专利名称：射频多同轴高密度集束连接器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种连接器，尤其是涉及一种射频多同轴高密度集束连接器。背景技术：
背景技术：
中，传统的射频同轴连接器在同一面板连接通路较多时，不仅安装费时费力， 占用空间大，导致生产成本增加，而且面板连接器数量众多显得凌乱，因而不能满足现有市 场要求。传统的射频同轴连接器广泛应用于信号传输网络中，起到传输线电气连接、分离作 用。在连接通路很多时，如果采用传统连接器的方案，就会出现面板上密布连接器的情形， 给人以凌乱的感觉。况且会造成连接或断开一次通路所需时间长，劳动强度大。
发明内容
本发明为了解决上述背景技术中的不足之处，提供一种射频多同轴高密度集束连接 器，其实现乐射频同轴连接器的高密度集成，具有较高的机械可靠性和优良的电气性能。为实现上述目的，本发明采用的技术方案为
一种射频多同轴高密度集束连接器，其特征在于包括公插头和母插头，其特征在于 公插头的外导体内壁前端设置有三个不对称的凸键，内壁中心均勻分布有在同一包络圆上 的多个同轴传输通道，在均勻分布的多个同轴传输通道内均设置有对应的绝缘介质和公插 头的内导体，母插头的外导体的接触外圆上设置有与凸键进行适配的三个不对称的凹槽， 母插头的外导体的同轴通道内均设置有母插头的内导体、绝缘介质和小外壳，接触头环绕 于小外壳口部外圆，母插头的连接螺套通过卡环与母插头的外导体连接，公插头与母插头 之间设置有密封圈。与现有技术相比，本发明具有的优点和效果如下
1、本发明具有一次连接就可实现多个通道信号的动作、整体体积小、安装方便、能够 实现户外防水密封、连接可靠性高的优点。同时，采用的端面接触方式可以消除对接时的偏 差，可以有效提高产品的电气性能及可靠性；
2、本发明中多个通路集成在一个连接器内，客观上在保证连接通路的情况下大大减少 了连接器的数量，使得面板变得简洁，带给系统的连接时间也要少得多。四
图1为本发明公插头的结构示意图； 图2为图1的A向视图； 图3为本发明母插头的结构示意图； 图4为图3的B向视图； 图5为本发明插合状态的示意图。图中，1-公插头，2-母插头，3-公插头的内导体，4-公插头的绝缘介质，5-公插头 的外导体，6-母插头的内导体，7-母插头的绝缘介质，8-母插头的接触头，9-母插头的小外 壳，10-母插头的外导体，11-母插头的密封圈，12-母插头的螺套。五具体实施例方式
3本发明包括公插头1和母插头2，两者后端口接电缆。参见图1和图2， 所述公插头1包括具有多个同轴通道的外导体5和设置在各通道内的内导体3以及环 绕内导体3的绝缘介质4。内导体3为圆柱状，其前端呈锥形形状过渡面，过渡面后有一段 距离，并且直径一定的圆柱面，用于与母型插头中心内导体前端开孔相配合，该段距离应满 足连接器公型插头1和母型插头2插合时的要求。 绝缘介质4为套筒状，置于内导体3与外导体5之间，用来固定内导体3 ；外导体5 为具有多个同轴通道的外导体，内壁前端具有三个不对称的凸键和在内壁中心均勻分布在 同一包络圆上的多个同轴传输通道，并且在基准面中心有圆柱状凸台，与绝缘介质固定采 用过盈压配来实现。参见图3和图4，母插头2包括具有多个同轴通道的外导体10和各通 道内的内导体6和环绕内导体6的绝缘介质7以及环绕绝缘介质7的小外壳9，弹性接触头 8环绕在小外壳9头部外圆，密封圈11套在外导体10外圆台阶处，连接螺套12环绕外导体 10。内导体6为圆柱状，采用开瓣式结构。其前端有凹孔，与公插头的内导体3插合使用， 其凹孔深度必须大于公插头的内导体3前端过渡面和直径一定圆柱面长度的总和；应满足 连接器公插头1和母插头2插合时的要求；绝缘介质7为套筒状，置于中心内导体6前端， 起固定内导体6的作用；母插头的外导体10为套筒状，前端带有劈槽。内部具有有一定斜 面要求的倒钩，该倒钩可与小外壳9的环状凹槽配合使用用以固定接触头8和小外壳9，并 实现一定的轴向浮动功能；母插头的小外壳9为套筒状，界面前端外圆有圆滑的过渡，在圆 弧过渡后具有一环形凹槽，其宽度应大于接触头8内部倒钩的宽度；母插头的外导体10为 具有多个同轴通道的外导体，接触外圆上具有三个不对称的凹槽和在中心均勻分布在同一 包络圆上的多个同轴传输通道，并且在基准面中心有圆柱状凹陷。起固定各同轴通道连接 的作用；密封圈11为套筒状，环绕于外导体10前端有凸起的圆柱面根部，起到防尘防潮作 用；螺套12为套筒状，环绕于外导体10内部，具有连接螺纹帮助两连接器进行连接；
成对连接器插合时，公型插头1的外导体5和母插头2的外导体10先接触，当外导体 10插入外导体5并对正并继续推进后，内导体3和内导体6接触并插合。最后当外导体5 的端面和接触头8接触时，接触头8后退直至外导体5和外导体10的接触端面完全重合时， 螺套12拧在外导体5的螺纹上进行紧固，密封圈11受到压缩变形起到防水的作用。
权利要求
一种射频多同轴高密度集束连接器，其特征在于包括公插头(1)和母插头(2)，其特征在于公插头(1)的外导体(5)内壁前端设置有三个不对称的凸键，内壁中心均匀分布有在同一包络圆上的多个同轴传输通道，在均匀分布的多个同轴传输通道内均设置有对应的绝缘介质(4)和公插头的内导体(3)，母插头的外导体(10)的接触外圆上设置有与凸键进行适配的三个不对称的凹槽，母插头的外导体(10)的同轴通道内均设置有母插头的内导体(6)、绝缘介质(7)和小外壳(9)，接触头(8)环绕于小外壳(9)口部外圆，母插头的连接螺套(12)通过卡环与母插头的外导体(10)连接，公插头(1)与母插头(2)之间设置有密封圈(11)。
全文摘要
本发明涉及一种射频多同轴高密度集束连接器，其实现了射频同轴连接器的高密度集成，具有较高的机械可靠性和优良的电气性能。本发明包括公插头和母插头，其特征在于公插头的外导体内壁前端设置有三个不对称的凸键，内壁中心均匀分布有在同一包络圆上的多个同轴传输通道，在均匀分布的多个同轴传输通道内均设置有对应的绝缘介质和公插头的内导体，母插头的外导体的接触外圆上设置有与凸键进行适配的三个不对称的凹槽，母插头的外导体的同轴通道内均设置有母插头的内导体、绝缘介质和小外壳，接触头环绕于小外壳口部外圆，母插头的连接螺套通过卡环与母插头的外导体连接，公插头与母插头之间设置有密封圈。
文档编号H01R13/631GK101997209SQ20101057486
公开日2011年3月30日 申请日期2010年12月6日 优先权日2010年12月6日
发明者武向文, 赵锐 申请人:西安富士达科技股份有限公司