专利名称：基底固定组件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及基底处理技术领域，尤其涉及一种基底固定组件。
背景技术：
在各种基底处理工艺中(例如等离子体刻蚀工艺、化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺、溅射工艺等)，都需要将基底(如半导体晶片、玻璃基板等)固定在基底固定组件中。现有的基底固定组件如图1至图3所示，包括整体形状和尺寸均相当的支撑件1 和压制件2，其中支撑件1用于承载基底9，其可为载台、载板、托盘(如石英托盘)等形式； 而压制件2用于压住位于支撑件1上的基底9，其可为压环、盖板等形式。其中，支撑件1中具有用于容纳基底9的凹陷容置部11 (通常为圆形，优选为多个)，在容置部11边缘还具有一圈内凹槽131 ；而压制件2上在对应用于放置基底9的位置(即容置部11)处具有开口 21，开口 21在支撑件1上的投影位于容置部11内(或者说开口 21应略小于基底9)，从而压制件2上开口外侧的部分可压住基底9的边缘以将其固定；压制件2和支撑件1可通过螺钉8被固定在一起，当然压制件2和支撑件1中均应具有相应的螺孔18、28。基底固定组件使用时如图3所示，先在内凹槽131中放入内密封圈31(或称密封条、密封环，可为C型密封圈、0型密封圈等公知形式)，显然内凹槽131深度应小于内密封圈31直径，从而内密封圈31上沿应稍高于容置部11底面；再将基底9放入容置部11中， 使其边缘位于内密封圈31上；之后通过螺钉8将支撑件1和压制件2固定在一起，压制件 2对基底9边缘施加压力从而压缩内密封圈31，使基底9下表面与容置部11底面接触；其中，为便于取放基底9，容置部11深度小于基底9厚度，从而基底9上表面应高出支撑件1 上表面。固定完成后，基底9只有上表面暴露以接受相应的处理；同时基底9下表面与容置部11底面(或者说支撑件1)接触，故通过调整支撑件1温度即可控制基底9的温度，使其符合相应的工艺要求。其中，由于加工精度等原因，支撑件1和基底9的接触面间必定存在一些微小的空隙，因此可通过设在支撑件1中的供气结构(例如通气孔)14向容置部11 底面和基底9下表面间通入少量氦气(选用氦气是因为其分子较小，当然也可使用其它气体)，以提高支撑件1和基底9间的传热效果，更好地控制基底9温度。发明人发现现有技术中至少存在如下间题如图3所示，由于基底9上表面应高出支撑件1上表面，因此支撑件1和压制件2间必定存在间隙，故在处理过程中，沉积物、反应副产物等污染物7会逐渐沉积在支撑件1和压制件2间的缝隙中(尤其是支撑件1边缘和压制件2边缘之间)，这些污染物7会造成基底9污染，当其厚度较大时还会阻碍支撑件1 和压制件2的对合，同时清除污染物7的操作还会带来额外的时间和成本消耗。
实用新型内容本实用新型的实施例提供一种基底固定组件，其可避免基底污染，保证支撑件和压制件紧密对合，且不用进行清洗操作。为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案[0008]一种基底固定组件，包括用于承载基底的支撑件；用于压住位于所述支撑件上的基底的压制件，所述压制件上在对应用于放置基底的位置处设有开口，所述开口在所述支撑件上表面的投影位于所述用于放置基底的位置内部；用于使所述支撑件边缘和压制件边缘之间实现密封的密封结构。由于本实用新型的实施例的基底固定组件具有密封结构，因此支撑件边缘和压制件边缘间是密封的，处理过程中产生的沉积物、副产物等污染物无法进入支撑件和压制件之间，从而避免了基底污染，保证了支撑件和压制件能紧密对合，且不用进行清洗操作。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述密封结构包括位于所述支撑件边缘和压制件边缘处的迷宫密封结构。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述迷宫密封结构包括位于所述压制件边缘的第一弯折部；位于所述支撑件边缘的、与所述第一弯折部相匹配的第二弯折部。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述迷宫密封结构包括位于所述压制件边缘的第一弯折部，所述第一弯折部包括用于包围所述支撑件侧面的包围部。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述密封结构包括位于所述支撑件边缘和压制件边缘之间的外密封圈。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述密封结构还包括位于所述支撑件边缘和/或所述压制件边缘的外凹槽，所述外密封圈位于所述外凹槽中。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述支撑件中具有用于容纳所述基底的、凹陷的容置部，所述容置部深度小于所述基底厚度。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述容置部的边缘具有用于容纳内密封圈的内凹槽。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述支撑件在用于放置基底的位置的边缘具有用于容纳内密封圈的内凹槽。作为本实用新型的实施例的一种优选方案，所述支撑件中具有用于向所述用于放置基底的位置通入气体的供气结构。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为现有的基底固定组件的立体结构示意图；图2为现有的基底固定组件的剖面结构示意图；图3为现有的基底固定组件固定基底时的剖面结构示意图；图4为本实用新型实施例一的基底固定组件固定基底时的剖面结构示意图；图5为本实用新型实施例二的基底固定组件固定基底时的剖面结构示意图；图6为本实用新型实施例三的基底固定组件固定基底时的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本实用新型保护的范围。实施例一本实用新型实施例提供一种基底固定组件，如图4所示，其包括用于承载基底9的支撑件1 ；用于压住位于支撑件1上的基底9的压制件2，压制件2上在对应用于放置基底9 的位置处设有开口 21，开口 21在支撑件1上表面的投影位于用于放置基底9的位置内部；用于使支撑件1边缘和压制件2边缘之间实现密封的密封结构5。优选地，该密封结构5为位于支撑件1边缘和压制件2边缘之间的外密封圈32 ；更优选地，该外密封圈32位于外凹槽中(图4中未示出，且外凹槽可设置于支撑件1和/或压制件2的边缘)。由于本实用新型的实施例的基底固定组件中具有密封结构5，因此支撑件1边缘和压制件2边缘之间是密封的，处理过程中产生的沉积物、副产物等污染物无法进入支撑件1和压制件2之间，从而避免了基底9污染，保证了支撑件1和压制件2能紧密对合，且不用进行清洗操作，从而省去了清洗操作的时间和成本消耗。显然，外密封圈32式的密封结构5也可为其它不同的形式，例如，外密封圈32、外凹槽的形状、数量、位置等都可变化。实施例二本实用新型实施例提供一种基底固定组件，如图5所示，其包括用于承载基底9的支撑件1 ；用于压住位于支撑件1上的基底9的压制件2，压制件2上在对应用于放置基底9 的位置处设有开口 21，开口 21在支撑件1上表面的投影位于用于放置基底9的位置内部； 也就是说，开口 21应小于基底9，从而压制件2上位于开口 21外侧的位置可压住基底9边缘以将其固定；用于使支撑件1边缘和压制件2边缘之间实现密封的密封结构5。优选地，在支撑件1上具有用于容纳基底9的、凹陷的容置部11 (即用于放置基底 9的位置，其附图标记11参见图2所示，下同)，且该容置部11的深度小于基底9厚度，从而当基底9位于容置部11中时，其上表面能高于支撑件1上表面以便于取放基底9的操作。 通过设置容置部11，可更好地固定基底9，避免其侧向移动。更优选地，在一个支撑件1上具有多个(或者说至少两个)容置部11，从而其可一次承载多个基底9以提高处理效率；当然，与这样的支撑件1对应的压制件2上也应具有多个开口 21。更优选地，在容置部11的边缘还具有内凹槽131，该内凹槽131用于容纳内密封圈 31 (或称密封条、密封环，可为C型密封圈、0型密封圈等公知形式)；内凹槽131的深度应小于内密封圈31的线径(即内密封圈31横截面的直径或内密封圈31的厚度)，从而内密封圈31位于内凹槽131中时其上沿可高于容置部11底面；这样当支撑件1向基底9施加压力时，内密封圈31可被基底9下表面的边缘压缩，并在基底9下表面接触容置部11底面时使二者间实现密封，以避免基底9下表面受到污染，并在通氦气时避免氦气外漏。显然，在没有容置部11时，支撑件1也可在用于放置基底9的位置的边缘具有上述内凹槽131，其起到的作用与具有容置部11时的内凹槽131相同。优选地、支撑件9中还具有用于向用于放置基底9的位置通入气体的供气结构14 ； 该供气结构14可为连通到容置部11底面的通气孔，当然也可为通气槽等其它形式。供气结构14可向基底9下表面和容置部11底面间通入氦气(当然也可用其它气体)，从而增强基底9和支撑件1间的传热效果以更好地控制基底9温度。由于本实施例的基底固定组件中具有密封结构5，故其可防止氦气从支撑件1边缘和压制件2边缘之间漏出(即减少氦漏)，同时也可避免因支撑件1和压制件2对合不良而导致的氦漏；这样，一方面氦气的流量能被精确控制，从而能达到最佳的控温效果，另一方面，还可避免露出的氦气对处理工艺产生不良影响(例如氦气泄漏量过大而改变了工艺气体的成分)。优选地，如图5所示，密封结构5包括位于支撑件1边缘和压制件2边缘处的迷宫密封结构。具体地，迷宫密封结构包括位于压制件2边缘的第一弯折部，以及位于支撑件 1边缘的第二弯折部；两弯折部的具体形式是多样且相互匹配的(即当支撑件1和压制件 2对合时两弯折部的表面也可紧密对合)，如第一弯折部包括凹槽23，则第二弯折部应包括用于伸入凹槽23中的凸起12 ；如第一弯折部包括凸起的锯齿形结构，则第二弯折部应包括相应的锯齿形结构(即第二弯折部的齿尖对应第一弯折部的齿槽，第二弯折部的齿槽对应第一弯折部的齿尖)等。这种匹配的弯折部可形成复杂的气路，从而达到良好的密封效果。优选地，第一弯折部包括用于包围支撑件1外侧面的包围部22 ；对这种形式的第一弯折部，支撑件1上不必特别增设与其对应的第二弯折部。该包围部22结构简单，且由于通常取放基底9时都是支撑件1不动而移动压制件2，故包围部22还可方便对压制件2 的移动操作。当然，在包围部22上也开设有凹槽23、锯齿等其它的弯折结构，此时压制件2 也应有与其对应的凸起12、锯齿等。显然，上述的迷宫密封结构不应视为对密封结构5具体形式的限制，本领域技术人员还可设计出许多不同形式的位于支撑件1边缘和压制件2边缘的迷宫密封结构，例如， 弯折部中包围部22、凹槽23、凸出部12等的具体形状、数量、位置等都可不同。由于迷宫密封结构是公知的技术，故在此不再对其结构逐一详细描述。实施例三本实用新型实施例提供一种基底固定组件，如图6所示，其密封结构5同时包括上述的外密封圈32和迷宫密封结构。其中，外密封圈32位于支撑件1边缘和/或压制件2边缘的外凹槽132中，从而起到更好的密封效果。而迷宫密封结构的第一弯折部只包括上述的用于包围支撑件1外侧面的包围部22，外密封圈32可与该包围部22的内侧面相接触。应当理解，上述的各种密封结构5只是本实用新型实施例的部分具体例子，本领域技术人员还可将其它种类的公知密封结构用于本实用新型实施例的基底固定组件中。例如，可在支撑件1和压制件2对合后在它们的外侧面上缠绕密封带等。[0056]显然，本实用新型实施例的基底固定组件还可包括现有基底固定组件中的其它公知结构，例如用于将支撑件1和压制件2相对固定的固定装置，该固定装置可包括螺钉8以及螺孔18、28，也可包括卡子、夹子等，或者支撑件1和压制件2也可被外来的压力固定。由于在等离子体刻蚀工艺中最容易产生污染物，因此，本实用新型实施例的基底固定组件特别适用于在等离子体刻蚀工艺中固定基底，例如在LED的图形化蓝宝石衬底 (PSS，Patterned Sapphire Substrates)等离子刻蚀工艺中。但显然，本实用新型实施例的基底固定组件也可用于其它的基底处理工艺中，例如半导体晶片的化学气相沉积、真空蒸镀、溅射等。以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种基底固定组件，包括 用于承载基底的支撑件；用于压住位于所述支撑件上的基底的压制件，所述压制件上在对应用于放置基底的位置处设有开口，所述开口在所述支撑件上表面的投影位于所述用于放置基底的位置内部； 其特征在于，还包括用于使所述支撑件边缘和压制件边缘之间实现密封的密封结构。
2.根据权利要求1所述的基底固定组件，其特征在于，所述密封结构包括位于所述支撑件边缘和压制件边缘处的迷宫密封结构。
3.根据权利要求2所述的基底固定组件，其特征在于，所述迷宫密封结构包括 位于所述压制件边缘的第一弯折部；位于所述支撑件边缘的、与所述第一弯折部相匹配的第二弯折部。
4.根据权利要求2所述的基底固定组件，其特征在于，所述迷宫密封结构包括位于所述压制件边缘的第一弯折部，所述第一弯折部包括用于包围所述支撑件侧面的包围部。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的基底固定组件，其特征在于， 所述密封结构包括位于所述支撑件边缘和压制件边缘之间的外密封圈。
6.根据权利要求5所述的基底固定组件，其特征在于，所述密封结构还包括位于所述支撑件边缘和/或所述压制件边缘的外凹槽，所述外密封圈位于所述外凹槽中。
7.根据权利要求1所述的基底固定组件，其特征在于，所述支撑件中具有用于容纳所述基底的、凹陷的容置部，所述容置部深度小于所述基底厚度。
8.根据权利要求7所述的基底固定组件，其特征在于， 所述容置部的边缘具有用于容纳内密封圈的内凹槽。
9.根据权利要求1所述的基底固定组件，其特征在于，所述支撑件在用于放置基底的位置的边缘具有用于容纳内密封圈的内凹槽。
10.根据权利要求1所述的基底固定组件，其特征在于，所述支撑件中具有用于向所述用于放置基底的位置通入气体的供气结构。
专利摘要本实用新型提供一种基底固定组件，属于基底处理技术领域，其可解决现有的基底固定组件易造成基底污染、支撑件和压制件不能紧密对合、需要清洗操作的问题。本实用新型的基底固定组件包括用于承载基底的支撑件；用于压住位于所述支撑件上的基底的压制件，所述压制件上在对应用于放置基底的位置处设有开口，所述开口在所述支撑件上表面的投影位于所述用于放置基底的位置内部；用于使所述支撑件边缘和压制件边缘之间实现密封的密封结构。本实用新型的基底固定组件可用于在等离子体刻蚀等基底处理工艺中固定基底。
文档编号H01L21/67GK202025731SQ201120104130
公开日2011年11月2日 申请日期2011年4月11日 优先权日2011年4月11日
发明者王文彦 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司