专利名称：磁控管单元、磁控管溅射设备和制造电子器件的方法
技术领域：
0001本发明涉及一种在诸如晶片的基底上沉积材料膜的磁控
管溅射设备所用的磁控管单元，更具体地，涉及一种用于磁控管式溅 射设备的磁控管单元、磁控管溅射设备以及制造电子器件的方法，其 使用在面对溅射靶的晶片紧邻着靶被扫描时沉积膜的方案(以下称为 "成行方案")。
背景技术：
在图8和9中所示的各情况中，在靶的两端处的磁场强度 可以调节成高于中间部分上的磁场强度。该调节促使更多来自靶沿纵 向方向的两端部分的賊射颗粒沉积到基底上，由此抑制基底的外周边 部分上的膜厚的突然减小。例如，可以设计具有以下尺寸的设备P=200mm， W=450mm， D=130mm，以及T-100mm。
[0073根据上述每个实施例，可以提供一种能够容易精确地调节 在基底的整个表面上所形成的膜的膜厚分布而不会增加基于成行方案 的磁控管'减射设备的尺寸的磁控管单元。
[0074(制造电子器件的方法的应用)
根据本发明的每个实施例的磁控管单元8也可以应用至用于形成 膜的阴极磁体以制造电子器件，例如大平板显示器(液晶显示器)、 薄膜太阳能电池板、微感应器、磁打印头、使用诸如MRAM(磁阻随 机存取存储器)的磁性薄膜的存储器或类似物。
[0075例如，在用于大平板显示器(液晶显示器)或类似物的成 膜步骤(賊射步骤)中，使用大的矩形耙(溅射靶)。阴极磁体布置 在溅射靶的相对表面侧上。在许多情况下，阴极磁体具有如同本发明 的各实施例中的磁控管单元8的矩形形状。然而注意，这种磁体具有 米的量级上的尺寸。同样在这种情况下，必须通过使用磁控管单元的 磁场调节来调节膜厚分布。然而，由于磁体本身较大，排斥力(吸引 力)也较大。因此，难于通过以传统方式更换和附装/拆卸磁体来调节 磁场。
[0076图19A是示出通过布置用于溅射靶的多个磁控管单元8来 调节磁场分布的示例的视图。图19B是示出以下示例的视图，在该示 例中当有多个溅射靶时，通过对每个溅射靶都提供根据本发明的磁控管 单元8来执行用于每个溅射靶的磁场调节。根据本发明的各实施例的磁 控管单元8允许在不拆卸任何被用于成膜步骤的磁体的情况下进行磁 场调节，所述成膜步骤用于制造电子器件，例如大平板显示器(液晶 显示器)、薄膜太阳能电池板、微感应器、磁打印头、使用诸如MRAM的磁性薄膜的存储器或类似物。
[0077虽然已经参照
本发明的优选实施例，但本发明不受 这些实施例限制，并且在所附权利要求书所限定的技术范围内可以进行 多种修改。
[0078本申请享有2007年10月31日提交的日本专利申请 No.2007-283438的权益，该申请整体通过参考包含于此。
权利要求
1.一种磁控管单元，包括多个第一磁体元件，每个第一磁体元件都包括具有相同极性且设置在由磁性材料制成的轭板的两端部分上的第一磁体、以及具有与所述第一磁体的极性相反的极性且布置在所述轭板的中间部分上的第二磁体；基板，在所述基板上设置有运动装置以使所述多个第一磁体元件中的每个都沿一个方向运动；以及两个第二磁体元件，所述第二磁体元件包括由磁性材料制成且固定至所述基板的两端部分的轭板、具有与所述第二磁体的极性相同的极性且布置在轭板上的磁体、以及具有与所述第一磁体的极性相同的极性且设置在所述磁体上的磁体。
2. 根据权利要求l所述的磁控管单元，其中布置在所述基板上的 所述运动装置还包括导引装置，其用于允许所述多个第一磁体元件沿所述一个方向运 动，以及运动机构，其通过使用所述导引装置而使所述多个第一磁体元件 中的一个第一磁体元件沿所述一个方向运动，当所述一个第一i兹体元件通过所述运动;fe/L构运动时，除了所述一 个第 一磁体元件以外的其它第 一磁体元件通过具有相同极性的磁体的 排斥力而沿所述一个方向运动，以及当所述其它第一磁体元件中的每个都运动时，由所述其它第一磁 体元件中相邻的第 一磁体元件所形成的磁场被调节。
3. 根据权利要求2所述的磁控管单元，其中所述导引装置包括 两个导轨，其设置在所述基板上以与所述一个方向平行，以及直线导引件，其安装在所述第一磁体元件的所述轭板上且构造成 在所述导轨上运动从而允许每个所述第一磁体元件都沿所述一个方向 运动。
4. 根据权利要求2所述的磁控管单元，其中所述运动机构包括螺 紋件，所述一 个第 一磁体元件的轭板设有螺紋孔，所述其它第 一磁体元件和所述第二磁体元件的轭板都设有孔径大 于所述螺紋孔的孔径的通孔，以及在所述螺紋件可螺紋连接地与所述螺紋孔接合、延伸通过所述通 孔并4t转时，所述一个第一》兹体元件沿所述一个方向运动。
5. 根据权利要求4所述的磁控管单元，还包括用于控制所述运动 机构的运动的控制装置，其中所述控制装置基于所述螺紋件的旋转和所述螺紋件的螺距而 控制所述一个第一磁体元件沿所述一个方向的运动。
6. 根据权利要求2所述的磁控管单元，其中根据所述一个第一磁在所述第二磁体元件和与所述第二磁体元件相邻的第 一磁体元件之间 以及所述多个第一磁体元件之间。
7. —种包括由权利要求1至6中任一项所述的磁控管单元的磁控 管溅射设备。
8. 根据权利要求7所述的磁控管溅射设备，还包括保持成膜基底 的基底支架，所述成膜基底设置成面对构成所述磁控管单元的第一磁 体元件和第二磁体元件，其中所述基底支架沿与构成所述磁控管单元的所述第一磁体元件 和所述第二磁体元件的布置方向垂直的方向运动。
9. 一种制造电子器件的方法，所述方法包括通过使用由权利要求 1至6中任一项所述的磁控管单元制造电子器件的步骤。
10. 根据权利要求9所述的制造电子器件的方法，其中所述电子 器件包括平板显示器、薄膜太阳能电池板、微感应器、磁打印头和 MRAM (磁阻随机存取存储器)中至少之一。
全文摘要
一种磁控管单元包括多个第一磁体元件，每个第一磁体元件都包括具有相同极性且设置在由磁性材料制成的轭板的两端部分上的第一磁体、以及具有与第一磁体的极性不同的极性且布置在轭板的中间部分上的第二磁体；基板，在所述基板上设置有运动装置以使所述多个第一磁体元件中的每个沿一个方向运动；以及第二磁体元件，其包括由磁性材料制成且分别固定至基板的两端部分的轭板、具有与第二磁体的极性相同的极性且布置在轭板上的磁体、以及具有与第一磁体的极性相同的极性且设置在所述磁体上的磁体。
文档编号H01L21/285GK101595240SQ20088000280
公开日2009年12月2日 申请日期2008年10月30日 优先权日2007年10月31日
发明者E·N·阿巴拉, 远藤彻哉 申请人:佳能安内华股份有限公司