专利名称：电子部件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜、且具有除电效果的粘合片的电子部件的制造方法。
背景技术：
近年来，伴随着以半导体装置为代表的电子部件的高精密化、高集成化，存在制造工序中电子部件的带电会影响其后的特性的担心。例如，在半导体装置的制造工序中切割半导体晶圆时，在该半导体晶圆的背面贴合切割用的粘合片而进行。该粘合片是例如在基材上依次层叠有粘合剂层和隔离膜的结构。隔离膜在使用粘合片时被剥离，在剥离时有时会在分离成2个的隔离膜和粘合剂层的表面产生电荷而带电。将半导体晶圆贴合在这种带电状态的粘合剂层上的情况下，有时会引起对前述半导体晶圆的放电。其结果，根据不同情况，存在形成于半导体晶圆表面的电路被破坏而不能正常工作的问题。 针对该问题，在下述专利文献I中公开了通过在粘合剂层中添加表面活性剂等抗静电剂，使粘合剂层表面的带电电荷量减少的发明。但是，近年来，从作为电子部件的半导体装置的角度来看，小型化飞速发展，抗静电、以及为了能够进行精密的加工的加工时的半导体晶圆的保持性变得重要。以往添加抗静电剂的粘合剂层中，有时抗静电剂偏析在粘合剂层表面，从而粘合力降低，不能进行精密的加工。另外，仅添加抗静电剂有时粘合剂层表面的带电电位的降低不充分，依然有半导体晶圆表面的电路破坏，导致不能正常工作的担忧。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2002-285134号公报
发明内容
_7] 发明要解决的问题 本发明鉴于前述问题点而进行，其目的在于，提供一种电子部件的制造方法，其中，在使用粘合片制造电子部件时，通过短时间内有效地除去该粘合片上带电的电荷，可防止对形成于电子部件的电路等的静电破坏。
_9] 用于解决问题的方案本申请发明人等为了解决前述现有的问题，对电子部件的制造方法进行了研究。结果发现，通过采用下述构成，可解决前述课题，从而完成了本发明。即，本发明的电子部件的制造方法的特征在于，其是为了解决前述课题，使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法，其中，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定，该方法至少具有以下工序将前述隔离膜从前述粘合剂层剥离的工序；和除去前述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和将电子部件贴合在除电后的前述粘合剂层上的工序。在用隔离膜保护表面的粘合剂层中，存在剥离隔离膜时在粘合剂层表面带有电荷的情况。对于该带电电荷，可通过在将电子部件贴合于粘合剂层之前进行除电来除去或减少。在此处，本发明中，作为粘合片，使用具有表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合剂层的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L 1094的电荷衰减测定法测定。为这种粘合片时，能够在短时间内高效地进行粘合剂层表面的除电，因此在将电子部件粘附在粘合剂层上时也能够充分抑制对电子部件的放电。其结果，可谋求电子部件的制造产量的提高。在前述构成中，作为前述粘合片，优选使用在前述粘合剂层中相对于其基础聚合物100重量份添加有0. 01重量份 30重量份范围内的离子液体的粘合片。如果为在粘合剂层中添加有离子液体的粘合片，则可赋予该粘合剂层以导电性。其结果，即使由隔离膜的剥离而导致在粘合剂层表面带有电荷，也能够促进放电，因此除电变得容易。另外，由于离子液体能够在粘合剂层中均匀地存在，因此可有效地将整个粘合剂层表面的带电电荷除去。在此处，通过将离子液体的添加量相对于粘合剂层的基础聚合物100重量份设为0. 01重量份以上，可有效地将整个粘合剂层表面的带电电荷除去。另一方面，通过将前述添加量 相对于粘合剂层的基础聚合物100重量份设为30重量份以下，可防止将粘合片从电子部件剥离时的污染。在前述构成中，前述粘合片的前述粘合剂层中的基础聚合物至少由以下成分形成由具有碳数广14的烷基的丙烯酸酯、或具有碳数f 14的烷基的甲基丙烯酸酯中的至少任一种形成的丙烯酸系聚合物；和极性高的单体，对于前述极性高的单体而言，相对于前述丙烯酸系聚合物100重量份，优选配混0. I重量份以上。通过使用相对于前述丙烯酸系聚合物100重量份配混了极性高的聚合物0. I重量份以上的粘合片，可提高基础聚合物和离子液体的相容性。由此，可防止离子液体向粘合剂层表面偏析，可抑制粘合剂层的粘合力的降低。其结果，进行电子部件的加工，例如进行半导体晶圆的切割时，可防止单片化的半导体芯片的飞散、实现产量的进一步的提高。在前述构成中，作为前述粘合片，优选使用属于前述粘合剂层的构成成分的基础聚合物的酸值为广200的粘合片。通过使前述基础聚合物的酸值为I以上，可抑制粘合剂层的粘合力降低。其结果，例如进行半导体晶圆的切割时，可防止单片化的半导体芯片的飞散、实现产量的进一步提高。另一方面，通过使前述酸值为200以下，可维持高的粘合性。其中，前述酸值是指，中和Ig试样中所含的COOH基所需的氢氧化钾的mg数。另外，在前述构成中，作为前述粘合片，优选使用属于前述粘合剂层的构成成分的基础聚合物具有羧基的粘合片。使用含羧基的聚合物作为基础聚合物时，可提高粘合剂层的粘合力。其结果，例如进行半导体晶圆的切割时，可防止单片化的半导体芯片的飞散、实现广量的进一步提闻。优选的是，在前述构成中，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的构成成分为辐射线聚合性的低聚物的粘合片。进而优选的是，在前述构成中，作为前述粘合片，使用前述隔离膜为聚烯烃薄膜或聚酯薄膜的粘合片。另外，本发明的粘合片的特征在于，为了解决前述课题而用于前述电子部件的制造方法中。
发明的效果本发明使用具有表面带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合剂层的粘合片来制造电子部件，所述半衰期利用基于JISL1094的电荷衰减测定法测定。如果前述带电电荷半衰期为900秒以下，则在除去隔离膜剥离后的粘合剂层表面的带电电荷时，可短时间内有效地对整个粘合剂层表面进行除电。由此，在粘合剂层上粘附例如半导体晶圆等电子部件时，对电子部件的放电也受到抑制，可谋求提高电子部件的制造产量。
图I是用于说明本发明的一个实施方式的电子部件的制造方法的示意图。图2是表示本发明的实施例等中用于测定剥离带电电压的电位测定部的构成示意图。
具体实施例方式以下对本发明的一个实施方式的电子部件的制造方法进行说明。图I是示意性地表示本实施方式的电子部件的制造方法的说明图。如图I的(a)所示，本实施方式的电子部件的制造方法使用在基材11上至少依次层叠有粘合剂层12和隔离膜13的粘合片10。更具体而言，至少具有以下工序将隔离膜13从前述粘合片10中的粘合剂层12剥离的工序；和除去前述粘合剂层12的表面的带电电荷的工序；和在除电后的如述粘合剂层12上贴合电子部件14的工序。对该制造方法中的电子部件没有特别限定，可使用公知的电子部件。作为电子部件的具体例，可列举出例如，以硅、镓-砷、锗、氮化镓等为构成材料的半导体、半导体晶圆，将其集成 封入所得的半导体封装体，以及以红宝石、玻璃、陶瓷等为构成材料的基板等。以下，将半导体晶圆作为电子部件的例子，对本实施方式进行说明，但电子部件并不限定于半导体晶圆。首先，将隔离膜13从粘合片10的粘合剂层12上剥离。此时，粘合剂层12的表面和隔离膜13带有电荷。作为剥离方法没有特别限定，由于增大剥离速度来剥离隔离膜13的情况下粘合剂层12和隔离膜13各自带电的电荷量会增大，因此优选减小剥离速度来剥离隔离膜13。对于剥离条件，具体而言优选例如在温度25°C、相对湿度55%、剥离速度IOOmm/min 5000mm/min、剥离角度180°下进行。接着，除去粘合剂层12表面的带电电荷。作为除电方法没有特别限定，例如可以使用利用自行放电式除电器；交流式除电器、直流式除电器、鼓风式除电器、利用压缩空气的除电装置、利用电晕放电的除电装置等电除电器；紫外线或软X射线式除电装置等。除电后的粘合剂层12的表面的带电电压优选为200V以下、更优选为100V以下、特别优选为50V以下。在此处，本实施方式中，作为前述粘合片10，使用前述粘合剂层12的表面的带电电荷的半衰期为900秒以下、优选为0. 01秒飞00秒、更优选为0. 01秒 300秒的粘合片。带电电荷的半衰期大于900秒时，有时粘合剂层12表面的除电变得不充分。其结果，将半导体晶圆14贴合在粘合剂层12上时，有时对前述半导体晶圆14发生放电，形成于半导体晶圆14表面的电路被破坏，变得无法正常地工作。其中，前述带电电荷的半衰期是利用基于JIS L 1094的电荷衰减测定法求出的值。例如，可以使用带电电荷衰减度测定器(Startichonestmeter) (SHISHIDO ELECTRO STATIC, LTD.制造、型号H_0110)，在外加电压 10V、测定时间900秒、温度20°C、相对湿度40%Rh的环境下进行测定。接着，将半导体晶圆14贴合在除电后的粘合剂层12上(参照图I的(d))。对于贴合，例如，将半导体晶圆14压接在粘合剂层12上，使其粘接保持并固定。本工序是边通过压接辊等挤压手段进行挤压边进行的。贴合时的粘附温度没有特别限定，例如优选为200C 80°C的范围内。接着，在本实施方式中，可以对粘附在粘合剂层12上的半导体晶圆14进行切割。通过该切割，将半导体晶圆14切断成规定的大小，进行单片化，制造半导体芯片15。切割从例如半导体晶圆14的电路面侧开始进行。对切割工序中使用的切割装置没有特别限定，可使用以往公知的切割装置。另外，在粘合剂层12中添加后述的离子液体的情况下，由于该离子液体在粘合剂层12的表面渗出与表面活性剂等相比受到了抑制，因此可防止粘合力的降低。其结果，半导体晶圆14由于通过粘合剂层12被可靠地粘接固定，因此可抑制芯片缺口、芯片飞散，并且还可抑制半导体晶圆14的破损。其中，切割条件可根据需要适宜设 定。为了剥离粘接固定在粘合剂层12上的半导体芯片15，进行半导体芯片15的拾取。对拾取的方法没有特别限定，可列举出例如，利用针形件从粘合片10的基材11侧顶起各半导体芯片5，利用拾取装置将顶起的半导体芯片15拾取的方法等。在此处，粘合剂层12为辐射线固化型的情况下，拾取优选在对该粘合剂层12照射辐射线之后进行。由此，粘合剂层12对半导体芯片15的粘合力降低，因此可容易地进行半导体芯片15的剥离。其结果，能够拾取而不使半导体芯片15损伤。对辐射线照射时的照射强度、照射时间等条件没有特别限定，可根据需要适当设定。接着，对本实施方式中使用的粘合片10进行如下详述。对于本实施方式的粘合剂层12，如前所述，其表面的带电电荷的半衰期为900秒以下就没有特别限定，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定。对于作为粘合剂层12的构成成分的粘合剂组合物，例如，优选配混有除电剂。本发明中，除电剂是指配混在粘合剂层12中从而赋予粘合剂层12以导电性，由此促进放电的物质。另外，本发明中，作为前述除电剂，优选离子液体。这是因为，离子液体是液态的有机化合物，对粘合剂组合物中的基础聚合物(详细情况将在后面叙述)的相容性良好。由此，可抑制离子液体在粘合剂层12的表面偏析，还可防止粘合力的降低。其中，离子液体是指，在室温(25°C)下呈液态的熔融盐(离子化合物)。另外，相容性是指，利用适当的混合方法(熔融共混、溶液共混)将离子液体和基础聚合物混合时，均匀地混合且难以相分离的性质。其中，优选使用含氮鎗盐、含硫鎗盐、或者含磷鎗盐，从能够得到优异的抗静电性能的理由出发，特别优选使用由下述通式(A广(D)所示的有机阳离子成分和阴离子成分组成的离子液体。[化学式I]
权利要求
1.一种电子部件的制造方法，其为使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法， 作为所述粘合片，使用所述粘合剂层的表面的带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定， 所述制造方法至少具有以下工序 将所述隔离膜从所述粘合剂层剥离的工序；和 除去所述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和 在除电后的所述粘合剂层上贴合电子部件的工序。
2.根据权利要求I所述的电子部件的制造方法，其中，作为所述粘合片，使用在所述粘合剂层中添加有相对于其基础聚合物100重量份在0. 01重量份 30重量份范围内的离子 液体的粘合片。
3.根据权利要求2所述的电子部件的制造方法，其中，所述粘合片的所述粘合剂层的基础聚合物至少由以下成分形成 由具有碳数f 14的烷基的丙烯酸酯、或具有碳数f 14的烷基的甲基丙烯酸酯的至少任一种形成的丙烯酸系聚合物；和 极性高的单体， 相对于所述丙烯酸系聚合物100重量份，配混0. I重量份以上所述极性高的单体。
4.根据权利要求广3中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，作为所述粘合片，使用作为所述粘合剂层的构成成分的基础聚合物的酸值为广200的粘合片。
5.根据权利要求r4中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，作为所述粘合片，使用作为所述粘合剂层的构成成分的基础聚合物具有羧基的粘合片。
6.根据权利要求1飞中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，作为所述粘合片，使用所述粘合剂层的构成成分为辐射线聚合性的低聚物的粘合片。
7.根据权利要求1飞中任一项所述的电子部件的制造方法，其中，作为所述粘合片，使用所述隔离膜为聚烯烃薄膜或聚酯薄膜的粘合片。
8.一种粘合片，其用于权利要求广7中任一项所述的电子部件的制造方法中。
全文摘要
本发明提供一种电子部件的制造方法，其在使用粘合片制造电子部件时，通过将该粘合片中带电的电荷在短时间内有效地除电，可防止对形成于电子部件的电路等的静电破坏。本发明为使用在基材上至少依次层叠有粘合剂层和隔离膜的粘合片的电子部件的制造方法，作为前述粘合片，使用前述粘合剂层的表面的带电电荷的半衰期为900秒以下的粘合片，所述半衰期利用基于JIS L1094的电荷衰减测定法测定，该制造方法至少具有以下工序将前述隔离膜从前述粘合剂层剥离的工序；和除去前述粘合剂层的表面的带电电荷的工序；和在除电后的前述粘合剂层上贴合电子部件的工序。
文档编号H01L21/301GK102741983SQ20118000483
公开日2012年10月17日 申请日期2011年8月4日 优先权日2010年8月6日
发明者东别府优树, 山本晃好 申请人:日东电工株式会社