权利要求2所述的半导体发光器件，其中，上述透明导体膜(10b)是由In2O3-10wt％ZnO构成的。
5.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，上述上电极具有多层结构，包括一上层(10b)和下层(10a)，上述上层(10a)的表面是平的，上述下层(10b)的表面是不规则的。
6.如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，上述基底包括一ZnSe单晶基底，上述p型半导体层(24)包括一ZnSe半导体层；一ZnTe半导体层或一BeTe半导体层。
7.如权利要求4所述的半导体发光器件，其中，上述In2O3-10wt％ZnO透明导体膜是通过激光烧蚀来形成的。
8.一种制造透明导体膜的方法，包括在真空室中放置一基底；将放在上述真空室中起透明导体膜材料作用的靶居中；向上述真空室中引入氧气；和用激光束辐射上述靶，将用烧蚀所发射的原子或分子离子沉积在上述基底上，并且在氧化上述原子或分子离子的同时，使它们结晶生长。
9.如权利要求8所述的制造透明导体膜的方法，其中，上述靶包括In2O3-10wt％ZnO。
10.如权利要求9所述的制造透明导体膜的方法，在将膜形成温度控制在室温到300℃范围内的同时，执行上述晶体生长。
11.如权利要求8所述的制造透明导体膜的方法，其中，在将膜形成压力控制在0.3至3×10-3Torr范围内的同时，执行上述晶体生长。
12.一种制造化合物半导体发光器件的方法，包括在形成透明电极之前，准备一化合物半导体发光器件基底；将上述化合物半导体发光器件的基底放在一真空室中；将放在上述真空室中起透明导体膜材料作用的靶居中；向上述真空室中引入氧气；和用激光束辐射上述靶，将用烧蚀所发射的原子或分子离子沉积在上述化合物半导体发光器件基底上，并且在氧化上述原子或分子离子的同时，结晶生长透明电极。
13.如权利要求12所述的制造化合物半导体发光器件的方法，上述靶包括In2O3-10wt％ ZnO。
14.如权利要求12所述的制造化合物半导体发光器件的方法，在将膜形成温度控制在室温到300℃范围内的同时，执行上述晶体生长。
15.如权利要求12所述的制造化合物半导体发光器件的方法，其中，在将膜形成压力控制在0.3至3×10-3Torr范围内的同时，执行上述晶体生长。
全文摘要
一发光层提供在一基底上,一p－型半导体层(24)提供在发光层上。一上电极提供在p型半导体层(24)上。一上电极包括一与p型半导体层接触的Au薄膜(10a)和一形成于其上的n型透明导体层(10b)。n型透明导体膜(10b)是通过激光烧蚀来形成的。
文档编号H01L33/42GK1271182SQ00106758
公开日2000年10月25日 申请日期2000年4月14日 优先权日1999年4月15日
发明者中村孝夫, 松原秀树 申请人:住友电气工业株式会社