专利名称：内埋线路基板及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种线路基板及其制造方法，且特别是涉及一种内埋线路基板及其制 造方法。
背景技术：
目前在半导体封装技术中，线路基板(circuit substrate)是经常使用的构装元 件之一。线路基板主要由多层图案化线路层(patterned conductivelayer)及多层介电层 (dielectric layer)交替叠合而成，而两线路层之间可通过导电孔(conductive via)而彼 此电性连接。随着线路基板的线路密度及平坦度的提高，传统线路基板的结构及工艺已不 敷使用。因此，具有内埋线路的线路基板逐渐被发展出来。
发明内容
本发明提供一种内埋线路基板，具有较平坦的表面。本发明提供一种内埋线路基板的制造方法，可制造出具有较平坦的表面的内埋线 路基板。本发明提出一种内埋线路基板，包括核心结构、第一图案化导电层、第二图案化导 电层及多个导电块。核心结构具有相对的第一表面及第二表面。第一图案化导电层配置于 第一表面且埋入于核心结构。第二图案化导电层配置于第二表面且埋入于核心结构。导电 块配置于核心结构内，用以导通第一图案化导电层及第二图案化导电层。本发明提出一种内埋线路基板的制造方法。首先，提供第一导电叠合结构，其中第 一导电叠合结构包括第一金属层及第一图案化导电层。第一图案化导电层配置于第一金属 层上。第一导电块配置于第一图案化导电层上。接着，提供第二导电叠合结构，其中第二导 电叠合结构包括第二金属层及第二图案化导电层。第二图案化导电层配置于第二金属层 上。将第一导电叠合结构及第二导电叠合结构压合于核心结构，以将第一图案化导电层及 第一导电块从第一表面埋入于核心结构，且将第二图案化导电层从第二表面埋入于核心结 构。在核心结构内形成多个第一导电块，其中第一图案化导电层及第二图案化导电层通过 第一导电块而导通。移除第一金属层及第二金属层。本发明以压合的方式将图案化导电层及导电块同时埋入于介电层，而使内埋线路 基板具有较平坦的表面。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详 细说明如下。
图IA至图IL为本发明实施例的内埋线路基板的制造流程剖视示意图。图2A及图2B为本发明另一实施例的内埋线路基板的制造流程剖视示意图。图3为本发明另一实施例的内埋线路基板的剖视示意图。
附图标记说明
100,100，内埋线路基板
IOOa 第一导电叠合层IOOb 第二导电叠合层
110牺牲层120 第三三金属层
130第--金属层130，第二金属层
140第--蚀刻阻隔层140，第二蚀刻阻隔层
150第--掩模层160 第--图案化导电层
160，第二图案化导电层170 第二掩模层
180第--导电块180，第二导电块
190第--介电层190’ 核心结构
192核心介电层194 第三三图案化导电层
194’第四图案化导电层196 第二介电层
196，第三介电层198 导电孔
Hl 第一通孔H2 第二通孔
H3 第三.通孔
Ll 第一焊罩层L2 第_.焊罩层
L3 第一抗氧化层L4 第二抗氧化层
Sl 第一表面 S2 第二表1面
S3 第三表面 S4:第四表丨面
具体实施例方式图IA至图IL为本发明实施例的内埋线路基板的制造流程剖视示意图。首先，请 参考图1A，提供牺牲层110、分别配置于牺牲层的两表面的两第三金属层120及分别配置于 两第三金属层120上的两第一金属层130，其中各第三金属层120位于牺牲层110及第一金 属层130之间。在本实施例中，还可在各第一金属层130上形成第一蚀刻阻隔层140。接着，请参考图1B，在各第一蚀刻阻隔层140上形成第一掩模层150，以使各第一 金属层130位于第三金属层120及第一掩模层150之间，其中各第一掩模层150暴露出部 分第一金属层130。接着，请参考图1C，在各第一掩模层150所暴露出的部分第一金属层130上形成第 一图案化导电层160。形成第一图案化导电层160的方法例如是电镀。然后，请参考图1D， 在各第一掩模层150上形成第二掩模层170，其中各第二掩模层170暴露出部分第一图案化 导电层160。接着，请参考图1E，在各第二掩模层170所暴露出的部分第一图案化导电层160上 形成多个第一导电块180。然后，请参考图1F，移除各第二掩模层170、各第一掩模层150。 然后，请参考图1G，移除各第三金属层120及牺牲层110，而得到两第一导电叠合结构100a。值得注意的是，第一导电叠合结构IOOa包括第一金属层130、第一图案化导电层 160、多个第一导电块180及第一蚀刻阻隔层140。此外，在本实施例中，移除牺牲层110及 各第三金属层120的方法例如是将各第三金属层120从第一金属层130剥离。接着，请参考图1H，提供第一介电层190及第二导电叠合结构100b。第一介电层
6面S2。第二导电叠合结构IOOb包括第二金属层130，、 第二图案化导电层160’、及配置于第二金属层130’及第二图案化导电层160’之间的第二 蚀刻阻隔层140’。值得注意的是，第二导电叠合结构IOOb的制造方法与第一导电叠合结构 IOOa的制造方法类似，故于此处不再加以说明。接着，请参考图II，将第一导电叠合结构IOOa及第二导电叠合结构IOOb压合于第 一介电层190，以将第一图案化导电层160及第一导电块180从第一表面Sl埋入于第一介 电层190，且将第二图案化导电层160’从第二表面S2埋入于第一介电层190，其中第一图 案化导电层160及第二图案化导电层160’通过第一导电块180而导通。第一介电层190具有多个用以容置第一导电块180的第一通孔HI。值得注意的 是，可预先形成第一通孔Hl于第一介电层190，也可以通过将导电块180埋入第一介电层 190而形成第一通孔HI。特别的是，在将第一导电叠合结构IOOa及第二导电叠合结构IOOb压合于第一介 电层190之前，可先对第一导电块180、第一图案化导电层160及第二图案化导电层160’进 行表面粗化，以提高其与第一介电层190之间的附着力。接着，请参考图1J，以蚀刻的方式移除第一金属层130、第二金属层130’、第一蚀 刻阻隔层140及第二蚀刻阻隔层140’。特别的是，第一蚀刻阻隔层140及第二蚀刻阻隔层 140’所适用的蚀刻液，不同于第一金属层130、第二金属层130’、第一图案化导电层160及 第二图案化导电层160’所适用的蚀刻液，而可避免在对第一金属层130及第二金属层130’ 进行蚀刻时，将部分的第一图案化导电层160及第二图案化导电层160’蚀刻掉。接着，请参考图1K，分别在第一图案化导电层160及第二图案化导电层160’上形 成第一焊罩层Ll及第二焊罩层L2，其中第一焊罩层Ll及第二焊罩层L2分别暴露出部分第 一图案化导电层160及部分第二图案化导电层160’。接着，请参考图1L，在本实施例中，还可在第一焊罩层Ll所暴露出的部分第一图 案化导电层160上及第二焊罩层L2所暴露出的部分第二图案化导电层160’上，分别形成 第一抗氧化层L3及第二抗氧化层L4。形成第一抗氧化层L3及第二抗氧化层L4的方法例 如是电镀。如图IL所示，本实施例的内埋线路基板100包括第一介电层190、第一图案化导电 层160、第二图案化导电层160’、多个第一导电块180、第一焊罩层Li、第二焊罩层L2、第一 抗氧化层L3及第二抗氧化层L4。第一介电层190具有相对的第一表面S2及第二表面Si。第一图案化导电层160 配置于第一表面Sl且埋入于第一介电层190。第二图案化导电层160’配置于第二表面S2 且埋入于第一介电层190。第一导电块180配置于第一介电层190内，用以导通第一图案化 导电层160及第二图案化导电层160’。第一焊罩层Ll及第二焊罩层L2分别配置于第一图案化导电层160上及第二图 案化导电层160’上，以分别暴露出部分第一图案化导电层160及部分第二图案化导电层 160’。第一抗氧化层L3及第二抗氧化层L4分别配置于第一焊罩层Ll所暴露出的部分第 一图案化导电层160上及第二焊罩层L2所暴露出的部分第二图案化导电层160’上。特别的是，上述第一导电块180亦可通过不同的方式形成。图2A及图2B为本发 明另一实施例的内埋线路基板的制造流程剖视示意图。相较于图II的内埋线路基板的制
7造方法，在本实施例中，在将第一导电叠合结构IOOa及第二导电叠合结构IOOb压合于第一 介电层190之前，第一导电块180尚未形成。请参考图2A，在将第一导电叠合结构IOOa(绘示于图II，但此时第一导电叠合结 构IOOa尚未包括第一导电块180)及第二导电叠合结构IOOb(绘示于图II)压合于第一介 电层190，并移除第一金属层130、第二金属层130’、第一蚀刻阻隔层140及第二蚀刻阻隔 层140’之后，通过激光在第一介电层190形成第一通孔HI。接着，请参考图2B，通过电镀 或导电胶的填入，在第一通孔Hl内形成第一导电块180，以得到类似于图IJ所绘示的结构， 而可继续进行图IK及图IL所绘示的制造流程。图3为本发明又一实施例的内埋线路基板的剖视示意图。请参考图3，相较于图 IL的的内埋线路基板100，本实施例的内埋线路基板100’不具有第一介电层190，取而代之 的是核心结构190’。核心结构190’包括核心介电层192、第三图案化导电层194、第四图案 化导电层194’、第二介电层196、第三介电层196’及至少一导电孔198。核心介电层192具有相对的第三表面S3及第四表面S4。第三图案化导电层194 配置于第三表面S3。第四图案化导电层194’配置于第四表面S4。第二介电层196配置于 第三图案化导电层194上，以使第三图案化导电层194位于第二介电层196及核心介电层 192之间，其中第一导电块180位于第二介电层196内而连接于第一图案化导电层160及第 三图案化导电层194。第二介电层196具有多个用以容置第一导电块180的第二通孔H2。 第三介电层196’配置于第四图案化导电层194’上，以使第四图案化导电层194’位于第三 介电层196’及核心介电层192之间。导电孔198位于核心介电层192，用以导通第三图案 化导电层194及第四图案化导电层194’。相较于图IL的的内埋线路基板100，本实施例的内埋线路基板100’还包括多个第 二导电块180’，配置于第二图案化导电层160’上而位于该第三介电层196’内，且连接于第 二图案化导电层160’及第四图案化导电层194’。第三介电层196’具有多个用以容置第二 导电块180’的第三通孔H3。此外，在本实施例中，第一图案化导电层160埋入于第二介电 层196，且第二图案化导电层160’埋入于第三介电层196’。值得注意的是，本实施例的内 埋线路基板100’的制造方法与图IL的内埋线路基板100的制造方法类似，故于此处不再 加以说明。综上所述，本发明以压合的方式将图案化导电层及导电孔同时埋入于介电层，而 使内埋线路基板具有较平坦的表面。此外，本发明可依不同需求制造出结构强度较大的具 有核心介电层的内埋线路基板，或厚度较小的不具有核心介电层的内埋线路基板。虽然本发明已以优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术 领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本 发明的保护范围当视所附的权利要求所界定为准。
8
权利要求
一种内埋线路基板，包括核心结构，具有相对的第一表面及第二表面；第一图案化导电层，配置于该第一表面且埋入于该核心结构；第二图案化导电层，配置于该第二表面且埋入于该核心结构；以及多个导电块，配置于该核心结构内，用以导通该第一图案化导电层及该第二图案化导电层。
2.如权利要求1所述的内埋线路基板，其中该核心结构包括第一介电层，其中多个导电块位于该第一介电层内而连接于该第一图案化导电层及该 第二图案化导电层。
3.如权利要求1所述的内埋线路基板，其中该核心结构包括 核心介电层，具有相对的第三表面及第四表面；第三图案化导电层，配置于该第三表面； 第四图案化导电层，配置于该第四表面；第二介电层，配置于该第三图案化导电层上，以使该第三图案化导电层位于该第二介 电层及该核心介电层之间，其中部分多个导电块位于该第二介电层内而连接于该第一图案 化导电层及该第三图案化导电层；第三介电层，配置于该第四图案化导电层上，以使该第四图案化导电层位于该第三介 电层及该核心介电层之间，其中部分多个导电块位于该第三介电层内而连接于该第二图案 化导电层及该第四图案化导电层；以及至少一导电孔，位于该核心介电层，用以导通该第三图案化导电层及该第四图案化导 电层。
4.如权利要求1所述的内埋线路基板，还包括第一焊罩层，配置于该第一图案化导电层上，以暴露出部分该第一图案化导电层，其中 该第一图案化导电层位于该第一焊罩层及该核心结构之间。
5.如权利要求4所述的内埋线路基板，还包括第一抗氧化层，配置于该第一焊罩层所暴露出的部分该第一图案化导电层上。
6.如权利要求1所述的内埋线路基板，还包括第二焊罩层，配置于该第二图案化导电层上，以暴露出部分该第二图案化导电层，其中 该第二图案化导电层位于该第二焊罩层及该核心结构之间。
7.一种内埋线路基板的制造方法，包括提供第一导电叠合结构，其中该第一导电叠合结构包括 第一金属层；以及第一图案化导电层，配置于该第一金属层上； 提供第二导电叠合结构，其中该第二导电叠合结构包括 第二金属层；以及第二图案化导电层，配置于该第二金属层上；将该第一导电叠合结构及该第二导电叠合结构压合于该核心结构，以将该第一图案化 导电层从该第一表面埋入于该核心结构，且将该第二图案化导电层从该第二表面埋入于该 核心结构；在该核心结构内形成多个第一导电块，其中该第一图案化导电层及该第二图案化导电 层通过多个第一导电块而导通；以及移除该第一金属层及该第二金属层。
8.如权利要求7所述的内埋线路基板的制造方法，其中该第一导电叠合结构的制造方 法包括提供牺牲层、配置于该牺牲层上的第三金属层及配置于该第三金属层上的该第一金属 层，其中该第三金属层位于该牺牲层及该第一金属层之间；在该第一金属层上形成第一掩模层，以使该第一金属层位于该第三金属层及该第一掩 模层之间，其中该第一掩模层暴露出部分该第一金属层；在该第一掩模层所暴露出的部分该第一金属层上形成第一图案化导电层；以及 移除该第一掩模层、该第三金属层及该牺牲层。
9.如权利要求8所述的内埋线路基板的制造方法，其中移除该牺牲层及该第三金属层 的方法包括将该第三金属层从该第一金属层剥离。
10.如权利要求8所述的内埋线路基板的制造方法，其中移除该第一金属层及该第二 金属层的方法为蚀刻。
11.如权利要求10所述的内埋线路基板的制造方法，其中该第一导电叠合结构的制造 方法还包括在该第一金属层上形成第一掩模层之前，在该第一金属层上形成第一蚀刻阻隔层。
12.如权利要求8所述的内埋线路基板的制造方法，其中该核心结构为第一介电层。
13.如权利要求12所述的内埋线路基板的制造方法，其中该第一介电层具有用以容置 多个第一导电块的多个第一通孔。
14.如权利要求13所述的内埋线路基板的制造方法，其中形成多个第一导电块的方法 包括在将该第一导电叠合结构及该第二导电叠合结构压合于该第一介电层之前，在该第一 掩模层上形成第二掩模层，其中该第二掩模层暴露出部分该第一图案化导电层； 在该第二掩模层所暴露出的部分该第一图案化导电层上形成多个第一导电块； 在移除该第一掩模层、该第三金属层及该牺牲层之前，移除该第二掩模层；以及 在将该第一导电叠合结构及该第二导电叠合结构压合于该第一介电层时，将多个第一 导电块埋入于该第一介电层。
15.如权利要求7所述的内埋线路基板的制造方法，其中该核心结构包括 核心介电层，具有相对的第三表面及第四表面；第三图案化导电层，配置于该第三表面； 第四图案化导电层，配置于该第四表面；第二介电层，其中该第三图案化导电层位于该第二介电层及该核心介电层之间； 第三介电层，其中该第四图案化导电层位于该第三介电层及该核心介电层之间；以及 至少一导电孔，配置于该核心介电层，用以导通该第三图案化导电层及该第四图案化 导电层。
16.如权利要求15所述的内埋线路基板的制造方法，其中该第二导电叠合结构还包括多个第二导电块，配置于该第二图案化导电层上，其中在将该第二图案化导电层从该 第二表面埋入于该核心结构的同时，还将多个第二导电块从该第二表面埋入于该核心结 构。
全文摘要
本发明公开了一种内埋线路基板及其制造方法。该内埋线路基板包括核心结构、第一图案化导电层、第二图案化导电层及多个导电块。核心结构具有相对的第一表面及第二表面。第一图案化导电层配置于第一表面且埋入于核心结构。第二图案化导电层配置于第二表面且埋入于核心结构。导电块配置于核心结构内，用以导通第一图案化导电层及第二图案化导电层。本发明以压合的方式将图案化导电层及导电孔同时埋入于介电层，而使内埋线路基板具有较平坦的表面。
文档编号H01L21/48GK101958306SQ20091015227
公开日2011年1月26日 申请日期2009年7月14日 优先权日2009年7月14日
发明者李明锦, 王建皓 申请人:日月光半导体制造股份有限公司