专利名称：半导体分离器件外壳封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体分离器件方形功率金属外壳封装结构，尤其涉及一种应用于替代半导体分离器件大功率B2-OIB、 B2-01C型(SJ2849-88、 SJ2852-88标准)金属外壳封装结构。
技术背景目前，半导体分离器件大功率金属外壳封装结构为B2-OIB-Z、 B2-01C-Z型(SJ2849-88、 SJ2852-88标准)。其外壳由两部分组 成，底座外形为菱形结构，帽体为圆形结构。底座与帽体封装时 不便于批量封装生产，只能单体一只一只封装；底座与帽体封装 后在线路板上安装时占用面积较大，散热性不均匀，不便于在线 路板上设计安装位覽。诸城巿电子封装有限责任公司为了解决这 些金属外壳封装结构先天性不足，参考国外一种类似方形金属外 壳封装产品进行设计。国外这种类似方形金属外壳封装产品腔体 外观呈倒梯形，为一次冲压成型后与底板烧结而成。由于这种外 壳封装产品底面与底板接触面积小，又有冲制底面，造成使用过 程中热量的传导产生一定的阻滞，而影响芯片工作过程产生热量 的传导。因为外壳设计先天性原因从而限制了产品的功率耗散， 而致器件失效和性能恶化其中的一个主要原因是输出面因过热而 烧毁芯片，芯片寿命受到工作温度的严重影响。 发明内容
本实用新型目的在于提供一种减小器件外壳占用面积，减少 体积，提高散热均匀性，提高外壳耗散功率、便于批量封装生产 半导体分离器件方形功率金属外壳的结构。为了实现本实用新型的目的，本实用新型在底板上设有框架， 在框架的一侧壁上设有伸入到框架内部并固定在框架上的引线， 在框架的空腔中设有与底板连接的金属片或陶瓷片。所述框架的宽度与底板宽度相等，长度小于底板，其中框架 的一端与底板一端齐平。所述框架空腔中的陶瓷片，在其上表面可设置1或多片金属片。该组合结构经过机械加工成型一底板、 一框架、 一陶瓷片、 一组钼片(一片至二片钼片)、 一组引线(五只引线)后进行高温烧结，高温烧结过程通过控制温度使其达到符合和优于B2-01B、 B2-01C (SJ2849-88、 SJ2852-88标准)性能、指标的半导体分立 器件方形功率金属外壳的结构，达到了减小器件外壳占用面积， 减少体积，提高散热均匀性，提高外壳耗散功率、便于批量封装 生产半导体分离器件方形功率金属外壳的结构。
现结合附图对本实用新型作进一步的说明 图1为本实用新型主剖视图 图2为本实用新型俯视图 图3位本实用新型左视图图中1、底板2、框架3、引线4、陶瓷片5、钼片
6、圆形孔具体实施方式
如图1、图2、图3所示，本实用新型在底板1上设有框架2， 在框架2的一侧壁上设有伸入到框架2内部并固定在框架上的引 线3，在框架2的空腔中设有与底板1连接的陶瓷片4;所述框架 2，设有引线一端侧壁的壁厚大于其它端侧壁的壁厚。所述框架2 的宽度与底板l宽度相等，长度小于底板，其中框架2的一端与 底板一端齐平。所述框架2空腔中的陶瓷片4，在其上表面可设置 l或2片钼片5。该组合结构经过机械加工成型一铜或铁镍合金底板1、 一铁镍 合金框架2、 一陶瓷片4、 一组钼片5 (—片至二片钼片)、 一组铁 镍钴合金或铁镍合金引线3 (五只引线)后进行二次高温烧结。一 次高温烧结将引线3烧结在金属框架2上，二次高温烧结将一次 烧结完成的框架2与底板1、陶瓷片4和钼片5烧结在一起，烧结 过程通过控制温度使其达到符合和优于B2-OIB、 B2-01C (S扉9-88、 SJ2852-88标准)性能、指标的半导体分离器件方 形功率金属外売封装结构。组合结构屮框架烧结前称框架当烧结 在底板上后称为腔体，组合结构的组件烧结在一起成一体后称半 导体分离器件方形功率金属外壳封装结构。T0-253型金属外壳封装结构有两种形式金属外壳。 一种为腔体内只烧结陶瓷片没有钼片，另一种为腔体内既烧结陶瓷片又烧 结钼片。T0-253型金属外壳外观尺寸20.8X17.5X6. 1 6. 5 mm，腔体
外观尺寸17.5X13.8咖，腔体烧结引线的端面厚度为1.8mm，不 烧结引线的端面厚度为1.2mm。TO-253型金属外壳设计腔体上有5只引线。5只引线在框架上 引线出头；引线出头有两种形式， 一种接地钼片和一种不接地钼 片。T0-253型金属外壳外观设计封装用盖板一种为与框架相等宽 的冲压平面金属盖板， 一种为经冲压成凸台的金属盖板。
权利要求1、半导体分离器件外壳封装结构，其特征在于在底板上设有框架，在框架的一侧壁上设有引线，在框架的空腔中设有与底板连接的金属片或陶瓷片；所述框架，设有引线一端侧壁的壁厚大于其它端侧壁的壁厚。
2、 根据权利要求1所述的半导体分离器件外壳封装结构，其 特征在于所述框架的宽度与底板宽度相等，长度小于底板，其 中框架的一端与底板一端齐平。
3、 根据权利要求l所述的半导体分离器件外壳封装结构，其 特征在于所述引线为多只，其中部分引线深入到框架空腔内部， 也可不延伸至框架空腔。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体分离器件外壳封装结构，本实用新型在底板上设有框架，在框架的一侧壁上设有伸入到框架内部并固定在框架上的引线，在框架的空腔中设有与底板连接的陶瓷片；所述框架，设有引线一端侧壁的壁厚大于其它端侧壁的壁厚。通过以上设置，本实用新型达到了减小器件外壳占用面积，减少体积，提高散热均匀性，提高外壳耗散功率，便于批量封装生产半导体分离器件方形功率金属外壳的结构，可广泛应用于电子封装领域。
文档编号H01L23/02GK201051496SQ200620011249
公开日2008年4月23日 申请日期2006年10月27日 优先权日2006年10月27日
发明者封煜新 申请人:封煜新