专利名称：基板处理装置、基板吸附方法和存储介质的制作方法
技术领域：
本发明涉及基板处理装置，基板吸附方法和存储介质，特别是涉及具有吸附基板的静电卡盘的基板处理装置。
背景技术：
对作为基板的晶片进行等离子体处理，例如进行蚀刻处理的基板处理装置具有收容晶片的收容室，和配置在该收容室内，载置晶片的载置台。该基板处理装置在收容室内产生等离子体，利用该等离子体对晶片进行蚀刻处理。
载置台在其上部具有由在内部有电极板的绝缘性部件构成的静电卡盘，晶片载置在静电卡盘上。当对晶片进行蚀刻处理时，将直流电压加在电极板上，利用由该直流电压产生的库仑力或Johnsen-Rahbek力，静电卡盘吸附晶片。
通常，作为静电卡盘有内部具有2个以上的电极板的双极型和内部具有一个电极板的单极型。双极型的静电卡盘通常在2个以上的电极板之间赋予电位差吸附晶片(例如，参照专利文献1和2)，单极型的静电卡盘通过在电极板和晶片之间赋予电位差吸附晶片。
日本特开平5-190654号公报[专利文献2]日本特开平10-270539号公报然而，在静电卡盘吸附晶片时，当将过剩的正的直流电压施加在电极板上时，从包围被吸附的晶片的周边边缘部(edging)或静电卡盘的周围配置的聚焦环，产生为局部的直流放电的电弧放电。在电弧放电时，由于能量集中在放电目的地例如收容室的内壁面上，附着在收容室内壁面上的堆积物剥离飞散，成为颗粒。该颗粒附着在晶片表面，成为由晶片制造的半导体器件缺陷的原因。
发明内容
本发明的目的在于提供可防止颗粒附着在基板表面上的基板处理装置，基板吸附方法和存储介质。
为了达到上述目的，本发明第一方面所述的基板处理装置，对基板进行处理，其特征在于，具有收容上述基板的收容室和配置在该收容室内并且载置上述基板的载置台，在该载置台的上部有由内部具有电极板的绝缘性部件构成的静电卡盘，上述电极板与直流电源连接，当上述静电卡盘吸附上述基板时，上述直流电源向上述电极板施加负电压。
本发明的第二方面的基板处理装置，其特征在于，在上述第一方面所述的基板处理装置中，当上述静电卡盘使上述基板脱离时，上述直流电源向上述电极板施加正电压，上述正电压的值在1500V以下。
本发明的第三方面的基板处理装置，其特征在于，在上述第一方面所述的基板处理装置中，上述载置台与高频电源连接，在上述直流电源向上述电极板施加上述负电压之前，上述高频电源向上述载置台施加高频电力。
本发明的第四方面的基板处理装置，其特征在于，在上述第二方面所述的基板处理装置中，上述载置台与高频电源连接，在上述直流电源向上述电极板施加上述负电压之前，上述高频电源向上述载置台施加高频电力。
本发明的第五方面所述的基板处理装置，其特征在于，在上述第一方面～第四方面的任一方面所述的基板处理装置中，在上述基板的表面形成有多晶硅层，上述处理为蚀刻处理。
为了达到上述目的，本发明的第六方面所述的基板吸附方法，是在基板处理装置中的基板吸附方法，上述基板处理装置具有收容基板的收容室和配置在该收容室内并且载置上述基板的载置台，在该载置台的上部具有由内部有电极板的绝缘性部件构成的静电卡盘，上述电极板与直流电源连接，该基板吸附方法包括当上述静电卡盘吸附上述基板时，上述直流电源向上述电极板施加负电压的负电压施加步骤。
本发明的第七方面所述的基板吸附方法的特征在于，在第六方面所述的基板吸附方法中，包括当上述静电卡盘使上述基板脱离时，上述直流电源向上述电极板施加正电压的正电压施加步骤，上述正电压的值为1500V以下。
本发明的第八方面所述的基板吸附方法的特征在于，在第六方面所述的基板吸附方法中，包括在上述直流电源向上述电极板施加上述负电压前，与上述载置台连接的上述高频电源向上述载置台施加高频电力的高频电力施加步骤。
本发明的第九方面所述的基板吸附方法的特征在于，在第七方面所述的基板吸附方法中，包括在上述直流电源向上述电极板施加上述负电压前，与上述载置台连接的上述高频电源向上述载置台施加高频电力的高频电力施加步骤。
为了达到上述目的，本发明的第十方面所述的存储介质的特征在于，是存储有在计算机中施行基板吸附方法的程序的计算机可读取的存储介质，该基板吸附方法在基板处理装置中运行，该基板处理装置具有收容基板的收容室，和配置在该收容室内且载置上述基板的载置台，该载置台的上部具有由内部有电极板的绝缘性部件构成的静电卡盘，上述电极板与直流电源连接，该程序具有当上述静电卡盘吸附上述基板时，上述直流电源向上述电极板施加负电压的负电压施加模块。
采用第一方面所述的基板处理装置，第六方面所述的基板吸附方法和第十方面所述的存储介质，当静电卡盘吸附基板时，直流电源向电极板施加负电压。当在电极板上施加负电压时，来自静电卡盘吸附的基板的周边边缘或配置在基板周围的收容室内部件的放电形态成为不是局部的直流放电的辉光放电。由于辉光放电能量不集中在放电目的地上，堆积物不从收容室的内壁面剥离飞散，因此不产生颗粒。另外，当在电极板上施加负电压时，作为与基板的静电卡盘相反一侧的面的表面的电位为负。在颗粒带负电的情况下，该颗粒受到从基板表面发出的排斥力。因此，可防止颗粒附着在基板表面上。
采用本发明第二方面所述的基板处理装置和第七方面所述的基板吸附方法，当静电卡盘使基板脱离时，直流电源向电极板施加正电压，该正电压的值为1500V以下。向电极板施加负电压，基板被吸附在静电卡盘上时，将正电压加在电极板上，排斥力作用在基板和静电卡盘之间，基板从静电卡盘脱离。这时，当正电压的值为1500V以下时，放电形态几乎不成为是局部直流放电的电弧放电。因此，即使当基板从静电卡盘脱离时，也可防止颗粒附着在基板表面上。
采用本发明的第三方面、第四方面所述的基板处理装置和本发明第八方面和第九方面所述的基板吸附方法，在直流电源向电极板上施加正电压之前，与载置台连接的高频电源向载置台施加高频电力。当向载置台施加高频电力时，在载置台上产生鞘。该鞘将带负电的颗粒从载置在载置台上的基板的上方排斥出去。因此，即使收容室内产生颗粒，也可以可靠地防止该颗粒附着在基板表面上。
图1为表示本发明的实施方式的基板处理装置的大致结构的截面图。
图2为表示向图1的基板处理装置的电极板施加的正电压的值和计数的颗粒数的关系的图。
图3为表示作为本实施方式的基板吸附方法的高频电力和直流电力的施加的顺序的图。
符号说明S处理空间；W半导体晶片；10基板处理装置；11腔室；12基座；20下部高频电源；23电极板；24直流电源；34气体导入喷淋头；36上部高频电源；42静电卡盘具体实施方式
以下，参照附图，说明本发明的实施方式。
首先，说明本发明的实施方式的基板处理装置。
图1为表示本实施方式的基板处理装置的大致结构的截面图。该基板处理装置对在作为基板的半导体晶片上形成的多晶硅层进行蚀刻处理。
在图1中，基板处理装置10具有收容例如直径为300mm的半导体晶片(以下简称为“晶片”)W的腔室11(收容室)。在该腔室11内配置有作为载置晶片的载置台的圆柱形的基座12。在基板处理装置10中，利用腔室11的内侧壁和基座12的侧面，形成作为将基座12上方的气体向腔室11外排出的流路起作用的侧排气路13。在该侧排气路13的中间配置有挡板14。腔室11的内壁面由石英或氧化钇(Y2O3)覆盖。
挡板14为具有多个孔的板状部件，作为将腔室11分隔为上部和下部的分隔板起作用。在由挡板14隔开的腔室11的上部(以下称为“反应室”)17中产生后述的等离子体。此外，在腔室11的下部(以下称为“排气室(总管)”)18中，开有排出腔室11内的气体的低级真空排气管15和主排气管16。DP(Dry Pump干泵)(未图示)与低级真空排气管15连接，TMP(Turbo Molecular Pump涡轮分子泵)(未图示)与主排气管16连接。并且，挡板14捕捉或反射在反应室17的后述的处理空间S中产生的离子或自由基，防止它们向总管18泄漏。
低级真空排气管15，主排气管16，DP和TMP构成排气装置。低级真空排气管15和主排气管16将反应室17的气体通过总管18向腔室11的外部排出。具体地，低级真空排气管15将腔室11内从大气压减压至低真空状态；主排气管16与低级真空排气管15协同动作，将腔室11内从大气压减压至比低真空状态低的压力的高真空状态(例如133Pa(1Torr)以下)。
下部高频电源20通过匹配器(Matcher)22与基座12连接。该下部高频电源20向基座12施加规定的高频电力。这样，基座12起下部电极的作用。另外，匹配器22降低高频电力从基座12的反射，使高频电力供给基座12的效率为最大。
由在内部有电极板23的绝缘性部件构成的圆板状的静电卡盘42配置在基座12的上部。当基座12载置晶片W时，该晶片W配置在静电卡盘42上。电极板23与直流电源24电连接。当向电极板23施加负的高直流电压(以下称为“负电压”)时，在晶片W的静电卡盘42侧的表面(以下称为“背面”)产生正电位，而在与静电卡盘42相反一侧的表面(以下称为“表面”)产生负电位。这样，在电极板23和晶片W的背面之间产生电位差，利用该电位差引起的库仑力或Johsen Rahben力，晶片W被吸附保持在静电卡盘42上面。
另外，在基座12的上部配置圆环状的聚焦环25，以包围吸附保持在静电卡盘42上面的晶片W的周围。该聚焦环25在处理空间S中露出，使得在该处理空间S中，等离子体向着晶片W的表面收束，提高蚀刻处理的效率。
另外，在基座12的内部，设置在圆周方向延伸的环状的制冷剂室26。从冷却单元(未图示)，通过制冷剂用配管27，将规定温度的制冷剂，例如冷却水或Galden循环供给该制冷剂室26，利用该制冷剂的温度控制吸附保持在静电卡盘42上面的晶片W的处理温度。
在静电卡盘42的上面吸附保持的晶片W的部分(以下称为“吸附面”)上开有多个传热气体供给孔28。这些多个传热气体供给孔28通过传热气体供给管路30，与传热气体供给部(未图示)连接。该传热气体供给部通过传热气体供给孔28，将作为传热气体的氦(He)气体供给吸附面和晶片W的背面的间隙。供给吸附面和晶片W的背面的间隙的氦气，将晶片W的热传递至基座12。
另外，在基座12的吸附面上配置作为从静电卡盘42的上面自由突出的提升销的多个推杆销33。这些推杆销33通过电机和滚珠丝杠(未图示)连接，通过滚珠丝杠变换为直线运动的电机的旋转运动引起这些推杆销自由地从吸附面突出。当为了对晶片W进行蚀刻处理，在吸附面上吸附保持晶片W时，推杆销33收容在基座12中。当从腔室11搬出进行蚀刻处理后的晶片W时，推杆销33从静电卡盘42的上面突出，使晶片W离开基座12，向上方抬起。
在腔室11的顶部以与基座12相对的方式配置气体导入喷淋头34。上部高频电源36通过匹配器35与气体导入喷淋头34连接。由于上部高频电源36向气体导入喷淋头34施加规定的高频电力，气体导入喷淋头34起上部电极的作用。匹配器35的功能与上述的匹配器22的功能相同。
气体导入喷淋头34具有有多个气体孔37的顶部电极板38和可自由装拆的支撑该顶部电极板38的电极支撑体39。另外，在该电极支撑体39的内部设有缓冲室40，处理气体导入管41与该缓冲室40连接。气体导入喷淋头34，从处理气体导入管41，将供给缓冲室40的处理气体，例如在臭氧系气体或氯系气体中添加O2气和He等不活泼气体的混合气体，经由气体孔37，供给反应室17内。
在腔室11的侧壁上设有晶片W的搬入搬出口43，该搬入搬出口43的位置与由推杆销33从基座12向上升举起的晶片W的高度对应。在搬入搬出口43上安装开闭该搬入搬出口43的闸阀44。
如上所述，在该基板处理装置10的反应室17内，通过向基座12和气体导入喷淋头34施加高频电力，将高频电力施加在基座12和气体导入喷淋头34之间的处理空间S上，可以在该处理空间S中，将从气体导入喷淋头34供给的处理气体变成高密度的等离子体，产生离子或自由基，利用该离子等，对晶片W进行蚀刻处理。
上述基板处理装置10的各构成部件的动作，由基板处理装置10具有的控制部(未图示)的CPU，根据与蚀刻处理对应的程序控制。
另外，上述基板处理装置10的结构与现有的基板处理装置的结构相同。
本发明者，在本发明之前，研究了向电极板施加的直流电压的极或大小与颗粒的产生数的关系。在基板处理装置10中，从气体导入喷淋头34或其他排放管(未图示)，将大量的N2气导入反应室17，并且利用直流电源24向电极板23交替的施加正的高直流电压(以下称为“正电压”)和负电压。这时，设定负电压的值为-3000V，改变正电压的值。另外，将晶片W载置在基座12上。
这时，发明者利用颗粒监视器(ISPM)对在反应室17中产生，并且利用低级真空排气管15向腔室11的外部排出的颗粒数进行计数。另外，从设置在腔室11的侧壁上的观察窗(未图示)，观察从静电卡盘42或聚焦环25向着覆盖腔室11的内壁面的石英或氧化钇直流放电的放电形态。观察的放电形态如表1所示，测量的颗粒数如图2的曲线所示。
表1
如表1所示，当减小正电压的值时，正电压施加时的放电形态从为局部的直流放电的电弧放电移至不是局部直流放电的辉光放电。另外，负电压施加时的放电形态为不是局部直流放电的辉光放电。再者，如图2的曲线所示，当减小正电压的值时，由排气管15向腔室11的外部排出的颗粒数，即在反应室17中产生颗粒数减少。具体地，如果正电压的值为1500V以下，则在反应室17中乎不产生颗粒。
关于当减小正电压值时产生的颗粒数减小的机理，本发明者根据正电压时放电形态的观察结果，类推至以下说明的假设。
即当减小正电压值时，从静电卡盘42等向腔室11的内壁面的直流放电的放电形态向辉光放电转移。由于辉光放电的能量不集中在作为放电目的地的腔室11的内壁面上，因此，附着在内壁面上的堆积物不剥离飞散。因此，在反应室17中产生的颗粒数减少。
另外，本发明者推测，因为负电压施加时的放电形态为辉光放电，通过向电极板23施加负电压，如果将晶片W吸附在静电卡盘42上，即使从晶片W的周边边缘等向腔室11的内壁面产生直流放电，也可以抑制在反应室17中产生颗粒。
本发明基于以上得到的见解。
以下，说明本发明的实施方式的基板吸附方法。
图3为表示作为本实施方式的基板吸附方法的高频电力和直流电力施加顺序的图。
在图3中，将表面上形成有多晶硅层的晶片W搬入腔室11内，载置在基座12的静电卡盘42上。当上述的排气装置将腔室11内从大气压减压至高真空状态时，首先，上部高频电源36向气体导入喷淋头34施加规定的高频电力(上部RF)，经过时间T1后，下部高频电源20向基座12施加规定的高频电力(下部RF)。这时，高频电力从气体导入喷淋头34和基座12施加到处理气体空间S，在该处理空间S中从处理气体产生等离子体。由于在等离子体中电荷为中性。电子和正离子数相同，但由于电子比正离子轻，在静电卡盘42上的晶片W附近，电子快速到达晶片W。结果，在晶片W的附近产生作为电子非常少的区域的鞘。由于鞘为电子少的区域，作为全体带正电。另外，一般已知颗粒带负电的多。因此，鞘对向着晶片W的颗粒施加排斥力，使该颗粒减速，从晶片W的上方排斥出去。
经过时间T2后，直流电源24将负电压(-HV负的高电压)，例如-2500V施加在电极板23上。这时，由于在晶片W的背面产生正电位，在电极板23和晶片W的背面之间产生电位差。利用该电位差引起的库仑力或Johnsen Rahbek力，将晶片W吸附保持在静电卡盘42的上面。当向电极板23施加负电压时，由于来自晶片W的周边边缘部的放电形态为辉光放电，能量不集中在作为放电目的地的腔室11的内壁面上，因此附着在内壁面上的堆积物不剥离飞散。另外，由于在晶片W的表面上产生负电位，带负电的颗粒从晶片W的表面接受斥力，从晶片W的上方被排斥出去。
其次，当在晶片W的多晶硅层上进行蚀刻处理时，直流电源24继续向电极板23施加负电压。当蚀刻处理结束时，直流电源24将正电压(+HV正的高电压)例如+1200V施加在电极板23上。由于在晶片W的背面产生正电位，斥力作用在晶片W和电极板23之间，晶片W从静电卡盘42脱离。另外，由于当晶片W从静电卡盘42脱离时，向电极板23施加的正电压的值为+1200V，几乎不产生电弧放电(参照表1)，因此，在反应室17中不产生颗粒(参照图2)。
经过时间T3后，直流电源24停止向电极板23施加电压。
根据图3的施加顺序，当静电卡盘42吸附晶片W时，直流电源24向电极板23施加负电压。当向电极板23施加负电压时，来自晶片W的周边边缘部或聚焦环25的放电形态为辉光放电。由于辉光放电能量不集中在放电目的地上，因此堆积物不从作为放电目的地的腔室11的内壁面剥离飞散，不产生颗粒。另外，当向电极板23施加负电压时，由于在晶片W的表面上产生负电位，带负电的颗粒从晶片W的表面接受斥力。因此，当静电卡盘42吸附晶片W时，可防止颗粒附着在晶片W的表面上。
在图3的施加顺序中，当静电卡盘42使晶片W脱离时，直流电源24向电极板23施加正电压，该正电压值为+1200V。如果正电压的值在1500V以下，由于放电形态作为几乎不是局部直流放电的电弧放电，在反应室17中几乎不产生颗粒。因此，当晶片W从静电卡盘42脱离时，可防止颗粒附着在晶片W的表面上。
另外，在图3的施加顺序中，在直流电源24向电极板23施加正电压之前，与基座12连接的下部高频电源20向基座12施加高频电力。当将高频电力加在基座12上时，在基座12上产生鞘。该鞘将带负电的颗粒从晶片W的上方排斥出去。因此，即使在反应室17内产生颗粒，也可以可靠地防止该颗粒附着在晶片W的表面上。
在上述的等离子体处理装置10中，进行蚀刻处理等的基板不限于半导体晶片，可以为在LCD(Liquid Crystal Display液晶显示器)或FPD(Flat Panel Display平板平板显示器)等中使用的各种基板或光掩模、CD基板、印刷基板等。
本发明的目的还可通过将存储有实现上述各实施方式的功能的软件的程序代码的存储介质供给装置中，该装置的计算机(或CPU或MPU等)读出和实行存放在存储介质中的程序代码来实现。
在这种情况下，利用从存储介质读出的程序代码自身实现上述的各实施方式的功能，该程序代码和存储有该程序代码的存储介质构成本发明。
另外，作为供给程序代码的存储介质，可以使用Floopy(注册商标)盘、硬盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD-ROM、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW等光盘，磁带，非易失性的存储器卡，ROM等。或者，可以通过网络下载程序代码。
另外，还包含下述情况通过实行计算机读出的程序代码，不仅实现上述各实施方式的功能，而且可根据程序代码的指示，在计算机上工作的OS(操作系统)等进行实际处理的一部分或全部，由该处理实现上述各实施方式的功能。
还包含下述情况从存储介质读出的程序代码写入插入计算机的功能扩展板或与计算机连接的功能扩展单元所具的存储器中后，根据该程序代码的指示，扩展板或扩展单元中具有扩展功能的CPU等进行实际处理的一部分或全部，由该处理实现上述各实施方式的功能。
(实施例)其次，具体地说明本发明的实施例。
实施例首先，准备颗粒计数用的晶片(以下称为“颗粒晶片”)搬入基板处理装置10的腔室11内，载置在基座12的静电卡盘42上。其次，通过由上部高频电源36向气体导入喷淋头34施加规定的高频电力，再由下部高频电源20向基座12施加规定的高频电力，在处理空间S中产生等离子体。
然后，利用直流电源24，向电极板23施加-2500V的负电压，将颗粒晶片吸附在静电卡盘42上，经过规定的时间后，由直流电源24向电极板23施加+1200V的正电压，使颗粒晶片从静电卡盘42脱离。
其次，从腔11搬出该颗粒晶片，搬入自扫描(self scan)方式的颗粒计数器中。然后，对颗粒晶片表面每单位面积的颗粒数进行计数。记录的颗粒数的平均值为31个。
比较例与实施例同样，将颗粒晶片载置在静电卡盘42上，利用上部高频电源36和下部高频电源20，分别向气体导入喷淋头34和基座12施加规定的高频典礼，这样在处理空间S中产生等离子体。
然后，由直流电源24向电极板23施加+2500V的正电压，将颗粒晶片吸附在静电卡盘42上，经过规定的时间后，由直流电源24向电极板23施加-1200V的负电压，使颗粒晶片从静电卡盘42脱离。
其次，与实施例同样，对颗粒晶片表面的每单位面积的颗粒数进行计数。记录的颗粒数的平均值为328个。
从比较实施例和比较例的结果可看出，当向电极板23施加负电压，将晶片吸附在静电卡盘42上时，可以防止颗粒附着在晶片表面上。
权利要求
1.一种基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，具有收容所述基板的收容室，和配置在该收容室内并载置所述基板的载置台，在该载置台的上部具有由内部有电极板的绝缘性部件构成的静电卡盘，所述电极板与直流电源连接，当所述静电卡盘吸附所述基板时，所述直流电源向所述电极板施加负电压。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，当所述静电卡盘使所述基板脱离时，所述直流电源向所述电极板施加正电压，所述正电压的值在1500V以下。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述载置台与高频电源连接，在所述直流电源向所述电极板施加所述负电压之前，所述高频电源向所述载置台施加高频电力。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述载置台与高频电源连接，在所述直流电源向所述电极板施加所述负电压之前，所述高频电源向所述载置台施加高频电力。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，在所述基板的表面形成有多晶硅层，所述处理为蚀刻处理。
6.一种基板吸附方法，用于基板处理装置中，其特征在于，该基板处理装置具有收容基板的收容室和配置在该收容室内并载置所述基板的载置台，在该载置台的上部具有由内部有电极板的绝缘性部件构成的静电卡盘，所述电极板与直流电源连接，所述基板吸附方法包括当所述静电卡盘吸附所述基板时，所述直流电源向所述电极板施加负电压的负电压施加步骤。
7.如权利要求6所述的基板吸附方法，其特征在于，包括当所述静电卡盘使所述基板脱离时，所述直流电源向所述电极板施加正电压的正电压施加步骤，所述正电压的值为1500V以下。
8.如权利要求6所述的基板吸附方法，其特征在于，包括在所述直流电源向所述电极板施加所述负电压前，与所述载置台连接的高频电源向所述载置台施加高频电力的高频电力施加步骤。
9.如权利要求7所述的基板吸附方法，其特征在于，包括在所述直流电源向所述电极板施加所述负电压前，与所述载置台连接的高频电源向所述载置台施加高频电力的高频电力施加步骤。
10.一种存储介质，其特征在于，是存储有在计算机中运行基板吸附方法的程序的计算机可读取存储介质，该基板吸附方法在基板处理装置中施行，该基板处理装置具有收容基板的收容室，和配置在该收容室内且载置所述基板的载置台，该载置台的上部具有由在内部有电极板的绝缘性部件构成的静电卡盘，所述电极板与直流电源连接，该程序包括当所述静电卡盘吸附所述基板时，所述直流电源向所述电极板施加负电压的负电压施加模块。
全文摘要
本发明提供一种可防止颗粒附着在基板表面上的基板处理装置。基板处理装置(10)具有在腔室(11)内载置晶片(W)的基座(12)。该基座(12)与下部高频电源(20)连接，在该基座(12)的上部配置内部有电极板(23)的静电卡盘(42)。电极板(23)与直流电源(24)连接。在下部高频电源(20)向基座(12)施加规定的高频电力后，通过直流电源(24)向电极板(23)施加负电压，静电卡盘(42)利用库仑力等吸附晶片(W)。
文档编号H01L21/00GK101034679SQ20071008606
公开日2007年9月12日 申请日期2007年3月8日 优先权日2006年3月8日
发明者泽田石真之, 清水昭贵, 西村荣一 申请人:东京毅力科创株式会社