专利名称：去除芯片外保护层的装置及方法
技术领域：
本发明涉及半导体制程用的装置和方法，特别是涉及去除DRAM等 产品表面的聚酰亚胺外保护层的装置和方法。
背景技术：
目前，扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)和聚焦 离子束(Focused Ion Beam, FIB)已成为半导体工厂品质监测和制样不可或 缺的常规工具。
为了防止射线等外在的损伤，在DRAM等产品的表面通常有一层外 保护层，如聚酰亚胺层。在使用FIB和SEM观察和制作DRAM等产品的 样品时，由于产品表面有很厚的聚酰亚胺(polyimide)覆盖层很难去掉，而 该聚酰亚胺覆盖层会引起电荷累积效应(Charging effect)使得样品观测变 得困难。为了减小由于聚酰亚胺带来的电荷累积问题，通常在用FIB制样 前要去除样品表面的聚酰亚胺覆盖层。
现在所使用去除样品表面的聚酰亚胺外保护层的方法主要是用反应 离子蚀刻(Reactive Ion Beam, RIE)去除，这种去除方法需要的时间很长， 在用RIE去除聚酰亚胺后，机台需要很长时间做自清洁，使得成本提升。
发明内容
本发明的要解决的技术问题是提供一种去除芯片外保护层的装置和 方法。
本发明的去除芯片外保护层的装置，包括 样品台，用于放置样品和设置组件； 在样品台上有一凹槽，用于容置样品；
一固定轴，至少部分带有罗纹，设置于样品台上凹槽的一侧； 一滑道设置于样品台上与固定轴相对的一侧；
刮取部件，包括一套筒、刮片、手柄，其中刮片的一端与套筒连接， 另一端与手柄连接，套筒以可相对旋转地与固定轴连接，手柄下端设置在 滑道上可沿滑道移动；
高度调节部件，包括套筒，内有罗纹与固定轴上的罗纹相配合，顶部 有高度调节手柄，与高度调节套筒连接。
根据本发明，所述的芯片外保护层为聚酰胺覆盖层。
根据本发明的刮片材质可以是不锈钢等金属材料。其他部件的材质没 有特别限定。刮片的形状可以是任何形状，只要刮片的刀刃与套筒垂直即 可，优选为直角三角形。
根据本发明的凹槽内通常设置有缓冲垫，所述的缓冲垫，优选为硅橡胶。
本发明的去除芯片外保护层的方法，包括如下步骤
a) 将样品放入样品台的凹槽中；
b) 将刮取部件的套筒套在固定轴上，手柄放在滑道上； C)装上高度调节部件；
d) 旋动高度调节部件，使得刮片与样品台紧密接触；
e) 拉动手柄使刮片在样品表面刮动，从而去除样品表面的外保护层。 本发明的方法通过简单操作装置，很容易地将样品表面的聚酰亚胺去除。
本发明的装置使用起来，方便灵活，操作简便，效果明显。 本发明的方法和装置可以节约成本，与反应离子刻蚀(RIE)去除聚
酰亚胺覆盖层相比大大节省了成本。
本发明的方法可以节约时间，用反应离子刻蚀需要40分钟，现在可
节约30分钟左右。
下面的附图有助于说明和理解本发明的特征，其中某些实施例在附图 中示出。然而需要注意的是，附图只是说明本发明的典型实施例，因此不 应被认为是对其范围的限制，本发明可允许更多其它等效实施例。
图1是本发明的去除芯片表面的聚酰亚胺外保护层的装置的整体示意
图。
图2是将芯片样品放入样品台的凹槽中后的示意图。 图3是将刮片套入旋转轴后的示意图。
图4是将手柄放入滑道，旋动高度调节器，使得刀片与样品紧密接触 后的示意图。
图5是拉动手柄使得刮片在样品表面滑动，从而去除样品表面的聚酰 亚胺后的示意图。
附图标记说明 1样品台 2 凹槽
3滑道 4 套筒 5刮片 51刀刃
6 高度调节部件 61高度调节套筒 62高度调节手柄
7 样品
8 手柄
9固定轴 10缓冲垫
具体实施例方式
下面通过具体实施方式
，较详细介绍本发明的去除芯片外保护层的装 置和用该装置去除芯片外保护层的方法。
根据本发明的一个实施例，如图1所示，去除芯片外保护层聚酰亚胺 的装置，包括带有凹槽2和滑道3的样品台1，固定轴9垂直固定于样 品台1上凹槽2的一侧、滑道3的对侧，由套筒4、刮片5、手柄8构成 的刮取部件以及由高度调节套筒61、高度调节手柄62构成的高度调节部
6件6。
在刮片5移动的扇形区域内，刮片5可以全部刮过样品7表面。只要 刮片5的刀刃51与样品台1自然接触且与样品台1的水平面平行，并可 与套筒4固定连接，则刮片5可以是任何形状。
其刀刃51呈一直角边，与套筒4连接之处呈另一直角边，刀刃51直 角边与斜边的顶点处与手柄8的适宜部分连接，连接方式可以是活动的， 也可以是固定的，在未工作时刀刃51与样品台1自然接触，手柄8可在 滑道3上移动。
在放置样品的凹槽2内设置有缓冲垫10，在本实施例中缓冲垫为硅橡 胶所制。
本发明的去除芯片外保护层的装置的工作过程以及去除芯片外保护 层的方法如下
如图2所示，首先将适宜的硅橡胶制的缓冲垫10放置于样品台1上 的凹槽2内；并将准备好的表面覆盖有聚酰亚胺的芯片样品7放在凹槽2 内的硅橡胶制的缓冲垫10上；
然后如图3所示，将刮取部件的套筒4套在固定轴9上，并将手柄8 置于滑道3上的一端，使刮片5的刀刃51水平地接触到样品台1，将刮片 移动到样品边缘刚接触样品；
再如图4所示，将高度调节部件6装在固定轴9上刮取部件的套筒4 的上方，并通过向一方向旋转高度调节手柄62使高度调节套筒61向下压 紧刮取部件的套筒4，使刮片5的刀刃51紧密接触样品；
然后如图5所示，按住手柄8滑向滑道另一端，使刮片刮过样品表面， 就可以将芯片样品表面的聚酰亚胺外保护层均匀地刮掉了。
本发明的装置简单，易于操作，通过本发明的方法去除芯片样品表面 的聚酰亚胺覆盖层可以节省时间，用原来的反应离子束(RIE)需要40分 钟，而用本发明的装置和方法可节约30分钟左右。
虽然前面所述是针对本发明的实施例，但在不背离本发明的基本构思 范围的情况下可以设计出本发明的其它及进一步的实施例，并且其保护范 围是由权利要求的范围决定。
权利要求
1.一种去除芯片外保护层的装置，包括样品台，用于放置样品和设置组件；在样品台上有一凹槽，用于容置样品；一固定轴，至少部分带有罗纹，设置于样品台上凹槽的一侧；一滑道设置于样品台上与固定轴相对的一侧；刮取部件，包括一套筒、刮片、手柄，其中刮片的一端与套筒连接，另一端与手柄连接，套筒以可相对旋转地与固定轴连接，手柄下端设置在滑道上可沿滑道移动；高度调节部件，包括套筒，内有罗纹与固定轴上的罗纹相配合，顶部有高度调节手柄，与高度调节套筒连接。
2. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于 为聚酰胺覆盖层。
3. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于 属材料，如不锈钢。
4. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于 角形。
5. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于 缓冲垫。
6. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于 胶材料制成。
7. —种去除外保护层的方法，包括a) 将样品放入样品台的凹槽中；b) 将刮取部件的套筒套在固定轴上，手柄放在滑道上； C)装上高度调节部件；d) 旋动高度调节部件，使得刮片与样品台紧密接触；e) 拉动手柄使刮片在样品表面刮动，从而去除样品表面的外保护层。
8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述的样品下面放置 缓冲垫。,所述的芯片外保护层 ，所述的刮片材质是金 ，所述的刮片是直角三 ，所述的凹槽内设置有 ，所述的缓冲垫是硅橡
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述的缓冲垫是硅橡 胶材料制成。
全文摘要
一种去除芯片外保护层的装置，包括带有凹槽和滑道的样品台，固定轴固定于样品台上凹槽的一侧及滑道的对侧，由套筒、刮片、手柄构成的刮取部件以及由高度调节套筒、高度调节手柄构成的高度调节部件。通过先放置样品于凹槽中，装上刮取部件和高度调节部件，使刮片的刀刃紧密接触样品，即可刮取样品表面的外保护层。本发明的装置和方法简单、易于操作，可以节省时间和成本。
文档编号H01L21/00GK101192506SQ20061011850
公开日2008年6月4日 申请日期2006年11月20日 优先权日2006年11月20日
发明者晶 周, 季春葵, 梁山安, 赵燕丽 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司