专利名称：浪涌抑制负温度热敏电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及热敏电阻技术领域，尤其是一种能长时间使用于高温下的高材料
常数的浪涌抑制负温度系数热敏电阻。
背景技术：
目前，浪涌抑制负温度热敏电阻主要起到电路开关瞬间抑制电路中突波电流，且 保护其他组件不受电流冲击而损害，瞬间抑制突波电流后产品将直接连接在电路中长时间 通电。 公知的浪涌抑制负温度热敏电阻其材料常数(B值) 一般为2800K 3100K左右。 在此B值基础上的产品通电后本身残余电阻较大，产品残余电阻越大，其本身消耗功率越 高，产生热量也越大！所以抑制涌流负温度热敏电阻往往长时间工作在较高的温度下，产 生较高的热量，加上产品长时间通电加载，所以此类产品经常因为高温加载老化而失去保 护其他组件的意义。这种情况给其他电路中需保护的元器件造成重要的潜在危害！
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是为了解决上述存在的缺点与不足，提高现有的
浪涌抑制负温度热敏电阻长时间加载高温的使用寿命，保证其它组件不受突波电流冲击损
害，提供一种高材料常数浪涌抑制负温度系数热敏电阻，在通同等电流的情况下，产生较低
的残余电阻，降低本身产生的热量，纺织产品因长时间高温导致老化失效，延长使用寿命。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种浪涌抑制负温度热敏电
阻，具有一对引脚和设置在引脚之间的本体元件，本体元件的内部设置连接引脚的电极层，
本体元件为对内部晶粒烧制改善生长结构的陶瓷体，通过对陶瓷体中各配方进行微调，调
配出材料常数大且阻值又命中的配方体系，然后通过对陶瓷体中的晶粒进行烧制成曲线的
调整，使晶粒生长结构发生显著改善，提高材料常数。 进一步，为了对内部的本体元件陶瓷体进行保护，本体元件的外侧设置有保护层。 首先对陶瓷体的配料进行加水滚料，然后进行喷雾造粒，接着对颗粒进行成型制 作，然后进行排膠，最后烧结形成成品，将成品加工设置在本实用新型上，提高了材料常数。 本实用新型的有益效果是，本实用新型的浪涌抑制负温度热敏电阻，通过加快陶 瓷体升温、延长保温时间能使晶粒紧密生长，从而在命中阻值情况下提高材料常数，有效降 低产品在通电过程中所产生的热量，使其在一个低热的环境下连续长时间通电，有效防止 自我的高温老化，延长了使用寿命。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。 图中1、引脚，2、本体元件，3、电极层，4、保护层。
具体实施方式现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，
仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。 如图1所示的最佳实施方式的浪涌抑制负温度热敏电阻，具有一对引脚1和设置
在引脚1之间的本体元件2，本体元件2的内部设置连接引脚1的电极层3，本体元件2为
对内部晶粒烧制改善生长结构的陶瓷体，本体元件2的外侧设置有保护层4。 本实用新型通过其上的引脚l连接在电路中，当电路的开关进行开启或是关闭
时，电路中会出现突波电流，由于热敏电阻的作用，使得从而保护电路中的其它元器件。 以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人
员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实
用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术
性范围。
权利要求一种浪涌抑制负温度热敏电阻，具有一对引脚(1)和设置在引脚(1)之间的本体元件(2)，其特征是本体元件(2)的内部设置连接引脚(1)的电极层(3)，本体元件(1)为对内部晶粒烧制改善生长结构的陶瓷体。
2. 根据权利要求l所述的浪涌抑制负温度热敏电阻，其特征是所述的本体元件(2) 的外侧设置有保护层(4)。
专利摘要本实用新型涉及热敏电阻技术领域，尤其是一种能长时间使用于高温下的高材料常数的浪涌抑制负温度系数热敏电阻，具有一对引脚和设置在引脚之间的本体元件，本体元件的内部设置连接引脚的电极层，本体元件为对内部晶粒烧制改善生长结构的陶瓷体，本体元件的外侧设置有保护层。本实用新型通过加快陶瓷体升温、延长保温时间能使晶粒紧密生长，从而在命中阻值情况下提高材料常数，有效降低产品在通电过程中所产生的热量，使其在一个低热的环境下连续长时间通电，有效防止自我的高温老化，延长了使用寿命。
文档编号H01C7/04GK201498287SQ20092023371
公开日2010年6月2日 申请日期2009年7月29日 优先权日2009年7月29日
发明者李晓乐 申请人:兴勤(常州)电子有限公司