专利名称：多端子型层叠电容器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及多端子型层叠电容器及其制造方法。
背景技术：
在数字电子设备中安装的中央处理器(CPU)的供电用电源中，一方面发展低电压化，另一方面，负载电流在增大。因此，对负载电流的急剧变化，要将电源电压的变动抑制在允许值以内较困难，所以在电源中连接称为去耦电容器的层叠电容器。并且，在负载电流变动过大时，从该层叠电容器向CPU供给电流，抑制电源电压的变动。
近几年随着CPU工作频率的进一步高频化，负载电流迅速变得更大。因此，对于用作去耦电容器的层叠电容器，要求增大等效串联电阻(ESR)。
在日本特开2000-208361号公报中公开的多端子型层叠电容器中，在各层的内部电极中设有用于连接端子电极的引出电极，这些引出电极被导出到陶瓷基体的侧面。端子电极通过电镀等形成在陶瓷基体侧面，与该引出电极相接合。端子电极通过与引出电极的接合结构与陶瓷基体紧密接合。
在这种层叠电容器中要获得高的ESR，可以考虑减小设置在各层的内部电极的膜厚的方法。
但是，在日本特开2000-208361号公报所述的技术中，由于形成为引出电极的膜厚与内部电极的膜厚相同的结构，所以，若减小内部电极的膜厚，则引出电极的膜厚也会减小。若减小引出电极的膜厚，则不能够赋予端子电极充分的接合结构，难以确保端子电极与陶瓷基体的的粘接性。
提高ESR的另一种方法，可考虑减少层叠数的方法。
但是，若减少层叠数，则引出电极数量也减少。在日本特开2000-208361号公报所述的技术中，形成了引出电极的膜厚与内部电极的膜厚相同的结构，若减少引出电极数量，则这也不能够赋予端子电极充分的接合结构，也难以确保端子电极与陶瓷基体的粘接性。
发明内容
本发明的课题是提供一种多端子型层叠电容器及其制造方法，即使为实现高ESR化而减少层叠数或者减薄内部电极的膜厚的情况下，也能够确保端子电极与陶瓷基体的粘接性。
(多端子型层叠电容器)为了解决上述课题，涉及本发明的多端子型层叠电容器，包括陶瓷基体、以及在陶瓷基体内部夹着陶瓷而层叠的多个电极层。
上述电极层分别包括内部电极和引出电极。上述引出电极的一端与同层的内部电极相连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，并形成为比上述同层的内部电极厚。
如上所述，涉及本发明的多端子型层叠电容器，包括陶瓷基体、以及在陶瓷基体的内部夹着陶瓷层而层叠的多个电极层。因此，能够获得多端子型层叠电容器的基本结构。
电极层分别包括内部电极和引出电极。引出电极的一端与同层的内部电极相连接着，另一端被导出到陶瓷基体的侧面。因此，在陶瓷基体的侧面形成端子电极，能够提供与引出电极的接合结构。
在本发明中，引出电极形成为比同层的内部电极厚。若采用该结构，即使在为提高ESR而减少层叠数，或者减薄内部电极的膜厚的情况下，也能够对引出电极确保与端子电极的接合结构所需的膜厚。因此，能够赋予端子电极充分的接合结构，确保端子电极与陶瓷基体的粘接性。因此，能够防止热冲击造成端子电极剥离。
优选上述引出电极在陶瓷基体的侧面附近形成为比上述同层的内部电极厚。
在一个实施方式中，上述电极层还包括虚拟电极，上述虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔配置，一端被导出到陶瓷基体的侧面。若采用该结构，则可以对端子电极，除了提供与引出电极的接合结构外，还提供与虚拟电极的接合结构，这样，能够增大端子电极与陶瓷基体的粘接性。
在上述电极层的至少一层中，最好是上述虚拟电极与同层的内部电极的关系来看形成同极。若上述虚拟电极与同层的内部电极的关系来看是同极，则能够防止虚拟电极和内部电极之间的短路故障。
在另一个实施方式中，上述陶瓷基体具有内层部分，具有夹着陶瓷层而层叠的上述电极层；以及外层部分，从上述内层部分来看位于外层，在上述外层部分具有虚拟电极层。上述虚拟电极层包括外层虚拟电极，上述外层虚拟电极的一端被出到陶瓷基体的侧面。若采用该结构，则能够对端子电极，除了提供与引出电极的接合结构外，还提供与外层虚拟电极的接合结构，这样，能够增大端子电极与陶瓷基体的粘接性。
(多端子型层叠电容器的制造方法)在涉及本发明的多端子型层叠电容器的制造方法中，在未烧结陶瓷片上形成内部电极层和第一引出电极层。并且，在上述第一引出电极层上形成第二引出电极层。并且，将形成了内部电极层和第一、第二引出电极层的上述未烧结陶瓷片作为单位层来构成层叠体。
如上所述，在涉及本发明的多端子型层叠电容器的制造方法中，在未烧结的陶瓷片上形成内部电极层和第一引出电极层，在第一引出电极层上形成第二引出电极层。因此，可以获得具有内部电极以及形成为比同层的内部电极厚的引出电极的基本结构。
再者，将形成了内部电极层和第一、第二引出电极层的未烧结陶瓷片作为单位层来构成层叠体。因此，能够获得上述涉及本发明的多端子型层叠电容器。
在一个实施方式中，上述第二引出电极层由多层构成。
在另一个实施方式中，在上述内部电极层上形成由陶瓷浆料构成的台阶吸收层。然后，将形成了内部电极层、第一、第二引出电极层和台阶吸收层的上述未烧结陶瓷片作为单位层来构成层叠体。若采用该台阶吸收层，则能够吸收内部电极层和第二引出电极之间产生的台阶。
如上所述，若采用本发明，则能够提供一种多端子型层叠电容器及其制造方法，在为获得高ESR化而减少层叠数或者减薄内部电极的膜厚的情况下，也能够确保端子电极与陶瓷基体的粘接性。
图1是表示本发明的多端子型层叠电容器的一实施方式的外观斜视图；图2是表示沿图1的2-2线的截面的模式图；图3是表示电极层结构的模式图；图4是对图2所示的截面放大表示电极层121、122的附近部分的图；图5是表示虚拟电极层的结构的模式图；图6是表示本发明的多端子型层叠电容器的制造方法的一实施方式所包含的步骤的图；图7是沿图6的7-7线的局部放大截面图；图8是表示图6和图7所示的步骤之后的步骤的图；图9是表示图8所示的步骤之后的步骤的图；图10是表示图9所示的步骤之后的步骤的图。
具体实施例方式
(多端子型层叠电容器)
图1是表示本发明的多端子型层叠电容器的一实施方式的外观斜视图；图2是表示沿图1的2-2线的截面的模式图。如图所示，本发明的多端子型层叠电容器包括陶瓷基体1和多个电极层121～128。
陶瓷基体1由例如以钛酸钡为主要成分的电介质材料等构成。陶瓷基体1是具有长度方向X、宽度方向Y和厚度方向Z的大致直方体形状。在宽度方向Y上看的一个侧面101上设有端子电极21～24。这些端子电极21～24在侧面101上相互隔开长度方向X的间隔配置，相邻的端子电极相互形成异极。具体来说，端子电极21、23为负极，端子电极22、24为正极。
在陶瓷基体1的另一侧面102上也设有端子电极25～28。这些端子电极25～28在侧面102上相互隔开长度方向X的间隔配置，相邻的端子电极相互成为异极。具体来说，端子电极25、27是负极，端子电极26、28是正极。
端子电极21～28可以在陶瓷基体1上涂敷导电性浆料而烧结后基底膜211～281上，由单层或多层电镀膜(212～282)、(213～283)构成。基底膜211～281，例如以Cu或Ag为主要成分而构成，镀膜例如由Ni/Sn的多层镀膜(212～282)、(213～283)等构成。
若参见图2，电极层121～128在陶瓷基体1的内部夹着陶瓷层而层叠。若详细说明，则陶瓷基体1包括内层部分12、位于内层部分12的上层的第一外层部分11、以及位于内层部分12的下层的第二外层部分13，电极层121～128配置在陶瓷基体1的内层部分12。电极层121～128例如由Ni等构成。
图3是表示电极层121～128的结构的模式图。以下依次说明电极层121～128。
首先，说明电极层121。电极层121包括内部电极A1和引出电极B1。内部电极A1设置成夹着电介质层与电极层122的内部电极A2相对置，具有静电电容电极的功能。引出电极B1的一端与同层的内部电极A1相连接，另一端被导出到陶瓷基体的一个侧面，与端子电极21相连接。因此，内部电极A1通过引出电极B1而与端子电极21电连接，与端子电极21成为同极即负极。
电极层121还包括虚拟电极D11～D13。虚拟电极D11～D13分别与同层的内部电极A1和引出电极B1隔开间隔配置。再者，这些虚拟电极D11～D13分别与端子电极21～28中被选择的端子电极相连接，与同层的内部电极A1的关系来看成为同极。若详细说明，内部电极A1成为负极，虚拟电极D11的一端被导出到陶瓷基体的一侧面，与负极的端子电极23相连接。虚拟电极D12、D13的一端被导出到陶瓷基体的另一个侧面，分别与负极的端子电极25、27相连接。
以下说明电极层122。电极层122包括内部电极A2和引出电极B2。内部电极A2设置成夹着电介质层与电极层121的内部电极A1和电极层123的内部电极A3相对置，具有静电电容电极的功能。引出电极B2的一端与同层的内部电极A2相连接，另一端被导出到陶瓷基体的一侧面，与端子电极22相连接。因此，内部电极A2通过引出电极B2而与端子电极22电连接，与端子电极22成为同极、即正极。
电极层122还包括虚拟电极D21～D23，虚拟电极D21～D23分别与同层的内部电极A2和引出电极B2隔开间隔配置。再者，这些虚拟电极D21～D23分别与端子电极21～28中被选择的端子电极相连接，与同层的内部电极A2的关系来看成为同极。若详细说明，内部电极A2是正极，虚拟电极D21的一端被导出到陶瓷基体的一侧面，与正极的端子电极24相连接。虚拟电极D22、D23的一端被导出到陶瓷基体的另一侧面，分别与正极的端子电极26、28相连接。
以下电极层123～128也是一样，对这些说明尽量省略重复说明。
若说明电极层123，引出电极B3的一端与同层的内部电极A3相连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极23相连接。因此，内部电极A3通过引出电极B3与端子电极23电连接，与端子电极23成为同极、即负极。虚拟电极D31～D33分别与负极的端子电极21、25、27相连接，与同层的内部电极A3的关系来看成为同极。
接着，若说明电极层124，引出电极B4的一端与同层的内部电极A4相连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极24相连接。因此内部电极A4通过引出电极B4而与端子电极24电连接，与端子电极24成为同极、即正极。虚拟电极D41～D43分别与正极的端子电极22、26、28相连接，与同层的内部电极A4的关系来看成为同极。
接着，若说明电极层125，引出电极B5的一端与同层的内部电极A5相连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极25相连接。因此，内部电极A5通过引出电极B5而与端子电极25连接，形成与端子电极25同极、即负极。虚拟电极D51～D53分别与负极的端子电极21、23、27相连接，与同层的内部电极A5的关系来看形成同极。
接着，若说明电极层126，引出电极B6的一端与同层的内部电极A6相连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极26相连接。因此，内部电极A6通过引出电极B6而与端子电极26电连接，与端子电极26成为同极、即正极。虚拟电极D61～D63分别与正极的端子电极22、24、28相连接，与同层的内部电极A6的关系来看形成同极。
接着，若说明电极层127，引出电极B7的一端与同层的内部电极A7相连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极27相连接。因此，内部电极A7通过引出电极B7而与端子电极27电连接，与端子电极27成为同极、即负极。虚拟电极D71～D73分别与负极的端子电极21、23、25相连接，与同层的内部电极A4的关系来看成为同极。
最后，若说明电极层128，引出电极B8的一端与同层的内部电极A8相连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极28相连接。因此，内部电极A8通过引出电极B8而与端子电极28电连接，与端子电极28成为同极、即正极。虚拟电极D81～D83分别与正极的端子电极22、24、26相连接，与同层的内部电极A8的关系来看成为同极。
电极层121～128的基本结构如以上说明。详细结构以电极层121为例进行说明如下。
图4是图2所示的截面，放大表示电极层121、122的附近部分的图。若参照图4，电极层121的引出电极B1与同层的内部电极A1形成一体。
再者，引出电极B1在陶瓷基体1的侧面101附近，形成为比内部电极A1厚。详细情况是引出电极B1的层厚t3比内部电极A1的层厚t1大。引出电极B1的层厚t3是指在陶瓷基体1的侧面101附近观看时的层厚，内部电极A1的层厚t1是指承担作为静电电容电极的功能的实质部分的层厚。
引出电极B1的层厚t3，考虑内部电极A1的层厚t1和在内部电极之间观看的陶瓷层的层厚t5等来决定。层厚t3理想的范围是t1＜t3＜t5 ……(1)更理想的范围是1.5×t1≤t3≤0.9×t5 ……(2)以数值为例，当内部电极A1的层厚t1为2μm，从内部电极间来看的陶瓷层的厚度t5为6μm时，引出电极B 1的层厚t3可以形成4μm。
以下，对于电极层122～128的内部电极A2～A8和引出电极B2～B8，也可以采用与电极层121的这些相同的结构。
再参照图2继续说明。在陶瓷基体1的第一外层部分11中具有虚拟电极层111～11n。同样，在第二外层部分13中具有虚拟电极层131～13n。这些虚拟电极层例如由Ni等构成，夹着陶瓷层而层叠。以下代表性地说明第一外层部分11的虚拟电极层111～11n。
图5是表示虚拟电极层111～11n的结构的模式图。首先，说明虚拟电极层111。虚拟电极层111包括外层虚拟电极E11～E14，外层虚拟电极E11～E14的一端分别被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极21～28中被选择的端子电极相连接。详细地，外层虚拟电极E11、E12被导出到陶瓷基体的一侧面，分别与正极的端子电极22、24相连接，外层虚拟电极E13、E14被导出到陶瓷基体的另一侧面，分别与正极的端子电极26、28相连接。
以下，说明虚拟电极层112。虚拟电极层112包括外层虚拟电极E21～E24，外层虚拟电极E21～E24各自的一端被导出到陶瓷基体的侧面，与端子电极21～28中被选择的端子电极相连接。详细地，外层虚拟电极E21、E22被导出到陶瓷基体的一侧面，分别与负极的端子电极21、23相连接，外层虚拟电极E23、E24被导出到陶瓷基体的另一侧面，分别与负极的端子电极25、27相连接。
以下对虚拟电极层113～11n也可以采用同样的结构。例如在虚拟电极层113～11n中，奇数参考编号层可以采用与虚拟电极层111相同的结构，偶数参考编号层可以采用与虚拟电极层112相同的结构。
并且，第二外层部分13的虚拟电极层131～13n也可以采用和第一外层部分11的虚拟电极层111～11n相同的结构。例如，虚拟电极层131～13n分别采用与虚拟电极层11n～111相同的结构，能够确保夹着内层部分12的电极层121～128而对称的结构。
再者，配置在第一外层部分11中的虚拟电极层的层数、以及配置在第二外层部分13中的虚拟电极层的层数分别可以取任意数。
如参照图1和图2说明的那样，本发明的多端子型层叠电容器包括陶瓷基体1、以及在陶瓷基体1内部夹着陶瓷层而层叠的多个电极层121～128。因此，能够获得多端子型层叠电容器的基本结构。
再者，如参照图3说明的那样，电极层121～128包括内部电极A1～A8和引出电极B1～B8，这些引出电极B1～B8的一端分别与同层的内部电极A1～A8相连接，另一端被导出到陶瓷基体1的侧面。因此，在陶瓷基体1的侧面形成端子电极21～28，能够提供与引出电极B1～B8的接合结构。
在本发明中，引出电极B1～B8分别形成为比同层的内部电极A1～A8厚。若采用该结构，则为实现高ESR化而减少层叠数，或者减薄内部电极A1～A8的层厚的情况下，也能够对引出电极B1～B8确保与端子电极21～28的接合结构所需的层厚。例如，参照图4，引出电极B1的层厚t3比内部电极A1的层厚t1大。因此，即使减薄内部电极1的层厚t1的情况下，也能够对引出电极B1确保与端子电极21的接合结构所需的层厚t3。
因此，能够对端子电极21～28赋予充分的接合结构，能够确保端子电极21～28与陶瓷基体1的粘接性。因此，能够防止由热冲击造成的端子电极剥离。
在图示的实施方式中，形成具有8层电极层121～128的结构。但本发明并不仅限于这种结构，电极层的层数可以取大于等于2的任意数。
再者，如参照图3说明的那样，电极层121～128包括虚拟电极D11～D83，这些虚拟电极的一端分别被导出到陶瓷基体1的侧面，与被选择的端子电极相连接。例如虚拟电极D31、D51、D71各自的一端被导出到陶瓷基体1的侧面，与端子电极21相连接。因此，对端子电极21除了赋予与引出电极B1的接合结构外，还赋予与虚拟电极D31、D51、D71的接合结构，由此，能够增大端子电极21与陶瓷基体1的粘接性。对其他端子电极22～28也是一样。
而且，虚拟电极D11～D83，与同层的内部电极的关系来看成为同极。例如虚拟电极D11～D13与同层的内部电极A1(负极)的关系来看是同极、即负极。因此，能够防止内部电极A1和虚拟电极D11～D13之间的短路故障。对其他内部电极A2～A8也是一样。
在图示的实施方式中，虚拟电极D11～D83分别形成与同层的内部电极A1～A8相同的厚度。但也可以与此不同，将虚拟电极D11～D83分别形成为比同层的内部电极A1～A8厚。若采用该结构，则即使减少高ESR化所需的层叠数、或者减薄内部电极A1～A8的层厚的情况下，也能够对虚拟电极D11～D83确保与端子电极21～28的接合结构所需的层厚，能够进一步增大端子电极21～28与陶瓷基体1的粘接性。
(多端子型层叠电容器的制造方法)接着，说明本发明的多端子型层叠电容器的制造方法的一实施方式。该实施方式涉及图1～图5所示的多端子型层叠电容器的制造方法。
图6表示本发明的多端子型层叠电容器的制造方法的一实施方式中所包括的步骤的图。图7是沿图6的7-7线的局部放大截面图。图中代表性地表示出提供给多端子层叠电容器内所设置的电极层之一(例如电极层121)的区域621。
接着，参照图6和图7，未烧结的陶瓷片(陶瓷生片ceramic greensheet)41被附着在支承体3的一面。未烧结的陶瓷片41由混合了陶瓷粉末、溶剂和粘合剂等的陶瓷浆料构成，形成一定厚度。并且，支承体3由适当的挠性塑料薄膜构成。
其次，如图6和图7所示，在未烧结的陶瓷片41上以预定图案形成内部电极层A1a、第一引出电极层B1a、和虚拟电极层D11a～D13a。在图示实施方式中，内部电极层A1a和第一引出电极层B1a形成为一体，在未烧结陶瓷片41上形成预定的厚度。并且，虚拟电极层D11a～D13a也形成与内部电极层A1a和第一引出电极层B 1a相同的厚度。这些电极层通过印刷导体浆料而形成。通过混合导体粉末、溶剂和粘合剂等而得到导体浆料。印刷方法可以举出丝网印刷法、凹版印刷法或胶版印刷法等。
而且，图中虽未表示，但在区域621的周围还有提供给他电极层(例如电极层122～128)的区域，在这些区域内也同样地形成内部电极层A2a～A8a、第一引出电极层B2a～B8a和虚拟电极层D21a～D83a。
接着，如图8所示，在第一引出电极层B1a上形成第二引出电极层B1b。第二引出电极层B1b以与第一引出电极层B1a相同形状的图案来形成，在第一引出电极层B1a上形成预定的厚度。第二引出电极层B1b与内部电极层A1a及第一引出电极层B1a一样，通过印刷导体浆料而形成，在图示的实施方式中，第二引出电极层B1b由单一层构成。与此不同，第二引出电极层也可以由多层来构成，该结构的第二引出电极层通过多次重复导体浆料的印刷而得到。
以下，如图9所示，在内部电极层A1a上形成台阶吸收层43。台阶吸收层43承担吸收内部电极层A1a和第二引出电极层B1b之间产生的台阶的功能。在图示的实施方式中，在未烧结陶瓷片41上的区域621内，在没有设置内部电极层A1a、第一引出电极层B1a和虚拟电极层D11a～D13a的空白区域内也形成台阶吸收层43，还承担吸收空白区域和第二引出电极层B1b之间产生的台阶的功能。最好是台阶吸收层43的表面与第二引出电极层B1b的表面形成为相同高度位置。台阶吸收层43基本上由与未烧结陶瓷片41相同结构的陶瓷浆料来构成。
接着，如图10所示，将形成了内部电极A1a、第一、第二引出电极层B1a、B1b和台阶吸收层43的未烧结陶瓷片41作为单位层521～528而构成层叠体。在图示的实施方式中，除了这些单位层521～528外，还将形成了外层虚拟电极层E1a的未烧结陶瓷片42作为外层单位层511～51n、531～53n构成层叠体。在图示的实施方式中，用于构成层叠体的方法，采用将外层单位层511～51n、单位层521～528以及外层单位层531～53n层叠在层叠台7上的方法，但并不仅限于该方法。例如也可以采用在挠性支承体上仅重复所需次数的的陶瓷生片(未烧结陶瓷片)的形成工序和电极层的印刷工序等的方法。
对这样制成的薄片层叠体进行加压后，若截断为单基片区域，则得到层叠生基片(green chip)。再进行脱粘合剂、烧结和端子电极形成等工序，则可以得到图1～图5所示的多端子型层叠电容器。
在本发明的多端子型层叠电容器的制造方法中，如图6和图7所示，在未烧结陶瓷片41上形成内部电极层A1a和第一引出电极层B1a之后，如图8所示，在第一引出电极层B1a上形成第二引出电极B1b。因此，能够得到具有内部电极、以及形成为比同层的内部电极厚的引出电极的基本结构。
然后，如图10所示，形成了内部电极A1a、第一、第二引出电极层B1a、B1b的未烧结陶瓷片41作为单位层521～528来构成层叠体。因此，能够构成本发明的多端子型层叠电容器。详细地，单位层521～528构成图2所示的陶瓷基体1的内层部分12，外层单位体511～51n、531～53n构成陶瓷基体1的外层部分11、13。
图示的实施方式的情况下，如图9所示，在内部电极层A1a上形成由陶瓷浆料构成的台阶吸收层43。然后，如图10所示，将形成了内部电极层A1a、第一、第二引出电极层B1a、B1b和台阶吸收层43的未烧结陶瓷片41作为单位层521～528来构成层叠体。若采用该台阶吸收层43，则能够吸收内部电极层A1a和第二引出电极层B1b之间产生的台阶。
在图9所示的结构中，台阶吸收层43的表面形成为与第二引出电极层B1b的表面成为相同高度位置。但并不仅限于该结构。很明显，关于这一点，例如即使台阶吸收层的表面的高度位置比第二引出电极层的表面低，也能够获得消除台阶的效果。
权利要求
1.一种多端子型层叠电容器，其中包括陶瓷基体；以及多个电极层，在陶瓷基体内部夹着陶瓷层而层叠，其特征在于，上述电极层分别包括内部电极和引出电极；上述引出电极的一端与同层的内部电极连接，另一端被导出到陶瓷基体的侧面，并形成为比上述同层的内部电极厚。
2.如权利要求1所述的多端子型层叠电容器，其特征在于，上述引出电极在陶瓷基体的侧面附近形成为比上述同层的内部电极厚。
3.如权利要求1所述的多端子型层叠电容器，其特征在于，还包括设置在陶瓷基体的侧面的端子电极，上述引出电极中的至少一个的另一端与端子电极相连接着。
4.如权利要求1所述的多端子型层叠电容器，其特征在于，上述电极层还包括虚拟电极，上述虚拟电极与同层的内部电极和引出电极隔开间隔配置，一端被导出到陶瓷基体的侧面。
5.如权利要求4所述的多端子型层叠电容器，其特征在于，在上述电极层的至少一层中，上述虚拟电极与同层的内部电极的关系来看成为同极。
6.如权利要求1所述的多端子型层叠电容器，其特征在于上述陶瓷基体具有内层部分，具有夹着陶瓷层而层叠的上述电极层；以及外层部分，从上述内层部分来看位于外层，在上述外层部分具有虚拟电极层，上述虚拟电极层包括外层虚拟电极，上述外层虚拟电极的一端被导出到陶瓷基体的侧面。
7.一种多端子型层叠电容器的制造方法，其特征在于，在未烧结陶瓷片上形成内部电极层和第一引出电极层，在上述第一引出电极层上形成第二引出电极层，将形成了内部电极层和第一引出电极层、第二引出电极层的上述未烧结陶瓷片作为单位层来构成层叠体。
8.如权利要求7所述的多端子型层叠电容器的制造方法，其特征在于，上述第二引出电极层由多层构成。
9.如权利要求7所述的多端子型层叠电容器的制造方法，其特征在于，在上述内部电极层上形成由陶瓷浆料构成的台阶吸收层，然后，将形成了内部电极层、第一引出电极层、第二引出电极层和台阶吸收层的上述未烧结陶瓷片作为单位层来构成层叠体。
10.如权利要求7所述的多端子型层叠电容器的制造方法，其特征在于，在未烧结的陶瓷片上，与上述内部电极层和上述第一引出电极层一起形成虚拟电极层。
全文摘要
本发明的电极层(121～128)在陶瓷基体1的内部夹着陶瓷层被层叠。电极层(121～128)各自包括内部电极A1～A8和引出电极B1～B8。若对电极层121进行说明，则引出电极(B1)的一端与同层的内部电极(A1)相连接；另一端被导出到陶瓷基体(1)的侧面，并且，引出电极(B1)形成为比同层的内部电极(A1)厚。
文档编号H01G4/12GK1832069SQ20061005474
公开日2006年9月13日 申请日期2006年3月10日 优先权日2005年3月10日
发明者奥山博 申请人:Tdk株式会社