专利名称：发光二极管支架改良结构的制作方法
技术领域：
一种支架改良结构，尤其是指一种通过埋入于胶座中的第一增强部以及第二增强 部，达到增强支架与胶座间的固定力，防止水气进一步渗入以及提高散热效率的发光二极 管支架改良结构。
背景技术：
近年来，由于发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有耗电量低、元件寿命 长、无须暖灯时间及反应速度快等优点，加上其体积小、耐震动、适合量产，因此发光二极管 已普遍使用于信息、通讯及消费性电子产品的指示灯与显示装置上，如行动电话及个人数 字助理(Personal Digital Assistant, PDA)屏幕背光源、各种户外显示器、交通号志灯及 车灯等。通常发光二极管芯片是通过表面黏贴技术(Surface Mount Device, SMD)或是覆 晶接合技术(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的胶座内的支架上，请参考图1所示， 图1绘示为现有的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置侧视剖面示意图。在具有凹陷部72的胶座71中，埋入有至少二支架73，各支架73部分是分别暴露 在胶座71的凹陷部72内，并且各个支架73部分分别延伸出胶座71的两侧，即可形成电性 连接部74，通过电性连接部74以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接。接着，再通过表面黏贴技术将发光二极管芯片75固接于暴露在胶座71的凹陷部 72内支架73其中之一，以及通过打线接合技术或是覆晶接合技术使发光二极管芯片75可 以通过电性导线76与另一支架73形成电性连接，最后，再于胶座71的凹陷部72上形成封 装胶体77，封装胶体77即可以覆盖于凹陷部72内的发光二极管芯片75及支架73。现有的发光二极管支架结构仅为将支架73埋入于胶座71中，通过支架73与胶座 71彼此之间的阻力，来将支架73进行固定，但是由于支架73与胶座71彼此之间的阻力会 有一定的极限，在遇到外力的影响时，当外力大于支架73与胶座71彼此之间的阻力，即会 造成支架73脱落于胶座71。另外，现有的发光二极管支架结构在用于具有水气的环境时，水气会逐渐的渗入 于胶座71中，并无特殊的设计以防止水气的进一步渗入，当水气渗入进一步至胶座71的凹 陷部72时，水气则会对发光二极管芯片75造成影响，会使得发光二极管芯片75发光效率 下降，甚至会造成发光二极管芯片75的损坏。另外，现有的发光二极管支架结构在发光二极管芯片75的散热上，仅能通过延伸 支架73部分分别延伸出胶座71的部分进行散热，这种散热效率是比较差的，并无法适用于 高功率的发光二极管芯片75，势必需要对现有的发光二极管支架结构进行改良，用以改善 散热的问题。综上所述，可知背景技术中长期以来一直存在现有的发光二极管支架结构支架与 胶座固定力不足，无法防止水气进一步渗入，以及散热效率不佳的问题，因此有必要提出改 进的技术手段，来解决此一问题。
实用新型内容有鉴于背景技术存在现有的发光二极管支架结构支架与胶座固定力不足，无法防 止水气进一步渗入，以及散热效率不佳的问题，本实用新型遂揭露一种发光二极管支架改 良结构，其中本实用新型所揭露的发光二极管支架改良结构，其包含至少二支架以及胶座。至少二支架分别具有埋入部以及延伸部，埋入部的底面周围设有第一增强部，以 及埋入部设有第二增强部；自胶座的上表面凹设凹陷部，埋入部是被埋入于胶座内，且第一 增强部以及第二增强部与胶座形成固接，埋入部的顶面部分暴露于凹陷部，埋入部的底面 部分暴露于胶座的下表面，延伸部延伸于胶座之外以形成电性连接部。如上所述的发光二极管支架改良结构，其中第一增强部凹设于埋入部的底面周 围，且第二增强部凸设或凹设于埋入部，第二增强部的形状为V形形状、凹形形状或半圆形 形状其中之一的形状，在第二增强部转角处形成虹吸现象，用以将水气聚集于第二增强部 转角处。如上所述的发光二极管支架改良结构，其中部分暴露于凹陷部的埋入部顶面其中 之一用以固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片与另一部分暴露于凹陷部的埋入部顶 面形成电性连接，凹陷部更覆盖有封装胶体，用以包覆发光二极管芯片，用以形成SMD发光
二极管。本实用新型的有益效果本实用新型所揭露的结构如上，与背景技术之间的差异 在于本实用新型支架分别具有埋入部以及延伸部，埋入部的底面周围设有第一增强部，以 及埋入部设有第二增强部，通过将埋入于胶座中的第一增强部以及第二增强部，用以将支 架与胶座增加更强的阻力，并且第二增强部可以由虹吸现象将水气聚集，以防止水气进一 步渗入，且埋入部的底面部分暴露于胶座的下表面，用以提高对发光二极管芯片的散热效 率，即可以有效的解决背景技术所产生的问题。通过上述的技术手段，本实用新型可以达成增强支架与胶座间的固定力，防止水 气进一步渗入以及提高散热效率的技术功效。
图1绘示为现有的发光二极管支架结构的发光二极管芯片配置侧视剖面示意图。图2A绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的第一侧视剖面示意图。图2B绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的第二侧视剖面示意图。图2C绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的仰视示意图。图3A至图3C绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的第二增强部实施态样 侧视放大示意图。图4绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的配置发光二极管芯片侧视剖 面示意图。图5绘示为本发明发光二极管支架改良结构的配置封装胶体侧视剖面示意图。主要元件符号说明10 支架[0026]11埋入部[0027]111底面[0028]112第一增强部[0029]113第二增强部[0030]114顶面[0031]12延伸部[0032]20胶座[0033]21上表面[0034]22陷部[0035]23下表面[0036]30发光二极管[0037]40封装胶体[0038]51电性导线[0039]71胶座[0040]72凹陷部[0041]73支架[0042]74电性连接部[0043]75发光二极管[0044]76电性导线[0045]77封装胶体
具体实施方式
以下将配合图式及实施例来详细说明本实用新型的实施方式，由此对本实用新型 如何应用技术手段来解决技术问题并达成技术功效的实现过程能充分理解并据以实施。以下将说明本实用新型所揭露的发光二极管支架改良结构，并请参考图2A所示， 图2A绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的第一侧视剖面示意图；本实用新型发 光二极管支架改良结构包含有至少二支架10以及胶座20。首先，在金属板(图中未绘示)上以冲压(stamping)方式制成至少二支架10，每 一支架10均具有埋入部11以及延伸部12，并且在冲压制成至少二支架10时，一并于埋入 部11底面111的周围冲压形成凹设的第一增强部112，以及在埋入部11冲压形成凸设或是 凹设的第二增强部113，图式中在埋入部11冲压形成凸起的第二增强部113是呈现出凸起 的倒凹形形状，图式所呈现的结果仅为举例说明，并不以此局限本实用新型的应用范畴。然后，以埋入射出(insert molding)的方式形成胶座20，以使各个支架10的埋入 部11被埋于胶座20内，埋入部11的第一增强部112以及第二增强部113亦被埋入于胶座 20内。而且，自胶座20的上表面21凹设凹陷部22，埋入部11的顶面114部分暴露于凹陷 部22，而埋入部11的底面111暴露于胶座20的下表面23，延伸部12延伸于胶座20之外 以形成电性连接部。由于埋入部11的第一增强部112以及第二增强部113被埋入于胶座20内，由此 即可以使埋入部11的第一增强部112以及第二增强部113与胶座20形成固接，即支架10会通过埋入部11的第一增强部112以及第二增强部113与胶座20所形成的阻力，用以避 免外力所造成支架10脱落于胶座20。埋入于胶座20内的第二增强部113除了可以增加支架10与胶座20之间的阻力， 用以避免外力所造成支架10脱落于胶座20的效果之外，铜管冲压所形成的第二增强部113 更可以增加水气的行进路径，以增加水气所渗入至胶座20凹陷部22的时间，即可以延长后 续配置于胶座20的凹陷部22内的发光二极管芯片的使用寿命。并且更可以在第二增强部113的转折处形成虹吸现象，由于产生虹吸现象即可以 将水气聚集于第二增强部113的转折处，即可通过在埋入部11所设置的第二增强部113聚 集水气，可以使得水气难以进一步渗入至胶座20的凹陷部22，可以有效的防止后续配置于 胶座20的凹陷部22内的发光二极管芯片受到水气的影响。接着，请同时配合图2A以及图2B所示，图2B绘示为本实用新型发光二极管支架 改良结构的第二侧视剖面示意图；在图2A是以横跨整个发光二极管支架改良结构的剖面 线对发光二极管支架改良结构进行剖视，而在图2B是以纵向的剖面线对发光二极管支架 改良结构进行剖视。在图2A以及图2B中埋入部11底面111的周围冲压形成凹设的第一增强部112 仅为环绕于埋入部11底面111的三个侧边，在此仅为举例说明的，并不以此局限本实用新 型的应用范畴。接着，请参考图2C所示，图2C绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的仰视 示意图；在埋入部11的底面111暴露于胶座20的下表面23，由此可以增加支架10与外部 接触的面积，由于增加支架10与外部接触的面积即可有效的增加后续配置于胶座20的凹 陷部22内的发光二极管芯片的散热效率之用。接着，请同时配合图2A以及图2C所示，而延伸部12延伸于胶座20之外以形成电 性连接部，是用以便于与其它电子装置(图式中未绘示)电性连接，即后续配置于胶座20 的凹陷部22内的发光二极管芯片即是通过支架10延伸出胶座20的电性连接部而与其它 电子装置电性连接。上述的金属板可以是铜、铁或其它导电性佳以及散热性佳的金属板或合金板。也 就是说，支架10的材质可以是铜、铁或其它导电性佳散热性佳的金属或合金。此外，胶座20 的材质则可以是聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚邻苯二甲酰胺(Polyphthalamide，PPA) 或其它常用来作为SMD发光二极管支架结构的胶座的热塑性树脂，在此仅为举例说明支架 10以及胶座20的常用材质，并不以此局限本实用新型的应用范畴。接着，请参考图3A、图3B以及图3C所示，图3A至图3C绘示为本实用新型发光二 极管支架改良结构的第二增强部实施态样侧视放大示意图。在埋入部11所冲压形成凸设的第二增强部113，第二增强部113的形状除了为凸 起的倒凹形形状(如图3A所示)之外，更可以在埋入部11冲压形成倒V形形状(如图3B 所示)或是冲压形成凸起半圆形形状(如图3C所示)。值得注意的是，在埋入部11所冲压形成的第二增强部113亦可冲压形成凹陷设 置，即将上述的图3B、图3C以及图3D旋转180度，即第二增强部113呈现出冲压形成凹陷 设置的增第二增强部113，可以分别形成凹形形状、V形形状或是凹陷半圆形形状。接着，请参考图4所示，图4绘示为本实用新型发光二极管支架改良结构的配置发光二极管芯片侧视剖面示意图；当完成上述发光二极管支架改良结构的制成之后，即可以 通过表面黏贴技术(Surface Mount Device，SMD)将发光二极管芯片30固接于部分暴露于 凹陷部22的埋入部11顶面114其中之一，并且通过打线接合技术(wire bonding)或是覆 晶接合技术(flip chip bonding)与另一部分暴露于凹陷部22的埋入部11顶面114形成 电性连接，图面所绘示为采用打线接合技术(在此仅为举例说明，并不以此局限本发明的 应用范畴)方式将发光二极管芯片30通过电性导线51与另一埋入部11顶面114形成电 性连接，即发光二极管芯片30可分别通过支架10获得不同的电性极性，并通过支架10延 伸出胶座20的电性连接部而与其它电子装置电性连接。最后，请参考图5所示，图5绘示为本发明发光二极管支架改良结构的配置封装胶 体侧视剖面示意图；于胶座10的凹陷部11上形成封装胶体40，封装胶体40即可以包覆凹 陷部11内的发光二极管芯片30以及支架10的埋入部11，即可以形成SMD发光二极管。上述封装胶体40可以通过点胶(dispensing)的方式形成，在此仅为举例说明，并 不以此局限本发明的应用范畴，且封装胶体40中可掺有荧光粉(图式中未绘示)，因此当发 光二极管芯片40所发出的光线照射到荧光粉而使其激发出另一种颜色的可见光时，发光 二极管芯片40所发出的光线即可与荧光粉所激发出来的光线混合而产生混光效果。综上所述，可知本实用新型与背景技术之间的差异在于本实用新型支架分别具有 埋入部以及延伸部，埋入部的底面周围设有第一增强部，以及埋入部设有第二增强部，通过 将埋入于胶座中的第一增强部以及第二增强部，用以将支架与胶座增加更强的阻力，并且 第二增强部可以由虹吸现象将水气聚集，以防止水气进一步渗入，且埋入部的底面部分暴 露于胶座的下表面，用以提高对发光二极管芯片的散热效率，即可以有效的解决背景技术 所产生的问题。由此一技术手段可以来解决背景技术所存在现有的发光二极管支架结构支架与 胶座固定力不足，无法防止水气进一步渗入，以及散热效率不佳的问题，进而达成增强支架 与胶座间的固定力，防止水气进一步渗入以及提高散热效率的技术功效。虽然本实用新型所揭露的实施方式如上，但所述的内容并非用以直接限定本实用 新型的专利保护范围。任何本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用 新型所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作些许的更动。本实用 新型的专利保护范围，仍须以所附的申请专利范围所界定的为准。
权利要求一种发光二极管支架改良结构，其特征在于，包含至少二支架，该至少二支架分别具有一埋入部以及一延伸部，该埋入部的底面周围设有一第一增强部，以及该埋入部设有一第二增强部；及一胶座，自该胶座的上表面凹设一凹陷部，该埋入部是被埋入于该胶座内，且该第一增强部以及该第二增强部与该胶座形成固接，该埋入部的顶面部分暴露于该凹陷部，该埋入部的底面部分暴露于该胶座的下表面，该延伸部延伸于该胶座之外以形成电性连接部。
2.如权利要求1所述的发光二极管支架改良结构，其特征在于，该第一增强部凹设于 该埋入部的底面周围。
3.如权利要求1所述的发光二极管支架改良结构，其特征在于，该第二增强部凸设或 凹设于该埋入部。
4.如权利要求1所述的发光二极管支架改良结构，其特征在于，该第二增强部的形状 为V形形状、凹形形状或半圆形形状其中之一的形状。
5.如权利要求1所述的发光二极管支架改良结构，其特征在于，部分暴露于该凹陷部 的该埋入部顶面其中之一用以固定发光二极管芯片，并且发光二极管芯片与另一部分暴露 于该凹陷部的该埋入部顶面形成电性连接。
6.如权利要求5所述的发光二极管支架改良结构，其特征在于，该凹陷部更覆盖有一 封装胶体，用以包覆发光二极管芯片，用以形成SMD发光二极管。
专利摘要本实用新型是一种发光二极管支架改良结构，包含至少二支架以及胶座，至少二支架分别具有埋入部以及延伸部，埋入部的底面周围设有第一增强部，以及埋入部设有第二增强部；自胶座的上表面凹设凹陷部，埋入部是被埋入于胶座内，且第一增强部以及第二增强部与胶座形成固接，埋入部的顶面部分暴露于凹陷部，埋入部的底面部分暴露于胶座的下表面，延伸部延伸于胶座之外以形成电性连接部。在支架埋入部的底面周围设有第一增强部，以及埋入部设有第二增强部，即可通过埋入于胶座中的第一增强部以及第二增强部，达成增强支架与胶座间的固定力，防止水气进一步渗入以及提高散热效率的技术功效。
文档编号H01L33/62GK201741725SQ20102025215
公开日2011年2月9日 申请日期2010年6月30日 优先权日2010年6月30日
发明者陈立敏 申请人:一诠精密电子工业(中国)有限公司;一诠精密工业股份有限公司