专利名称：用于裸芯安装的基底上的环氧涂层的制作方法
技术领域：
本技术涉及半导体器件的制造。
背景技术：
便携式消费电子装置需求量的迅猛发展推动高容量存储装置的需求。诸如闪存存储卡的非易失性半导体存储装置正变为广泛用于满足数字信息存储和交換的不断发展的需要。它们的便携性、多功能性以及坚固耐用的设计，伴随着它们的高可靠性和大容量，已经使这样的存储装置理想地用于广泛种类的电子装置，所述电子装置例如包括数字照相机、数字音乐播放器、电子游戏机、PDA和移动电话。半导体存储装置典型地包含基底，如印刷电路板，该印刷电路板被蚀刻以包括具有接触焊垫和电迹线的导电图案。很多半导体裸芯一起形成于半导体晶片上，并且然后被 切片为单独的半导体裸芯。一个或更多的半导体裸芯然后被接合至基底，且在ー个或更多的半导体裸芯上的裸芯键合焊垫与基底的接触焊垫之间形成电连接。信号然后可通过导电图案在一个或更多的半导体裸芯与外部主装置之间传输。裸芯安装膜(DAF)典型地用于将半导体裸芯接合至基底。典型地，在切片単独的半导体裸芯之前，DAF被粘结至整个半导体芯片的背面(非有效性的)。切片带然后被施加于DAF上，以在切片之后将各裸芯保持在一起。在施加DAF和切片带之后,芯片可被切#I],例如使用切割锯。在切割过程中，可产生诸如DAF毛刺(burring)或锚定效应(anchor effect)的问题。锚定效应为在DAF被刀片切割处DAF咬入切片带的现象。DAF的锚定效果可增加在切片之后的裸芯拾取的负荷，并可导致裸芯损坏和拾取故障。
图I为用于形成根据本系统的实施例的半导体裸芯的流程图。图2为半导体晶片的俯视图，根据本系统的实施例从该半导体晶片可制造多个半导体裸芯。图3为来自图2的晶片的半导体裸芯的放大的俯视图。图4为制造用于本系统基底和使用基底及半导体裸芯安装半导体器件的流程图。图5为显示图4中裸芯安装环氧的步骤的进ー步细节的流程图。图6为根据本技术的基底面板的俯视图。图7为图6中的基底面板中的基底的放大的俯视图。图8为根据本系统的实施例的窗ロ夹板的俯视图。图9为根据本技术的安置于基底面板上的喷头和窗ロ夹板的俯视图。图10为根据本技术的安置于基底面板上的喷头和窗ロ夹板的立体11为根据本技术的安置于基底面板上的喷头和窗ロ夹板的边视图。图12为根据本技术的安置于基底面板上的喷头、窗ロ夹板和清洁跟随器的立体图。
图13为安置为清洁窗ロ夹板的窗ロ的侧壁的窗ロ清洁机构的边视图。图14为窗ロ清洁机构在清洁窗ロ夹板的窗ロ的侧壁时的边视图。图15为根据本技术的半导体封装体的边视图。图16示出了根据本发明的替换实施例的窗ロ夹板。图17-22为在根据本技术的窗ロ夹板中的窗ロ的不同结构。
具体实施例方式现在，将參考图I至22描述实施例，该实施例与半导体器件相关，该半导体器件包括通过施加于基底面板的环氧层与基底接合的半导体裸芯。应理解的是，本发明 可以很多不同的形式实施，而不应解释为限于在此阐述的实施例。而是，提供这些实施例以使所述公开透彻且完整，并且将本发明全面地交流给本领域的技术人员。当然，本发明g在覆盖这些实施例的替换、修改和等同物，其包括在所附权利要求限定的本发明的范围和精神内。此夕卜，在下面的本发明的详细描述中，阐述了很多具体细节，以便提供本发明的透彻理解。然而，本领域的普通技术人员应当清楚的是，本发明可不用这样的具体细节而实现。这里采用的术语“顶”、“底”、“上”、“下”、“垂直的”和/或“水平的”仅为便利和说明的目的，而不意味着限制本发明的描述，因为所指的项目可交換位置。现在，将參考图I的流程图及图2和3的俯视图描述用于本系统的半导体裸芯的形成过程。图2示出了半导体晶片100的俯视图，其用于批量加工多个半导体裸芯102(其中一个在图2中标出)。图3示出了单个半导体裸芯102，其由上述晶片100切片得至Li。可在步骤200中通过诸如沉积膜、光刻、构图(patterning)和杂质扩散(diffusion ofimpurities)的已知エ艺在晶片100上形成半导体裸芯102的集成电路组件(components)。在实施例中，裸芯102可为存储器裸芯，例如NAND闪存裸芯。然而，裸芯102在进ー步的实施例中可为其他类型的半导体裸芯，如作为例子的NOR，DRAM和各种其他的存储器裸芯。集成电路的形成可包括通过已知エ艺形成的裸芯键合焊垫104 (其中一个在图3中标出)的形成，该已知エ艺包括但不限于镀覆、蒸镀、丝网印刷(screen printing)、或各种沉积エ艺。键合焊垫104用于将半导体裸芯102电连接至其他的半导体裸芯，或印刷电路板，引线框架或下文中描述的其他基底。图3所示的键合焊垫104仅为说明的目的，并且沿着裸芯102的边缘存在比图3所示的更多或少的键合焊垫。而且，当键合焊垫104显示为沿着两个边缘时，可在进ー步的实施例中提供沿着ー个、三个或四个边缘的键合焊垫104。在步骤204中，包括集成电路的晶片100的顶面(有效的)为了背面研磨エ艺而被施加带的。在步骤206中，施加带的表面可支撑在卡盘上，并且可在晶片100的背面(非有效的)执行背面研磨エ艺，如本技术领域所知的使裸芯102变薄至期望的厚度。在步骤210中，晶片100上的裸芯102可因为功能缺陷被测试。这种测试包括例如晶片最终测试、电子裸芯分栋和电路探针。在步骤212中，晶片可从背面研磨卡盘传输，并且切片带可施加于晶片100的非有效的表面。在步骤216中，裸芯的背面可支撑在卡盘上，并且每一个裸芯102可由晶片切片得到。切片エ艺可涉及第ー组垂直切割(由图2和3的立体图)和第二组水平切割(再次由图2和3的立体图)，第一组垂直切割沿着相邻的裸芯102之间的边缘，第二组水平切割沿着相邻的裸芯102之间的边缘。在替换的实施例中，在垂直切割之前可执行水平切割。可通过切割刀片或通过激光执行切片步骤。在完成切片步骤的基础上，可拾取并安置裸芯于基底上，如下所说明的。因为没有DAF带施加在晶片100上，可避免与DAF毛刺(burring)相关的难点。图4和5的流程图示出了根据本系统形成基底面板及在基底面板上安装半导体裸芯102的步骤。图6示出了基底面板110的俯视图，基底面板110包括多个基底112 (其中一个在图6中被编号)。在下文中示出和描述的例子中，基底112例如可为印刷电路板(PCB)，但是在进ー步的实施例中，基底可为引线框架或带载自动接合(TAB)帯。以下描述了单个基底112的形成。应理解的是，以下的说明发生在面板110的每ー个基底上。姆ー个基底112可由具有顶和/或底导电层的核芯形成。该核芯可由各种介电材料(例如聚酰亚胺叠层、包括FR4和FR5的环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪树脂(BT)等等)形成。尽管对本发明并不重要，但是核芯可具有在40微米(y m)至200微米(u m)之间的厚度，而在替换实施例中核芯的厚度可在该范围之外变化。在替换实施例中核芯可为陶瓷的或有机的。 在核芯周围的导电层可由铜或铜合金、镀铜或镀铜合金、镀铜铁、或已知用于基底面板的其他的金属和材料形成。导电层可具有大约10 ii m至25 ii m的厚度,但是在替换实施例中该层的厚度可在该范围外变化。在步骤220中，可将核芯上的ー个或两个导电层蚀刻为导电图案(conductancepattern),已知该导电图案用于在半导体裸芯102和外部装置(未不出)之间传达信号。蚀刻的导电图案可包括在基底112的上表面上的电迹线116和接触焊垫120。如已知的，也可提供通路孔(vias) 124，用于将信号传达至基底112的不同的层。当半导体器件为焊盘栅格阵列(LGA)封装时，接触指(未示出)也可限定于在基底112的下表面上。如本技术领域人员已知的，可在基底112的顶和底表面上施加焊料掩模，并且接触焊盘116和/或接触指可镀有ー个或更多的金层，例如在电镀エ艺中。在步骤224中，表面安装组件可焊接至基底112的接触焊垫120。表面安装组件可包括如电阻、电容和/或电感的无源器件。在步骤228中焊料在已知的回流エ艺中回流。在步骤230中，裸芯安装环氧层可喷涂至面板120上的每ー个基底112上。參考图5的流程图和图8至22的不同视图说明步骤230的进ー步的细节。在步骤270中，基底面板110安置在喷涂环氧位置中的平台上。在步骤274中，窗ロ夹板(window clamp)130安置于基底面板上。图8至11不出了窗ロ夹板130的例子。窗ロ夹板可由例如不锈钢(grade440C)的金属形成，然而也可使用其他的刚性的材料。窗ロ夹板130可包括窗ロ部分132，其在两侧具有凸缘134和136 (图8和11)。窗ロ部分132可包括多个窗ロ 138，其为形成于夹板130中并完全穿过夹板130的开ロ。在实施例中，窗ロ部分132中可有单列窗ロ 138，并且窗ロ 138的数量可与面板110上的一列基底112的数量匹配。在所示的实施例中，在面板110上的一列有四个基底112，而在窗ロ夹板130上有四个窗ロ 138。应理解的是，在面板110上的一列可有更多或更少的基底112，而在窗ロ夹板130上有相应的更多或更少的窗ロ 138。应进ー步理解的是，在面板110上的一列具有的基底112的数量与在夹板130上具有的一列窗ロ 138的数量相比可更大或更小。而且，如下所说明的，在夹板130上可有多列窗ロ 138，以与面板110上的基底112的列的数量，或一部分列的数量匹配。
在实施例中，如下说明的，每ー个窗ロ 138的尺寸和形状与欲安装于基底112上的半导体裸芯102的尺寸和形状相同。窗ロ 138的长度和宽度与可使用的裸芯102的任何长度和宽度对应。窗ロ的取向与将安装于基底112上的裸芯102的取向相同。每ー个窗ロ 138近似地彼此隔开一段距离，该距离与欲安装于一列基底112的半导体裸芯102的位置对应。在实施例中，每ー个窗ロ 138由垂直于窗ロ部分132的主平面的侧壁限定。窗ロ部分132的在窗ロ 138的厚度可例如为0. 4mm。应理解的是，在进ー步的实施例中，在窗ロ部分132的主平面之间的侧壁的角度可小于或大于90°。在这种实施例中，窗ロ 138的尺寸与裸芯102的尺寸对应，该裸芯102在窗ロ部分132的上表面或窗ロ部分132的下表面上。在步骤274中，窗ロ夹板130在基底面板110上对准。例如，在环氧喷涂エ艺的开始，如图9所示，可在面板110上的第一列(最左边)基底112上对准窗ロ夹板130。在步骤278中，液体环氧通过窗ロ 138然后被喷涂至基底上。窗ロ夹板130遮蔽基底面板，使得环氧喷涂至一列基底112上，只覆盖各基底的将接收半导体裸芯102的区域。一旦通过窗 ロ 138施加环氧至一列基底上，窗ロ夹板130然后可相对于基底面板移动，使得该窗ロ夹板130被安置于下一列基底上，并且液体环氧然后被喷涂于下一基底列上。应理解的是，喷涂エ艺不是必须从面板110上的基底112的最左边的列开始，且在施加液体环氧于基底112的列上时可以任何顺序进行。在实施例中，基底面板110可在窗ロ夹板130移动期间保持静止，或者在窗ロ夹板130保持静止期间基底面板110可移动。可重复该エ艺直至液体环氧被施加于面板110上的每ー个基底112上。通过包括光学对准方案的多种对准方案，窗ロ夹板130可在基底110上的预期的位置处对准。在光学对准的实施例中，可使用发射器和接收器，以在基底面板110中和在窗ロ夹板130上发现用于指明何时对准面板和夹板的基准孔和/或參考标志。附加地或替换地，可使用照相机或其他成像装置，在其移动以帮助面板和夹板的对准时，照相机或其他成像装置成像基底面板110和/或窗ロ夹板130。在实施例中，窗ロ夹板130可由接合凸缘134，136的ー对固定器(未示出)支撑。如图11中的例子所示，凸缘134，136从窗ロ部分132垂直地偏移。因此，固定器能够在凸缘的上方和下方抓住凸缘134，136，以将窗ロ夹板130固定于支架上。在进ー步的实施例中，支架可仅接合于凸缘134，136的下方，而窗ロ夹板130则由于重力被支撑在固定器上。固定器可被支持平移，以相对于基底面板110沿着X-方向(图9)移动窗ロ夹板130。在进一步的实施例中，固定器可用于在X-方向和y-方向的两个方向的平移。凸缘134，136的从窗ロ部分132的垂直的偏移允许在窗ロ部分132平靠在基底面板110上时窗ロ夹板130被支撑和/或平移。在实施例中，在喷涂环氧的エ艺期间，窗ロ部分132可齐平地靠在基底面板110上或窗ロ部分132可与基底面板110轻微地隔开。图10和11示出了用于将环氧144施加于窗ロ夹板130上并通过窗ロ 138的喷头140。喷头可为已知的用于施加液体环氧的流体分配机构，例如由Nordson Asymtek,Carlsbad, California,USA提供的。也可使用来自其他制造商的喷头。可使用的环氧的类型为来自Henkel AG&Co. KGaA (总部在杜塞尔多夫，德国)的Ablestik WBC-8988UV裸芯安装环氧。也可使用其他类型的环氧。
环氧144可作为来自喷头140的A-状态液体被施加。如下所说明的，环氧可随后经历UV和/或加热以固化环氧为一个或更多的中间B-状态，并且然后最终为完全固化的C-状态。当作为A-状态液体被施加时，环氧144可具有在5rpm的1000至IOOOOcP的粘度，喷头140維持在60°C的温度。应理解的是，这些參数仅为示例的方式，并且在进ー步的实施例中每ー參数可变化。环氧可通过窗ロ 138被喷涂于基底112上，至具有大约在5 iim至50 之间的厚度，但是在进ー步的实施例中该厚度可在这个范围的上或下变化。如图9和10所示，喷头140可在y-方向来回移动，以通过每ー个窗ロ 138施加环氧，毎次ー个窗ロ。喷头140可沿着列上下移动。在窗ロ部分132的表面喷涂的环氧的直径d (图11)至少与对应的窗ロ 138的尺寸(该尺寸横向于喷头140的行进方向)相同，以确保环氧被施加在每ー个窗ロ 138的整个区域上。在所示的实施例中，随着喷头在y_方向沿着一列移动，毎次施加喷涂环氧144于ー个窗ロ。然而，可考虑同时施加环氧144于多于一个的窗ロ。上述实施例涉及窗ロ夹板,该窗ロ夹板具有布置为一列的窗ロ，以与基底面板上的一列基底匹配。在替换实施例中，窗ロ夹板可具有布置为一行的窗ロ，以与基底面板上的 一行基底匹配。当喷头沿窗ロ部分132中的窗ロ 138的列移动时，喷涂的环氧可堆积在窗ロ部分132上的窗ロ 138之间和其周围。随着时间的推移，环氧的这种累积可影响通过窗ロ 138的环氧的施加。因此，在一个实施例中，在步骤280中本系统可移除喷涂至窗ロ部分132上的环氧144。用于移除环氧144的机构在图12中被示出并在下文中被描述。图12示出了窗ロ夹板130和喷涂环氧144至夹板130上的喷头140。图12进ー步示出了清洁跟随器(clean-up follower) 150,用于移除被喷涂至窗ロ 138周围的夹板上的环氧144。清洁跟随器150包括一对滚轮154a，154b，为了旋转，其支撑在两对轴158(每一对中仅ー个轴158在图12中是可见的；每ー对中的第二个轴可在滚轮154a，154b的相反的端部上支撑滚轮154a，154b)上。清洁跟随器150的上端部(未示出)可具有用干支撑两对轴158的基部，和包括驱动电机的织物供给器，用于围绕滚轮154a，154b供给织物160。例如，驱动电机可围绕后面的滚轮154b在Z-方向驱动织物160，并且然后越过前面的滚轮154a在相反的方向中驱动织物160。在清洁跟随器150的上部的织物给进器自身可包括一对滚轮，供给滚轮(用于供给织物160的干净部分向下至滚轮154b)和卷紧滚轮(用于接收来自滚轮154a的织物160的使用过的部分(包括移除的环氧))。在喷头140沿窗ロ 138的列移动时，清洁跟随器150的基部可支持平移，或跟随喷头140。清洁跟随器150可例如安装到沿着y-方向移动喷头的同一平移机构上，或者清洁跟随器150可安装干与喷头140不同的平移机构上。喷头140可喷涂环氧至窗ロ夹板130的边缘130a上，在其上喷头停止喷涂，但是喷头可继续在y_方向平移，以允许清洁跟随器150到达并清洁窗ロ夹板130的边缘130a。在实施例中，织物160可为吸收性的纤维织物。支撑轴158定位滚轮154a，154b与窗ロ部分132的表面相邻，使得织物160在其平移时接触窗ロ部分132的表面，以吸收并移除已喷涂在窗ロ部分132上的环氧。应理解的是，清洁跟随器150可具有广泛类型的其他的结构，用于在窗ロ部分132的表面上驱动织物以移除已喷涂在窗ロ部分132上的环氧。在替换实施例中，清洁跟随器可包括单个滚轮154。可考虑其他的机构。而且，在进ー步的实施例中，可完全省略清洁跟随器150。在这种实施例中，窗ロ夹板130可周期性地改变，以避免在窗ロ夹板130的表面上的环氧的额外累积。图9示出了窗ロ夹板130和已施加环氧144至基底112的大约三分之ニ上的喷头140 (为了清楚，省略了清洁跟随器150)。一旦A-状态液体环氧144被施加至面板110上的所有的基底112上，面板110在步骤282中可被移动至部分固化位置，以部分地固化环氧144至B-状态。这种部分固化步骤避免环氧的扩散，但是依然允许环氧将半导体裸芯接收并接合至基底上(如下文所说明的)。固化步骤282可为UV固化步骤，但是在进ー步的实施例中可为加热固化步骤。当清洁跟随器150可从窗ロ夹板130的上表面移除环氧时，环氧也可在窗ロ 138的侧壁堆积。因此，在实施例中，可周期性地执行窗ロ清洁步骤286。图13和14示出了窗ロ清洁机构164的例子，其包括在供给滚轮170和卷紧滚轮172之间连接的织物168。可通过电机(未示出)驱动卷紧滚轮172，以在箭头a的方向在滚轮170，172之间移动织物168。 当窗ロ夹板130与基底面板110分离时(在喷涂环氧144的同一工具中，或在不同的工具中)，窗ロ清洁机构164可清洁窗ロ夹板130的窗ロ 138。窗ロ清洁机构164进ー步包括活塞180，其被形成为具有与窗ロ 138近似的尺寸和形状。活塞180可略小于窗ロ 138，以为在窗ロ 138的侧壁和活塞180之间的织物留下空间。在操作中，窗ロ夹板130可支撑在窗ロ清洁机构164上，同时窗ロ 138对准在活塞180上。然后可向上驱动活塞，通过对准的窗ロ 138，因此织物168被向上推动通过窗ロ。织物168与窗ロ的侧壁接触，以吸收并移除可沉积在侧壁上的环氧。然后可移除活塞，移动窗ロ夹板130以与下一个窗ロ 138 (将在活塞180上被清洁)对准，并且连续地重复该エ艺直至每ー个窗ロ 138被清洁。可周期性地执行这种操作，例如在施加环氧144至整个面板110上之后。也可在施加环氧至面板110上的一个或更多列的基底之后执行该步骤。在进一步的实施例中，也可以其他的间隔执行该步骤。而且，在进ー步的实施例中，可完全省略窗ロ清洁机构164。在这种实施例中，窗ロ夹板130可周期性地改变，以避免在窗ロ 138的侧壁中的环氧的过度累积。现在，返回至图4的流程图，在如上所述的裸芯安装环氧被施加之后，在步骤234中，裸芯102可被安装至每ー个基底112，在B-状态环氧144的顶部上。在步骤236中，执行裸芯安装环氧144的进ー步固化。在实施例中，该固化可为足够将半导体裸芯102接合在适当的位置的中间固化，但是仍不是C-状态的。在进ー步的实施例中，进ー步固化的步骤236可为将环氧144完全固化到最終的C-状态。当环氧被部分地固化而达不到C-状态时，可在温度为90°C及时间为30分钟的加热エ艺中执行固化步骤236。应理解的是，在进一步的实施例中，该温度和持续时间可变化。当环氧被完全固化至C-状态时，可在温度为175°C及时间为2小时的加热エ艺中执行固化步骤236。应理解的是，在进ー步的实施例中，该温度和持续时间可变化。在步骤240中，通过连接在裸芯102上的裸芯键合焊垫104与基底112上的接触焊垫120之间的导电线，裸芯102可引线键合至基底112。可考虑在裸芯102的顶部可安装ー个或更多额外的裸芯。当安装额外的裸芯时，在步骤240中也可将这些裸芯引线键合至基底。图15示出了裸芯102通过引线键合182引线键合至基底112的边视图。控制器裸芯184也可安装在裸芯叠层的顶部上，并在步骤240中引线键合至基底。控制器裸芯184可例如为ASIC，但是在进ー步的实施例中可为其他的控制器裸芯。在步骤242中，在叠层上的裸芯102和任何额外的裸芯被引线键合至基底112之后，裸芯叠层在步骤242中可被封装在模塑料188中。模塑料188可为已知的诸如从Sumitomo公司和Nitto Denko公司(二者均在日本设有总公司)得到的环氧树脂。
如上所表明的，在步骤236中，在将裸芯102安装于基底112上之后，环氧144可仅部分地固化。如果这样的话，在封装步骤242之后，可执行最終的固化步骤244，以在其设置之处将环氧144完全固化至C-状态环氧。当在步骤236中较早地执行了完全的C-状态环氧的固化吋，步骤244可省略。在步骤248中，封装和固化后的装置可然后与基底面板分离，以形成完成的半导体器件190 (如图15所示)。在步骤250中，可检查和测试完成的半导体器件190。在ー些实施例中，在步骤252中完成的半导体器件190可选择性地封装进盖子中。上述的窗ロ夹板130可包括单列窗ロ 138。如所说明的，替换地，可有多于一列窗ロ 138，如图16中所示的实施例。在图16的实施例中，窗ロ夹板130具有四列窗ロ 138的阵列。当使用图6所示的基底面板110时，面板可放置在左边的第一组十六个基底上(或反之亦然)，并且当夹板130保持静止时所有的十六个可涂布上环氧。夹板130可然后移动至右边的第二组十六个基底上(或反之亦然)，并且第二组可被涂布。可考虑窗ロ夹板130具有的列数可与面板110上的基底列的数目相同。在这些实施例中，每一列中的窗ロ与将环氧施加至每ー个基底的位置对准。图17-22示出了窗ロ 138的不同的实施例，可提供在窗ロ夹板130上。图17示出了上述的实施例，窗ロ 138与半导体裸芯102 (安装于通过窗ロ 138施加的环氧144上)的总体的尺寸、形状和方向匹配。(为了清楚起见，在图17-22的每ー个图中，半导体裸芯102以虚线示出)。在图18中，窗ロ 138在长度和宽度上比裸芯102小，导致比裸芯区域小的环氧区域。窗ロ 138的形状不是必须为矩形。在实施例中，窗ロ 138可为圆形，卵形或椭圆的。在图18的实施例中，角部显示为倒圆的。在图19中，窗ロ 138具有比裸芯102小的长度，且在图20中，窗ロ 138具有比裸芯102小的宽度。直到此处，所述的窗ロ 138具有单ー的开ロ，其在进ー步的实施例中不是必须为这样。图21示意了窗ロ 138的开ロ为对角狭缝的实施例。这会导致环氧144的条被施加至裸芯102下方的基底112上。在进ー步的实施例中狭缝可为垂直的或水平的。图22示意了窗ロ 138的开ロ为圆形的孔的实施例。这会导致环氧144的圆形区被施加至裸芯102下方的基底112上。可考虑窗ロ 138的其他结构。在实施例中，半导体裸芯102可为ー个或更多的闪存芯片，因此，结合控制器裸芯184，装置190可用作闪存装置。应理解的是装置190可包括构造为在本系统的进一步实施例中执行其他功能的半导体裸芯。装置190可用于多个标准存储卡中，该标准存储卡包括但不限于紧凑型闪存卡(CompactFlash card)、智能媒介(SmartMedia)卡、存储棒、安全数字卡、迷你SD (miniSD)卡、微SD (microSD)卡、USB存储卡等。总的来说，在实施例中，本技术涉及ー种基底面板，该基底面板包含多个基底；和多个施加裸芯安装环氧的离散区域，该区域没有基底上的半导体裸芯。
在进ー步的实施例中，本技术涉及用于形成基底面板的系统，该系统包含具有多个基底的面板，每ー个基底包括用于接收半导体裸芯的区域；和窗ロ夹板，其能够被接收于面板之上，并且包括一个或更多的窗ロ，通过该窗ロ环氧被施加到基底上接收半导体裸芯的区域。在另ー实施例中，本技术涉及制造半导体面板的方法，该方法包含以下步骤(a)在面板上限定多个基底，每ー个基底包括导电图案和用于接收半导体裸芯的区域；以及
(b)施加液体环氧于每ー个基底的用于接收半导体裸芯的区域。在又一个实施例中，本技术涉及制造半导体器件的方法，该方法包含以下步骤(a)在面板上限定多个基底，每ー个基底包括导电图案和用于接收半导体裸芯的区域；(b)在基底面板的至少一部分上安置窗ロ夹板，窗ロ夹板包括一列和一行窗口中的至少之ー； (C)通过至少一列或行窗ロ喷涂液体环氧至基底的用于接收半导体裸芯的区域上；以及(d)在基底的区域上安装半导体裸芯，该区域在所述步骤(C)中接收所述液体环氧。前面为了图示和说明的目的已经对本发明进行了详细的描述。它不意味着是穷举的或限制本发明到所公开的精确形式。根据上面的教导，很多修改和变化都是可能的。所描述的实施例选择为最好地说明本发明及其实际应用的原理，以因此在适合于所考虑的实际使用时，能够使其它技术人员更好地利用各种实施例中和各种修改的本发明。本发明的范围g在由所附的权利要求限定。
权利要求
1.ー种基底面板，包含 多个基底；以及 多个施加裸芯安装环氧的离散区域，该区域没有所述基底上的半导体裸芯。
2.根据权利要求I所述的基底面板，其中施加所述裸芯安装环氧的离散区域的尺寸和形状与欲安装于所述基底面板上的半导体裸芯的尺寸和形状匹配。
3.根据权利要求I所述的基底面板，其中施加所述裸芯安装环氧的离散区域的尺寸和形状小于欲安装于所述基底面板上的半导体裸芯的尺寸和形状。
4.ー种形成基底面板的系统，包含 具有多个基底的面板，每ー个所述基底包括用于接收半导体裸芯的区域；以及 窗ロ夹板，所述窗ロ夹板能够被接收于所述面板之上，并且包括一个或更多的窗ロ，通过该窗ロ环氧被施加至所述基底上接收半导体裸芯的所述区域。
5.根据权利要求4所述的系统,其中所述ー个或更多的窗ロ为一列窗ロ，该一列窗ロ与所述面板上的一列基底的数量和位置匹配。
6.根据权利要求5所述的系统,其中所述一列窗ロ与在一列基底中的用于接收半导体裸芯的区域的尺寸、形状和位置对应。
7.根据权利要求4所述的系统,其中所述ー个或更多的窗ロ为一行窗ロ，该一行窗ロ与所述面板上的一行基底的数量和位置匹配。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述一行窗ロ与在一行基底中的用于接收半导体裸芯的区域的尺寸、形状和位置对应。
9.根据权利要求4所述的系统，其中所述ー个或更多的窗ロ包含窗ロ的多列和多行的阵列，该窗ロ阵列的列和行与所述面板上的多个基底的列和行的数量和位置匹配。
10.根据权利要求4所述的系统，进一歩包含清洁跟随器，用于将施加于所述窗ロ夹板的环氧移除。
11.根据权利要求10所述的系统，所述清洁跟随器包括织物，该织物接触所述窗ロ夹板以吸收施加于所述窗ロ夹板的环氧。
12.根据权利要求10所述的系统，进一歩包含窗ロ清洁机构，用于移除施加于所述窗ロ夹板的一个或更多的窗ロ的侧壁的环氧。
13.根据权利要求4所述的系统，进一歩包含喷头，用于通过所述ー个或更多的窗ロ施加液体环氧。
14.根据权利要求13所述的系统，其中所述喷头安装为沿着所述窗ロ夹板中的一列或一行窗ロ平移。
15.一种用于制造半导体面板的方法，包含以下步骤 (a)在所述面板上限定多个基底，每ー个基底具有导电图案和用于接收半导体裸芯的区域；以及 (b)施加液体环氧于每ー个基底的所述用于接收半导体裸芯的区域。
16.根据权利要求15所述的方法，进ー步包含遮蔽在所述基底上的所述用于接收半导体裸芯的区域之外的部分的步骤，以防止液体环氧施加于所述基底的所述部分。
17.根据权利要求15所述的方法，所述步骤(b)包含使用具有窗ロ的窗ロ夹板的步骤，环氧通过该窗ロ喷涂。
18.根据权利要求17所述的方法，进ー步包含移除施加于所述窗ロ夹板的环氧的步骤⑷。
19.根据权利要求15所述的方法，进ー步包含在所述步骤(b)之后部分固化环氧为B-状态环氧的步骤(e)。
20.根据权利要求 15所述的方法，所述步骤(b)包含同时施加所述环氧于基底的整个列的步骤。
21.根据权利要求15所述的方法，所述步骤(b)包含同时施加所述环氧于基底的整个行的步骤。
22.根据权利要求15所述的方法，所述步骤(b)包含同时施加所述环氧于多列和多行的阵列的步骤。
23.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤 (a)在所述面板上限定多个基底，每ー个基底包括导电图案和用于接收半导体裸芯的区域； (b)在所述基底面板的至少一部分上安置窗ロ夹板，所述窗ロ夹板包括一列和一行窗口中的至少之ー； (C)通过所述至少一列或行窗ロ喷涂液体环氧至所述基底的所述用于接收半导体裸芯的区域上；以及 (d)在所述基底的所述区域上安装半导体裸芯，所述区域在所述步骤(c)中接收所述液体环氧。
24.根据权利要求23所述的方法，进ー步包含所述窗ロ夹板遮蔽所述基底的用于接收所述半导体裸芯的区域之外的部分的步骤，以防止液体环氧施加于所述基底的所述部分。
25.根据权利要求23所述的方法，进ー步包含移除施加于所述窗ロ夹板的环氧的步骤(e)。
26.根据权利要求23所述的方法，进ー步包含在安装半导体裸芯于所述基底的所述区域上的所述步骤(d)之前的部分固化所述环氧的步骤(f)。
27.根据权利要求26所述的方法，进ー步包含在安装半导体裸芯于所述基底的所述区域上的所述步骤(d)之后的进ー步固化所述环氧的步骤(g)。
28.根据权利要求23所述的方法，所述步骤(c)包含沿着所述列或行中的ー个移动喷涂所述环氧的喷头，以通过所述列或行的窗ロ喷涂所述环氧。
全文摘要
公开一种系统和方法，用于在基底面板上的基底施加裸芯安装的环氧。所述系统包括窗口夹板，该窗口夹板具有一个或更多的窗口，通过该窗口所述环氧可被施加至基底面板上。所述一个或更多的窗口的尺寸和形状与基底上的接收裸芯安装环氧的区域的尺寸和形状对应。一旦裸芯安装环氧通过窗口夹板的窗口喷涂至基底上，裸芯可粘结在基底上并且环氧在一个或更多的固化步骤中固化。所述系统可进一步包括用于从窗口夹板清除环氧的清洁跟随器，和用于清除窗口夹板的窗口的侧壁的环氧的窗口清洁机构。
文档编号H01L23/28GK102870213SQ201180004824
公开日2013年1月9日 申请日期2011年10月14日 优先权日2011年5月5日
发明者顾伟, 吕忠, S.巴加思, 邱进添, H.塔基亚, 刘向阳 申请人:晟碟半导体(上海)有限公司, 晟碟信息科技(上海)有限公司