专利名称：一种新型布局的集成电路结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种新型布局的集成电路 结构。
背景技术：
目前的集成电路(Integrated Circuit, IC)设计中，如图1所示，金属 通孔(Mvia)的设计会出现如第二层金属通孔Mvia2和前一层金属通孔 Mvial在相对前一层金属M2位于相同的位置处，从而形成堆叠式金属通 孔，参见图1 (a)、 1 (b)和1 (c)，第一层金属通孔Mvial和第二层金 属通孔Mvia2在前后左右的方向上处于同一位置，在纵垂方向呈堆叠状 态。随着设备线宽的减小，金属通孔不可能完全对准下边的金属层，第二 层金属通孔Mvia2蚀刻的时候就有可能接触到第一层金属通孔Mvial，在 第二层金属通孔Mvia2蚀刻后进行湿法清洗的时候，会造成第一层金属通 孔Mvial也接触到溶剂，此时第一层金属通孔中沉积的钨插塞会和湿法清 洗的溶剂发生电化学反应消失而造成金属通孔断路，这样就会影响整片晶 片的合格率。
实用新型内容
本实用新型的目的在于解决现有技术的上述问题，提供一种新型布局 的集成电路结构。
本实用新型的一种新型布局的集成电路结构，包括 第一层金属；
位于上述第一层金属上部的第一介电层，位于上述第一介电层内并贯 通上述第一介电层的第一层金属通孔；
3位于上述第一介电层上部的第二层金属；
位于上述第二层金属上部的第二介电层，位于上述第二介电层内并贯
通上述第二介电层的第二层金属通孔；
以及位于上述第二介电层上部的第三层金属；
上述第二层金属通孔与上述第一层金属通孔在上述第二层金属的同 一平面上的正投影处于不同位置。
上述金属通孔中填充的金属为钨。
上述第一层金属通孔与接触孔在第一层金属的同一平面上的正投影 处于不同位置。
上述接触孔中填充的金属为钨。
采用本实用新型的一种新型布局的集成电路结构可以避免在蚀刻上 层的金属通孔时接触到下层的金属通孔，蚀刻完后进行湿法清洗时，下层 的金属通孔也不会接触到湿法清洗的溶剂，因而使得钨插塞不会与溶剂反 应而消失，进而解决了下层金属通孔断路问题，提高了晶片的合格率。
图l (a)是现有的集成电路结构的正视图1 (b)是现有的集成电路结构的左视图l (c)是现有的集成电路结构的俯视图2 (a)是本实用新型的集成电路结构的一个实施例的正视图2 (b)是图2 (a)中实施例的左视图2 (c)是图2 (a)中实施例的俯视图3 (a)是本实用新型的集成电路结构的具有多层金属通孔的实施例 的正视图3 (b)是图3 (a)中实施例的左视图； 图3 (c)是图3 (a)中实施例的俯视图；图4表示本实用新型的具有多层金属通孔并带有接触孔的完整结构示 意图。
具体实施方式
以下结合附图，对本实用新型的具体实施例作进一步的详细说明。
如图2 (a)、 2 (b)和2 (c)分别从不同角度展示了本实用新型的一 种新型布局的集成电路结构。
图2 (a)是本实用新型的正视图，由图2 (a)可知，本实用新型在纵 垂方向上的总体布局是第一层金属M1;位于第一层金属M1上部的第一 介电层，位于该第一介电层内并贯通第一介电层的第一层金属通孔Mvial， 第一层金属通孔中填充有金属、例如是钨塞；位于该第一介电层上部的第 二层金属M2;位于第二层金属M2上部的第二介电层，位于该第二介电层 内并贯通第二介电层的第二层金属通孔Mvia2，第二层金属通孔中填充有 金属、例如是钨塞；以及位于该第二介电层上部的第三层金属M3。并且 从图2 (a)可以看到，第一层金属通孔Mvial和第二层金属通孔Mvia2在左 右方向上的位置是对应一致的。
图2 (b)是本实用新型的左视图，由图2 (b)可知，本实用新型在前 后方向上的总体布局与现有的金属通孔的布局完全不同，在本实施例中， 第一层金属通孔Mvial靠前端，第二层金属通孔Mvia2靠后端。
图2 (c)是本实用新型的俯视图，由图2 (c)进一步可知，在本实施 例中，第一层金属通孔Mvial与第二层金属通孔Mvia2在前后方向上的位置 不一致，且他们在前后方向上没有重叠，完全分离。
实际上，第一层金属通孔Mvial和第二层金属通孔Mvia2的位置只要是 后一层的金属通孔相对于前一层的金属通孔在不同的位置即可。也即包括 以下实施例
实施例一，Mvial靠近左端，Mvia2靠近右端；Mvia2与Mvial前后方 向上处于同一位置；
实施例二， Mvial靠近左前端，Mvia2靠近右后端；
实施例三，Mvial靠近左后端，Mvia2靠近右前端；实施例四，Mvial靠近右端，Mvia2靠近左端；Mvia2与Mvial前后方 向上处于同一位置；
实施例五，Mvial靠近右前端，Mvia2靠近左后端；
实施例六，Mvial靠近右后端，Mvia2靠近左前端；
实施例七，Mvial靠近前端，Mvia2靠近后端；Mvia2与Mvial左右方 向上处于同一位置；
实施例八，Mvial靠近后端，Mvia2靠近前端；Mvia2与Mvial左右方 向上处于同一位置；
当然还可以包括其他的实施例，只要不违背第二层金属通孔Mvia2相 对于第一层金属通孔Mvial处于不同位置的宗旨即可。
釆用本实用新型的新型布局的优点在于，因为后一层的金属通孔相对 于前一层的金属通孔在不同的位置，所以当蚀刻上层如第二层金属通孔 Mvia2时不会接触到下层的第一层金属通孔Mvial ，蚀刻完后进行的湿法清 洗时，第一层金属通孔Mvial也不会接触到溶剂，因而使得钨插塞不会与 溶剂反应而消失，进而解决了第一层金属通孔Mvial断路的问题，提高了 晶片的合格率。
当然，本实用新型还可以用于具有更多层的金属通孔的实施例中，如 图3 (a)、图3 (b)、图3 (c)所示，只要满足后一层的金属通孔Mvia (n+l) 相对于前一层的金属通孔Mvia (n)在不同的位置即可达到本实用新型的 上述效果。
另外，如图4所示，第一层金属层M1和多晶硅3之间的连接孔、即接 触孔2与上述第一金属通孔Mvial在上述第一金属层Ml的同一平面上的正 投影处于也不同位置，不同的方式如上述各种实施例所述，只要满足第一 层金属通孔Mvial和接触孔的位置相对于第一金属层处于不同的位置即 可。并且，接触孔2中填充有金属、例如是钨塞。
虽然，本实用新型已通过以上实施例及其附图得到清楚说明，然而在 不背离本实用新型精神及其实质的情况下，所属技术领域的技术人员应当
可以根据本实用新型作出各种相应的改变，但这些相应的改变都应属于本 实用新型的权利要求的保护范围。
权利要求1.一种新型布局的集成电路结构，包括第一层金属；位于上述第一层金属上部的第一介电层，位于上述第一介电层内并贯通上述第一介电层的第一层金属通孔；位于上述第一介电层上部的第二层金属；位于上述第二层金属上部的第二介电层，位于上述第二介电层内并贯通上述第二介电层的第二层金属通孔；以及位于上述第二介电层上部的第三层金属；其特征在于，上述第二层金属通孔与上述第一层金属通孔在上述第二层金属的同一平面上的正投影处于不同位置。
2. 根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于上述金属通孔中 填充的金属为钨。
3. 根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于上述第一层金属 通孔与接触孔在第一层金属的同一平面上的正投影处于不同位置。
4. 根据权利要求3所述的集成电路结构，其特征在于上述接触孔中填 充的金属为钨。
专利摘要本实用新型涉及一种新型布局的集成电路结构，其包括第一层金属；位于上述第一层金属上部的第一介电层，位于上述第一介电层内并贯通上述第一介电层的第一层金属通孔；位于上述第一介电层上部的第二层金属；位于上述第二层金属上部的第二介电层，位于上述第二介电层内并贯通上述第二介电层的第二层金属通孔；以及位于上述第二介电层上部的第三层金属；上述第二层金属通孔与上述第一层金属通孔在第二层金属的同一平面上的正投影处于不同位置。采用本实用新型可以避免在上层的第二层金属通孔湿法清洗时对下层的第一层金属通孔造成影响，从而提高了晶片的合格率。
文档编号H01L23/522GK201374333SQ200920007119
公开日2009年12月30日 申请日期2009年2月23日 优先权日2009年2月23日
发明者任丙振, 刘梅娜, 张进刚, 黄志刚, 黄海栋 申请人:和舰科技(苏州)有限公司