陶瓷粉末及使用它的导电糊、层叠陶瓷电子部件、其制法的制作方法

专利名称：陶瓷粉末及使用它的导电糊、层叠陶瓷电子部件、其制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及在电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件中，作为共材向内部电极层添加的陶瓷粉末，特别涉及在改善层叠陶瓷电子部件的绝缘性方面有用的陶瓷粉末。进一步，涉及使用所述陶瓷粉末的导电糊、层叠陶瓷电子部件及其制造方法。
背景技术：
例如，作为层叠陶瓷电子部件之一的层叠陶瓷电容具有多个电介质陶瓷层与内部电极层交替层叠的结构，作为小型、大容量、高可靠性的电子部件而被广泛应用。在1台电子仪器中使用多个层叠陶瓷电容的情况也为数不少。
近年，随着电子仪器的小型化或高性能化不断发展，对于层叠陶瓷电容中更加小型化或大容量化、低价格化、高可靠性化等的要求也越来越高。所以，与此相应，例如为了实现层叠陶瓷电容的小型化、大容量化，而需要对电介质陶瓷层薄层化，增加层叠数。如果使构成层叠陶瓷电容的电介质陶瓷层薄层化、增加层叠数，则能够实现所述的小型化或大容量化。
然而，考虑到所述电介质陶瓷层薄层化或层叠数增加时，使用以Pd等贵金属为主成分的内部电极用导电糊形成内部电极层，在例如制造成本方面是不利的。使用以Pd等贵金属为主成分的内部电极用导电糊形成内部电极层的话，随着层叠数的增加，电极形成成本显著提高。因此，对以Ni等贱金属为主成分的内部电极用导电糊进行开发，使得使用其形成内部电极层的层叠陶瓷电容等实用化。
但是，利用所述以Ni等贱金属为主成分的内部电极用导电糊形成内部电极层时，例如使电介质陶瓷层的厚度为10μm以下，或使层叠数为100层以上时，内部电极层的收缩、膨胀与电介质陶瓷层的收缩行为不同而带来的影响变得很显著，可能发生裂缝，产生制造成品率变差的问题。
为了解决这些问题，抑制烧成工序中Ni粉末的收缩是很有效的，向用于形成内部电极层的内部电极用导电糊中添加与电介质糊中所含的陶瓷粉末同种类的粉末材料作为共材(例如参照专利文献1)。通过向所述导电糊中添加共材，使导电糊的烧结起始温度接近陶瓷成形体的烧结起始温度，并且使烧结时的收缩率接近陶瓷成形体，从而抑制所述裂缝的发生。
日本专利特开2005-347288号公报发明内容发明要解决的问题但是，作为导电糊中共材的陶瓷粉末，其粒径小于作为电介质陶瓷层母体材料使用的陶瓷粉末，因此反应性高，共材之间结合而晶粒生长，发生烧结体的粒径偏差，绝缘性或高温负荷时的耐久性恶化等，可能产生无法得到期望的电气特性的问题。
本发明是鉴于所述的以往情况提出的，目的是提供在期望实现构成层叠陶瓷电子部件的电介质陶瓷层进一步薄层化或层叠数增加的情况下，能够实现绝缘性或高温负荷时的耐久性提高的陶瓷粉末和导电糊。另外，本发明的目的是，通过提供所述陶瓷粉末和导电糊，实现绝缘性或高温负荷时的耐久性优良、可靠性高的层叠陶瓷电子部件，进而目的是提供其制造方法。
解决问题的方案为了达到上述目的，本发明人等进行了长期反复深入的研究。具体讲，对于层叠陶瓷电子部件内部电极层的共材所使用的陶瓷粉末，进行了进一步的详细分析。结果发现，具有钙钛矿型晶体结构的陶瓷粉末中含有四方(Tetragonal)相和立方(Cubic)相，为了改善层叠陶瓷电子部件的绝缘性或高温负荷时的耐久性，使这些四方相和立方相的比率(重量比率)最优化是有效的。
本发明是基于这些发现而完成的。也就是说，本发明的陶瓷粉末其特征为，其为向导电糊中添加的陶瓷粉末，所述导电糊用于形成电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述内部电极层，该陶瓷粉末具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X≥2。
另外，本发明的导电糊其特征为，其为用于形成电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述内部电极层的导电糊，含有导电材料和陶瓷粉末，作为所述陶瓷粉末含有上述的陶瓷粉末。进一步，本发明的层叠陶瓷电子部件其特征为，其为电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件，所述内部电极层是由所述导电糊形成电极前体层，将所述电极前体层进行烧成而形成的；本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征为，使由电介质糊和导电糊形成的电介质生坯片和电极前体层交替层叠形成后，将其烧成而成为层叠陶瓷电子部件，作为所述导电糊使用上述导电糊。
迄今，关于作为导电糊的共材使用的陶瓷粉末，究竟使用何种陶瓷粉末，几乎没有研究。基本是使用与用于形成电介质陶瓷层的陶瓷粉末相同的物质。本发明中，对于作为所述共材使用的陶瓷粉末进行了反复研究，对其进行了最优化。
例如，具有钙钛矿型晶体结构的钛酸钡中，随着比表面积的变化，X射线衍射图谱也变化。本发明人等推测，所述X射线衍射图谱的变化是四方相与立方相的混相引起的，利用リ一トベルト(Rietveld)法对X射线衍射图谱进行多相分析(例如假定为四方相和立方相的2相的2相分析)后，与所述的推测高度一致，证实所述推测是正确的。进一步进行分析的结果是，所述四方相和立方相的比率根据钛酸钡的制造条件等而变化，这给特性带来影响。即，作为共材向内部电极层中添加的陶瓷粉末，设定四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X≥2的话，则绝缘性或高温负荷时的耐久性得到改善。
发明效果本发明中，作为原料(陶瓷粉末)的选定指标，采用的是四方相的含量Wt和立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc(＝X)。通过使用基于该指标而选择的陶瓷粉末作为内部电极层的共材，从而即使是在例如随着小型化或大容量化而使构成层叠陶瓷电子部件的电介质陶瓷层薄层化或增加层叠数时，也能够改善绝缘性或高温负荷时的耐久性，提高可靠性。


图1是表示层叠陶瓷电容的一结构例的概略截面图。
图2(a)～(e)是模式性地表示钛酸钡粉末的X射线衍射图谱的变化状态的图。这些X射线衍射图谱的2θ在44°～46°附近的范围内。
图3(a)是四方相和立方相的X线衍射图谱，(b)是假定为混相时的X射线衍射图谱。这些X射线衍射图谱的2θ在44°～46°附近的范围内。
符号说明1层叠陶瓷电容2电介质陶瓷层3内部电极层4，5 外部电极6外装电介质层具体实施方式
本发明的最佳实施方式以下，对于应用本发明的陶瓷粉末和导电糊、进而对于使用了它们的层叠陶瓷电子部件(这里是层叠陶瓷电容)及其制造方法进行详细说明。
首先，对使用本发明陶瓷粉末的层叠陶瓷电容进行说明，如图1所示，层叠陶瓷电容1中，多个电介质陶瓷层2和内部电极层3交替层叠，构成器件本体。内部电极层3按使器件本体的相向的两个端面上各侧端面交替露出来层叠，在器件本体的两侧端部上一对外部电极4，5按使其与这些内部电极层3导通而得以形成。另外，器件本体中，所述电介质陶瓷层2和内部电极层3的层叠方向的两端部分配置了外装电介质层6，该外装电介质层6主要具有保护器件本体的作用，作为非活性层得以形成。
器件本体的形状没有特别限定，通常是长方体形状。其尺寸没有特别限制，只要是根据用途而设定的尺寸即可。例如，长0.6mm～5.6mm(优选0.6mm～3.2mm)×宽0.3mm～5.0mm(优选0.3mm～1.6mm)×厚0.1mm～1.9mm(优选0.3mm～1.6mm)左右。
所述电介质陶瓷层2由电介质陶瓷组合物构成，通过电介质陶瓷组合物粉末(陶瓷粉末)烧结而形成。所述电介质陶瓷组合物为，优选是含有组成式ABO3(式中，A位置是由从Sr、Ca和Ba中选出的至少一种元素构成的，B位置是由从Ti和Zr中选出的至少一种元素构成的)表示的具有钙钛矿型晶体结构的电介质氧化物作为主成分的组合物。这里，氧(O)的量也可以与所述组成式的化学理论组成有若干偏差。所述电介质氧化物中，A位置主要由Ba构成，B位置主要由Ti构成，优选是钛酸钡。更优选，以组成式BamTiO2+m(式中，0.995≤m≤1.010，0.995≤Ba/Ti≤1.010。)表示的钛酸钡。
电介质陶瓷组合物中，除主成分外，还可以含有各种副成分。作为副成分，例如可以是从Sr、Zr、Y、Gd、Tb、Dy、V、Mo、Zn、Cd、Ti、Sn、W、Ba、Ca、Mn、Mg、Cr、Si和P的氧化物中选出的至少一种。通过添加副成分，能够使主成分的介电特性不恶化而进行低温烧成。另外，能够降低使电介质陶瓷层2薄层化时的可靠性不良，可以长寿命化。
所述电介质陶瓷层2的层叠数或厚度等各条件，只要根据用途而适当决定即可。电介质陶瓷层2的厚度是1μm～50μm左右，优选5μm以下。从实现层叠陶瓷电容的小型化、大容量化的观点考虑，电介质陶瓷层2的厚度优选为3μm以下，电介质陶瓷层2的层叠数优选为150层以上。
内部电极层3中所含的导电材料没有特别限制，例如可以使用Ni、Cu、Ni合金或Cu合金等贱金属。内部电极层3的厚度可以根据用途等适当决定，例如可以是0.5μm～5μm左右，优选1.5μm以下。
外部电极4，5中所含的导电材料也没有特别限制，通常使用Cu、Cu合金、Ni、Ni合金、Ag、Ag-Pd合金等。Cu、Cu合金、Ni和Ni合金是廉价的材料，因此是有利的。外部电极4，5的厚度可以根据用途等而适当确定，例如可以是10μm～50μm。
具有上述结构的层叠陶瓷电容1中，用于形成内部电极层3的导电糊中所含的陶瓷粉末(共材)对于特性有很大影响。本发明中，通过对作为所述共材使用的陶瓷粉末进行改善，从而改善绝缘性等。具体来讲，对具有钙钛矿型晶体结构陶瓷粉末进行粉末X射线衍射分析，对于该粉末X射线衍射的结果，利用例如Rietveld法进行多相分析，使用这样的陶瓷粉末，即，设定其四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X≥2。
以下，对于利用所述Rietveld法进行的多相分析进行说明。例如粉末X射线衍射中，从峰位置可以掌握晶格常数，从衍射谱线的面积(积分面积)可以掌握晶体结构参数(极化坐标、占有率、原子位移参数等)，从谱线的宽度可以掌握晶格变形或微晶尺寸，从混合物中各相的比例系数(尺度因子)可以掌握质量分率。粉末中子射线衍射中，进一步可以从积分强度掌握各磁性原子位的磁矩。
所述Rietveld法为，在固体物理、化学、材料化学等中，能够同时求得基本的重要物理量的通用粉末衍射数据分析技术，该方法是用于从结构方面理解多晶材料表现的物理现象或化学特性的工具。Rietveld法的重要目的在于，对晶体结构因子Fk中所含的晶体结构参数进行精密化，以粉末X射线衍射图样或粉末中子衍射图样整体为对象，直接对结构参数和晶格常数进行精密化。也就是说，按使其尽量与实测图样一致而基于近似结构模型对计算得到的衍射图样进行拟合。作为Rietveld法的突出优点，可以举出，以全分析图样作为拟合的对象，在特性X射线的情况下还考虑Kα2反射的存在，因此不仅晶体结构参数可以以高准确度和高精度求得，晶格常数也可以以高准确度和高精度求得；可以对晶格变形或微晶尺寸、混合物中的各成分含量进行定量等等。
具有钙钛矿型晶体结构的陶瓷粉末，例如钛酸钡的情况下，已知存在四方相和立方相。那么，例如随着其平均粒径(比表面积)的变化，X射线衍射图样有所变化。图2表示钛酸钡的X射线衍射图样的变化状态。钛酸钡的X射线衍射中，平均粒径大(比表面积小)的情况下，如图2(a)所示，观察到四方相的2个峰。与此相反，平均粒径逐渐变小的话(比表面积逐渐变大的话)，如图2(b)～图2(d)所示，2个峰逐渐变得不清晰，最终成为如图2(e)所示的立方相的单一峰。
这里，本发明人等，将图2(b)～图2(d)所示的状态假定为，如图3(a)和图3(b)所示的，四方相的X射线衍射图谱和立方相衍射X射线图谱重合得到的状态(即，陶瓷粉末为四方相和立方相的混相)，尝试利用Rietveld法对X射线衍射图谱进行多相分析(这里为2相)。其中，对于上述利用Rietveld法的多相分析，并不限于上述2相分析，例如也可以是3相以上的分析。
其结果，首先第一是，上述2相分析结果启示进行了精密化优良、正确的分析。这可以说支持了上述假定(是四方相和立方相的混相的假定)是正确的，从而掌握到平均粒径较小(比表面积较大)的陶瓷粉末是四方相和立方相的混相。迄今，对于钛酸钡粉末，还没有其为四方相和立方相的混相的认识。
第二，在形成层叠陶瓷电容1的内部电极层3时作为共材使用的情况下，所述四方相和立方相的比率对特性产生影响，特别是重视绝缘性或高温负荷时的耐久性的情况下，设定四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时X≥2是有利的。通过使X≥2，即使在将构成层叠陶瓷电容1的电介质陶瓷层2进行薄层化或增加层叠数的情况下，也能够改善绝缘性或高温负荷时的耐久性。
所述重量比率X，例如根据陶瓷粉末的制造条件等而变化，即使是看起来相同的X射线衍射图谱，如果实际利用所述Rietveld法进行多相分析的话，也有所述重量比率X不同的情况。这样的差异，用以往的X射线衍射分析是无法掌握的，需要通过利用所述Rietveld法进行多相分析求得其值，而选择满足所述条件的值。
对于所述四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc(X)，如上所述，X≥2成为具有钙钛矿型晶体结构的陶瓷粉末的选择基准，但该情况的前提是四方相和立方相的混相，所以不包括单独四方相的情况(X值无限大)。而且，对于所述X值，即使例如改善制造条件等，自然而然也有界限，最大为5(所以X≤5)左右。更优选X≤3.00。对于制作X＞3且比表面积SSA为10m2/g的陶瓷粉末，需要用于增多四方相的热处理和粉碎工序，这在生产成本方面是不适宜的。
本发明目的是对电介质陶瓷层2进行薄层化，并改善绝缘特性等，所以各电介质陶瓷层2的厚度优选为如上所述的3μm以下，内部电极层3的厚度优选为1.5μm以下。与此相应，内部电极层3的形成中，作为共材使用的陶瓷粉末，优选比表面积SSA为10m2/g以上。比表面积SSA为10m2/g时，平均粒径约0.1m2/g。作为共材使用的陶瓷粉末的比表面积SSA小的话(平均粒径大的话)，难以进行内部电极层3的薄层化。
如上所述，层叠陶瓷电容1中，将通过基于利用Rietveld法多相分析的原料选择方法而选择的原料(陶瓷粉末)作为形成内部电极层3时的共材，由此可以实现层叠陶瓷电容1的进一步的小型化、大容量化。下面，对于使用了所述陶瓷粉末的层叠陶瓷电容的制造方法进行说明。
在制造具有所述结构的层叠陶瓷电容时，准备烧成后成为电介质陶瓷层2的电介质生坯片，烧成后成为内部电极层3的电极前体层以及构成外装电介质层6的外装生坯片，将它们层叠，形成层叠体。
电介质生坯片可以通过调制含有陶瓷粉末的电介质糊，利用刮刀法等将其涂布在作为支持物的载片(carrier sheet)上，经干燥而形成。电介质糊是将成为母体材料的陶瓷粉末和有机赋形剂或水系赋形剂混炼而调制的。调制该电介质糊时，其平均粒径或比表面积可以根据电介质陶瓷层2的厚度进行选定。
其中，所述电介质糊的调制中使用的有机赋形剂为，将粘合剂溶解于有机溶剂中得到的物质。有机赋形剂中使用的粘合剂没有特别限制，可以从乙基纤维素、聚乙烯醇丁缩醛等通常的各种粘合剂中适当选择。另外，有机赋形剂中使用的有机溶剂也没有特别限定，可以从萜品醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各种有机溶剂中适当选择。水系赋形剂为，将水溶性粘合剂或分散剂溶解于水中得到的物质，作为水溶性粘合剂，没有特别限定，例如可以使用聚乙烯醇、纤维素、水溶性丙烯酸树脂等。
另外，通过将含有导电材料的导电糊印刷于所述电介质生坯片的规定区域，形成电极前体层。导电糊是将导电材料或共材(陶瓷粉末)与有机赋形剂混炼而调制的。作为所述共材，使用满足前面说明的条件(即，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为2以上)的陶瓷粉末。
形成层叠体后，进行脱粘合剂处理、烧成，以及用于使电介质陶瓷层2和外装电介质层6再氧化的热处理，得到烧结体(器件本体)。用于脱粘合剂处理、烧成和再氧化的热处理，可以将这些处理连续进行，也可以各自独立进行。
脱粘合剂处理可以在通常的条件下进行，但内部电极层3的导电材料中使用Ni、Ni合金等贱金属的情况下，优选在如下条件下进行。即，使升温速度为5～300℃/小时，特别为10～50℃/小时；保持温度为200～400℃，特别为250～340℃，保持时间为0.5～20小时，特别为1～10小时；氛围气为加湿的N2和H2的混合气体。
烧成条件优选是，使升温速度为50～500℃/小时，特别为200～300℃/小时，保持温度为1100～1300℃，特别为1150～1250℃，保持时间为0.5～8小时，特别为1～3小时，氛围气为加湿的N2和H2的混合气体。
烧成时，氛围气中的氧分压优选是10-2Pa以下。氧分压超出上述范围时，内部电极层3可能会氧化。但是，氧分压过低时，发生电极材料的异常烧结，内部电极层3有中断的倾向。所以，烧成氛围气的氧分压优选是10-2Pa～10-8Pa。
烧成后的热处理是，使保持温度或最高温度通常在1000℃以上，优选在1000～1100℃范围内进行。所述保持温度或最高温度小于1000℃时，电介质材料的氧化不充分，因此有绝缘电阻寿命变短的倾向，超过1100℃时，内部电极层3中的导电材料(Ni)氧化，可能发生对层叠陶瓷电容的容量或寿命带来不良影响。
使所述热处理的氛围气的氧分压高于烧成，优选为10-3Pa～1Pa，更优选10-2Pa～1Pa。所述热处理的氛围气的氧分压小于所述范围时，电介质层的再氧化变得困难，反之，超过所述范围时，内部电极层3可能氧化。所述热处理的条件为，使保持时间为0～6小时，特别为2～5小时，冷却速度为50～500℃/小时，特别为100～300℃/小时，氛围气为加湿的N2气体等。
最后，在作为得到的烧结体的器件本体上形成外部电极4，5，得到图1所示的层叠陶瓷电容1。外部电极4，5可以例如通过滚磨或喷砂等对烧结体的端面进行研磨后，通过烧附外部电极用涂料而得以形成。
实施例以下，基于实验结果，对应用本发明的具体实施例进行说明。
XRD(粉末X射线衍射)测定粉末X射线衍射(XRD)测定是使用粉末X射线衍射装置(リガク社制，商品名Rint2000)进行的(测定范围2θ＝10°～130°)，得到Rietveld分析用的XRD谱线数据。这时，按照使步宽为0.01°，最大峰脉冲数为约10000脉冲数来设定电流、电压，进行测定。
Rietveld分析对于得到的XRD谱线，使用Rietveld分析用软件RIETAN-2000(Rev.2.4.1)(windows用)进行分析。求各相的质量分率时，通过修正微吸收(Microabsorption)而求得质量分率。
关于Rietveld法多相分析的可靠性的研究对于具有钙钛矿型晶体结构的钛酸钡粉末(比表面积SSA 6.16m2/g，利用扫描型电子显微镜SEM得到的平均粒径0.16μm)，尝试利用Rietveld法进行分析。作为Rietveld分析，有四方相(正方晶)单相的分析、立方相(立方晶)单相的分析、四方相(正方晶)+立方相(立方晶)的2相的分析三种。各分析的可靠性因子如表1所示。
表1

用于评价Rietveld分析的进展情况或观测强度和计算强度的一致程度的指标中，最重要的R因子是Rwp。但是，由于Rwp受到衍射强度或背底强度的影响，因此，用于将等价于统计学上预想的最小Rwp的Re和Rwp进行比较的指标S值(＝Rwp/Re)，作为表示分析拟合优异性的实质性尺度而发挥作用。S＝1意味着精密化是完善的，S小于1.3的话，作为应该满足的分析结果也是可以的。以这样的观点看表1的话，以正方晶和立方晶的2相进行分析的结果的s值为1.3以下，比单相分析时的s值小，因而可知，认为所分析的陶瓷粉末是正方晶和立方晶的2相的想法更为妥当。
关于陶瓷粉末的四方相含量Wt和立方相含量Wc的重量比率Wt/Wc(＝X)的研究使用各种陶瓷粉末(钛酸钡粉末)，按照上述的制造方法，制作层叠陶瓷电容(实施例1～4，比较例1、2)。制作的层叠陶瓷电容的尺寸为1.0mm×0.5mm×0.5mm，电介质陶瓷层的层叠数为160，电介质陶瓷层每层的厚度为1.6μm，内部电极层的厚度为1.0μm。形成内部电极层时所使用的导电糊中所含的陶瓷粉末(共材)的比表面积SSA、由扫描电子显微镜计测的平均粒径(SEM粒径)、四方相的含量Wt、立方相含量Wc、它们的重量比率Wt/Wc(＝X)、烧结体的粒径、粒径的偏差(标准偏差)σ、制作的层叠陶瓷电容的IR(绝缘电阻)不良率、IR寿命如表2所示。
表2

表2中，将烧结体的粒径偏差σ＜0.10、IR不良率＜50/1000、IR寿命＞100判定为良好的话，作为共材使用的陶瓷粉末中，以四方相和立方相的重量比率Wt/Wc(＝X)≥2，对各项目判定为良好。与此相反，所述重量比率Wt/Wc小于2时，则所有的特性都不充分。
权利要求
1.陶瓷粉末，其特征在于，其为向导电糊中添加的陶瓷粉末，所述导电糊用于形成电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述内部电极层；具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为X时，X≥2。
2.根据权利要求1所述的陶瓷粉末，其特征在于，所述四方相的含量Wt与立方相的含量Wc是通过Rietveld法多相分析求得的值。
3.根据权利要求1或2所述的陶瓷粉末，其特征在于，比表面积为10m2/g以上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的陶瓷粉末，其特征在于，以钛酸钡粉末作为主成分。
5.导电糊，其特征在于，其用于形成电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件的所述内部电极层，含有导电材料和陶瓷粉末，作为所述陶瓷粉末，含有权利要求1至4中的任一项所述的陶瓷粉末。
6.根据权利要求5所述的导电糊，其特征在于，所述导电材料以贱金属作为主成分。
7.根据权利要求6所述的导电糊，其特征在于，所述贱金属为Ni。
8.层叠陶瓷电子部件，其特征在于，其为电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件，所述内部电极层是由权利要求5至7中的任一项所述的导电糊形成电极前体层，将该电极前体层烧成而形成的。
9.根据权利要求8所述的层叠陶瓷电子部件，其特征在于，所述层叠陶瓷电子部件是层叠陶瓷电容。
10.层叠陶瓷电子部件的制造方法，其特征在于，使由电介质糊和导电糊形成的电介质生坯片和电极前体层交替层叠形成后，将其烧成而成为层叠陶瓷电子部件，作为所述导电糊使用权利要求5至7中的任一项所述的导电糊。
全文摘要
本发明的目的是提供一种实现绝缘性或高温负荷时的耐久性的改善，且可靠性高的层叠陶瓷电子部件。为此，在电介质陶瓷层和内部电极层交替层叠的层叠陶瓷电子部件中，作为向用于形成内部电极层的导电糊中添加的陶瓷粉末，使用如下陶瓷粉末，即具有钙钛矿型晶体结构，四方相的含量Wt与立方相的含量Wc的重量比率Wt/Wc为2以上。四方相与立方相的重量比Wt/Wc是通过Rietveld法多相分析求得的。陶瓷粉末例如可以是钛酸钡。
文档编号H01B1/16GK101034598SQ200710086020
公开日2007年9月12日 申请日期2007年3月7日 优先权日2006年3月10日
发明者原治也, 渡边康夫, 佐藤阳 申请人:Tdk株式会社