用于半导体工件的处理组件及其处理方法与流程

用于半导体工件的处理组件及其处理方法一般而言，通过在诸如硅晶片之类的半导体基板上形成电路的制造过程来制造半导体装置。制造过程通常包括诸如沉积、平坦化、光刻及离子注入的不同工艺步骤的各种顺序。在各种处理步骤之间进行清洁(诸如，蚀刻及冲洗)步骤以自基板移除污染物。举例而言，在半导体制造中通常将铜沉积于硅晶片上。然而，众所熟知，铜离子充当半导体制造中的污染物。就此而言，铜离子将扩散至硅内且改变硅的传导率。此外，在斜面处的铜沉积可剥落且不稳定，且因此通常需要某种蚀刻。因此，较佳地在铜沉积工艺后自工件的所有表面清洁或蚀刻铜离子以便防止污染及/或不当的剥落。用于半导体的典型铜清洁溶液为稀释过氧化硫化学物。此化学物或其它清洁溶液可用以清洁工件的后侧、在边缘(斜面)周围清洁及在前侧上的其它特定区上清洁。在先前设计的腔室中，晶片上的遮蔽区防止晶片完全暴露至清洁化学物(此会导致污染)。此外，在腔室中的用于收集废清洁化学物的化学物收集区未经最佳化来防止化学品溅出，从而也导致污染及不良蚀刻(例如，在斜面蚀刻工艺期间对前侧表面或后侧表面的蚀刻)。此外，化学物收集未经最佳化以用于回收及重新使用。因此，存在对经设计以通过减少的遮蔽及改善的化学物收集技术来清洁工件以使溅出最小化及使回收最佳化的腔室的需求。

技术实现要素：
提供此发明内容以按简化形式介绍以下在具体描述中进一步描述的概念的选择。此发明内容并不意欲识别所要求保护的主题的关键特征，也不意欲用作对判定所要求保护的主题的范围的辅助。根据本发明的一个实施例，提供一种用于半导体工件的处理组件。所述处理组件大体包括配置为用于旋转工件的转子组件、用于将化学物输送至所述工件的化学物输送组件及用于自所述工件收集废化学物的化学物收集组件。所述化学物收集组件包括配置为与所述转子组件一起旋转的堰。根据本发明的另一实施例，提供一种用于半导体工件的处理组件。所述处理组件大体包括能够旋转工件的转子组件，所述转子组件包括第一及第二转子。所述第一转子能移动以调整在所述第一转子上的第一工件接收部分与在所述第二转子上的第二工件接收部分之间的轴向间距，且所述第一转子包括涡旋空腔，所述涡旋空腔产生压差用于对在所述第一工件接收部分抑或所述第二工件接收部分上的所述工件加力。所述处理组件进一步包括用于将化学物输送至所述工件的化学物输送组件，及用于自所述工件收集废化学物的化学物收集组件。根据本发明的另一实施例，提供一种用于处理半导体工件的方法。所述方法大体包括当工件在第一转子上时，在第一工艺步骤中将化学物输送至所述工件。所述方法进一步包括将所述工件自所述第一转子转移至第二转子，及当所述工件在所述第二转子上时，在第二工艺步骤中将化学物输送至所述工件。所述方法进一步包括当所述工件在所述第一转子及所述第二转子中的任一个上时，在旋转堰中收集来自所述工件的废化学物。附图简要说明当结合附图参考以下具体描述时，本发明的前述方面和许多伴随优势将变得更易于理解，其中：图1为根据本发明的一个实施例的处理组件的等角视图；图2为图1的处理组件的一部分的横截面等角视图；图3为图2的处理组件的部分的部分横截面分解图；图4为图2中显示的处理组件的部分的横截面图，其中转子组件处于用于接收工件的第一位置中；图5为图2中显示的处理组件的部分的横截面图，其中转子组件处于用于处理工件的第二位置中；及图6为图2中显示的处理组件的部分的横截面图，其中转子组件处于用于处理工件的第三位置中。具体描述本发明的实施例涉及用于处理工件(诸如，半导体晶片)的处理组件及处理方法。术语工件、晶片或半导体晶片意谓任何平的媒体或物品，包括半导体晶片及其它基板或晶片、玻璃、掩模及光学媒体或存储器媒体、MEMS基板，或具有微电、微机械或微机电装置的任何其它工件。通过参看图1至图4可以最佳地理解根据本发明的一个实施例建构的处理组件10。处理组件10具有外壁20和能定位转子组件24，所述外壁20限定内处理腔室22，能定位转子组件24用于接收、定位及旋转安置于处理腔室22内的工件W。处理组件10进一步包括用于将化学物输送至工件W的化学物输送组件26及用于收集经使用的化学物及弃置或再循环经使用的化学物的化学物收集组件28。虽然经显示及描述为涉及设计为用于清洁半导体工件的清洁或蚀刻组件，但应理解，本发明的实施例可适用于其它非清洁半导体制造应用中。本文中使用的空间相对术语(例如，顶部、前、底部、后、高、中间、低、上、下、向上、向下等)用以为读者简化所说明的实施例的描述，且并不意欲为限制性。转子组件24可配置于多个位置中以实现工件W的各种处理结果(例如，见图4至图6)。当转子组件24处于自动位置(例如，第一位置)中时，在处理组件10中接收工件W(见图4)。在已接收到工件W后，可在用于处理工件W的处理位置(例如，第二及第三位置)(见图5及图6)中经由一系列工艺步骤移动转子组件24。一般而言，当转子组件24处于第二位置(见图5)中时，可完全处理工件外边缘(斜面)及顶表面(前侧)，且当转子组件行进经过第二位置及第三位置这两个位置(见图5及图6)时，可完全处理工件底表面(后侧)，如以下更详细地描述。现将描述转子组件24。参看图2及图3，转子组件24大体包括用于接收、定位及旋转工件W(图4中显示的工件W)的同心的第一转子30及第二转子32。驱动组件34围绕中心轴38转动转子30及32，且致动组件36将线性移动传输至转子组件24的至少一部分。如可在图2及图3中看出，下部外壳部分100内含有驱动组件34及致动组件36两者，下部外壳部分100经设计以保护这些部件免受穿过处理组件10的内腔室22的化学物或其它环境污染的影响。驱动组件34包括旋转马达，所述旋转马达用于经由传输组件44驱动转子组件24。传输组件44包括第一耦接器46及第二耦接器62。第一耦接器46的上部边缘耦接至第二转子32的基座部分70，用于将扭力传输至第二转子32。第一耦接器46接着经由第二耦接器62将扭力传输至第一转子30。在所说明的实施例中，第一耦接器46也充当第二耦接器62的保护外壳。第二耦接器62为能扩大耦接装置，如通过比较图4至图6中的第二耦接器62的大小看出。作为非限制性实例，第二耦接器62可为手风琴式伸缩囊，由诸如碳氟化合物聚合物、聚丙烯或聚乙烯的聚合物材料制造。合适的聚合物可包括(但不限于)聚四氟乙烯(PTFE)、全氟烷氧基(PFA)、氟化乙烯丙烯(FEP)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯氯三氟乙烯(ECTFE)、聚氯三氟乙烯(PCTFE)及乙烯四氟乙烯(ETFE)。在非限制性实例中，第二耦接器为PTFE伸缩囊，具有约0.015吋或更大的壁厚度。能扩大聚合物耦接器62在处理腔室22中的化学物与中心轴38之间提供防酸屏障。就此而言，中心轴38典型地由金属制造，可经润滑，且可包括滚珠轴承部件。因此，屏蔽第二耦接器62防止中心轴38中的流体或其它污染，若允许出现流体或其它污染，则可能造成零件故障。因为第二耦接器62能扩大，所以当使转子组件24致动经过转子组件的各种位置(见图4至图6)时，第二耦接器62保护中心轴38。本发明人确定第二耦接器62当由聚合物材料制造时具有足够的硬度以将扭力自第二耦接器46传输至第一转子30。如在图4中看出，第二耦接器62还可提供内壁，所述内壁限定第二转子32的内腔78。中心轴38轴向移动，但中心轴不转动。因此，转子30及32围绕中心轴38旋转。如在图2及图3中看出，中心轴38为中空轴，配置为接收用于处理工件W的其它元件或器具。举例而言，如在所说明的实施例中看出，轴38容纳化学物输送组件26的喷嘴94(用于至工件W的后侧的化学物输送)，如在以下更详细地描述。致动组件36耦接至转子组件24，用于致动转子组件24以改变各个第一转子30及第二转子32的第一工件接收部分40与第二工件接收部分42的相对定位。举例而言，比较在图4至图6中的第一工件接收部分40与第二工件接收部分42的定位。致动组件36包括致动器48以升高及降低耦接至中心轴38的臂64。合适的致动器的非限制性实例包括气动致动器或伺服驱动式致动器。中心轴38包括用于与第一转子30耦接的耦接部分110。经由臂64，致动器48将线性移动(例如，上下移动)传输至第一转子30。作为非限制性实例，致动装置可为滚珠花键。在所说明的实施例中，致动组件36配置为仅将线性移动传输至第一转子30，且不传输至第二转子32。就此而言，第一转子30耦接至中心轴38，但第二转子32不耦接至中心轴38，且仅围绕中心轴38转动。然而，在本发明的其它实施例中，致动组件36可配置为将线性移动传输至第二转子32，或致动组件36可配置为独立地移动第一转子30及第二转子32中的任一个或两者以改变轴向间距。第一转子30及第二转子32经设计及配置以使得转子组件24可定位于各种定向上以改变各个第一转子30及第二转子32的工件接收部分40与42之间的轴向间距。在所说明的实施例中，转子组件24能定位于至少三个定向上，如下：(1)第一转子30相对于第二转子32“高”，所述“高”位置经选择以用于自处理腔室22接收工件W或将工件W转移至处理腔室22(见图4)；(2)第一转子30相对于第二转子32在“中间”，所述“中间”位置经选择以用于大体处理工件W的外边缘或斜面、工件W的前侧或顶表面以及工件W的后侧或底表面(见图5)；及(3)第一转子30相对于第二转子32“低”，所述“低”位置大体上经选择以用于大体上处理工件W的后侧或底表面(见图6)。虽然所说明的实施例经显示及描述为将第一转子30移动至相对于固定的第二转子32的三个不同位置，但应理解，各种位置导致第一工件接收部分40与第二工件接收部分42之间的轴向间距的改变。因此，应理解，针对相对于固定的第一转子30移动第二转子32或将转子30与32两者相互独立地移动以实现轴向间距的变化的其它实施例也在本发明的范围内。第一转子30为用于接收且支撑工件W的夹盘转子。参看图3，第一转子30具有限定中心孔52的基座部分50，经由中心孔52接收轴38。轴38经由轴耦接部分110耦接至基座部分50，且与基座部分50的中心孔52对准。因此，安置于中空轴38内的各种元件或器具(诸如，化学物输送组件26的喷嘴94)能够在工件W接收于第一转子30上时拿取工件W的后表面或底表面。第一转子30进一步包括沿着基座50的外周长的环形外侧壁54及环形内侧壁56，其中侧壁54及56限定邻近基座50的空腔58(见图4中的空腔58)。沿着外侧壁54的内表面，第一转子30包括用于将涡旋产生气体输送至空腔58的多个口66，如以下更详细地描述。第一转子30包括第一工件接收部分40(见图4)。在所说明的实施例中，工件接收部分40包括多个支座60，所述多个支座60自外侧壁54向上延伸以用于接收且支撑工件W。支座60配置为用于在工件W的后侧接触工件。在所说明的实施例中，第一转子30包括四个支座60(见图1)；然而，应理解，任意合适数目的支座60在本发明的范围内。支座60用以当工件W紧压在第一转子30上时，在外侧壁54与工件W之间产生间距。此间距允许为了后侧清洁经由轴38至工件W的后侧的最佳化的化学物输送，如以下更详细地描述。当第一转子30已接收到工件W时，一致作用的两个力将工件W保持在第一转子30的第一工件接收部分40上，且克服可能迫使工件W偏离第一转子的中心位置的任何离心力(若工件W正旋转)。首先，工件W与支座60之间的摩擦力将工件W维持在第一工件接收部分40上。其次，还使用压差将工件W维持在第一转子30上的位置中。就此而言，第一转子30能够在空腔58中产生涡旋力，即，与在工件W上方相比，在工件W下方产生相对低的压力区，以提供平行于第一转子30的中心轴线的方向(即，与工件W的顶表面正交)的力以基本上使工件W紧压在第一转子30上。合适的涡旋转子描述于2007年5月17日公开的美国专利公开案第US2007/0110895号中，所述公开案的内容特此被以引用的方式明确并入。在所说明的实施例中，气体经由沿着空腔58的周长切线定向的口66流至涡旋空腔58内。自口66流动的气体的射流产生圆形路径(如龙卷风)，从而在涡旋的中心处产生负压力区域。涡旋的负压力在气氛与空腔58之间产生压差以基本上使工件W紧压在第一转子30上。如以下将更详细地描述，涡旋为经设计以产生将工件W的定位维持在相对于第一转子30的空腔58的可变距离处(例如，在图4至图6中显示的各种位置处)的压差的最接近涡旋。典型地，将氮用作涡旋气体，这是因为氮是一种不仅降低在处理组件中的污染的危险且还消除氧以减少在空腔中的爆炸可能性的惰性气体。然而，应理解，诸如氦的其它惰性气体也在本发明的范围内。此外，若污染及爆炸潜在危险并非关注问题，则也可使用诸如空气的非惰性气体。第二转子32为用于使工件W在处理组件10中居中的居中转子。如在图3中看出，第二转子32限定内空腔，所述内空腔为处理组件10的内腔室22。就此而言，第二转子32的外壁20(所述外壁为处理腔室22的外壁20)包括垂直部分及圆上部部分68。在圆部分68的顶端，外壁22限定至处理腔室22的环形入口76(见图4)，工件W可经由所述环形入口76进入以用于处理(见图4及图5的系列，图4、图5分别显示在腔室22外部及内部的工件W)。第二转子32的受外壁20约束的内腔室22由限定中心孔72的基座部分70限定，经由中心孔72接收轴38、第二耦接器62及第一耦接器46。如同第一转子30，轴38与中心孔72对准，使得各种元件或器具(诸如，化学物输送组件26的喷嘴94)能够在工件W接收于第一转子30或第二转子32上时拿取工件W的后表面或底表面。第二转子32进一步包括沿着基座70的外周长的环形侧壁74。如上所述，传输件62提供内腔室22的内壁。因此，基座部分70、侧壁74及传输件62限定邻近基座70的内腔室22(见图4中的内腔室22)。第二转子32内的内腔室22配置为用于接收第一转子30及供处理的工件W。就此而言，第一转子30的外圆周小于第二转子32的环形侧壁74的内圆周，且因此第一转子30经设计以巢套（nest）于由第二转子32限定的腔室22内。作为第一转子30及第二转子32的巢套能力的结果，第一转子30能够相对于第二转子32轴向移动，如在图4至图6中显示的转子组件24的一系列位置中看出。第一转子30及第二转子32的巢套能力允许内腔室22的紧凑大小容纳两个转子30及32，从而导致处理及制造效率(作为此紧凑大小的结果)。自侧壁74的上部端侧向向外延伸的第二转子32进一步包括轮缘80，所述轮缘用于支撑第二工件接收部分42(见图6)。在所说明的实施例中，第二工件接收部分42包括自轮缘80向上延伸的多个居中导柱82及多个支座102。导柱82按远离第二转子32的中心轴线的稍小角度定向，且位于沿着轮缘80在接近假想工件W的圆周的位置处。导柱82配置为在工件W的外斜面上接收及接触工件W。在所说明的实施例中，第二转子32包括十个导柱82及十个支座102；然而，应理解，任何数目的导柱及支座与根据本发明的实施例一致。当工件W由导柱82接收时，重力使工件W向下紧压在有角度的导柱82上。因此，随着工件W由导柱82接收，工件变得在导柱82之间居中(在轴向及径向两个方向上)，且导柱82使任何侧至侧移动最小化。此居中改善了受处理的工件W的同心度，即，平均斜面清洁或蚀刻宽度的一致性与最小及最大宽度的范围。如在图6中看出，随着工件W接近导柱82的底部，所述工件居中且经设定以搁置于支座102上。支座102允许当工件W处于第三位置(见图6)中时，在第二转子32的轮缘80与工件W之间有间距，使得来自后侧清洁的废化学物可散逸至化学物收集组件28。应理解，第二转子32上的支座102在与第一转子30上的支座60不同的位置中接触工件W。此导柱82居中机构是有利的，这是因为工件W始终具有在导柱82内的居中的配合。此外，在此导柱82居中机构中，仅工件W的斜面及后侧区域的选择部分分别由居中导柱82及支座102接触，从而允许使工件W的其它表面经受处理。除了沿着第二转子32的外周长的导柱82之外，也使用摩擦力及压差以当转子组件24正旋转时将工件W维持在第二转子32上的位置中，如参照第一转子30描述。关于压差，巢套的第一转子30的涡旋空腔58是也可用以使工件W紧压在第二转子32上的最接近涡旋。就此而言，涡旋空腔58能够将工件W固持及维持在距涡旋高达约6吋的距离上。这可与标准伯努利夹盘形成对比，所述标准伯努利夹盘在接近性的改变大于约0.080吋时不起作用。因此，巢套能力允许转子组件24将第一转子30的涡旋空腔58用于固持工件W，所述工件W接收于各个第一转子30或第二转子32的第一接收部分40抑或第二接收部分42上。参看图3及图4，转子组件24进一步包括化学物收集组件28，所述化学物收集组件28收集用于废弃或再循环的废流体。化学物收集组件28包括堰84，所述堰经固定地附接及配置为与第二转子32一起旋转。就此而言，堰84为自第二转子32的轮缘80径向延伸的化学物接收通道。堰84由外壁20的上部部分68及自轮缘80的顶部表面的延伸部形成。堰84可配置为向下成角度，使得化学物被径向向外引向壁20，且不汇聚于第二转子32的轮缘80上。来自堰84的化学物自第二转子32的边缘行进穿过在第二转子32的排出孔86，所述排出孔86位于外环形边缘处、在壁20的内表面附近(见图5及图6中的箭头)。排出的化学物收集于定位于排出孔86下方的固定(非旋转)收集腔室88中。可在排水管104处将化学物自收集腔室88移除至排出阀组件106(见图1)内。化学物收集组件28进一步包括摆动臂分配杯108，摆动臂分配杯108用于在起动处理组件10前在冲刷了摆动臂组件90及92后将化学物分配至收集腔室88内。因为堰84为“旋转”堰，即，堰84固定地附接至第二转子32，所以收集组件28导致比先前非旋转设计增强的化学物收集。在具有非旋转堰的先前设计的系统中，作为离心力的结果而旋转离开工件W的化学物具有径向分量及切线分量。旋转离开化学物的切线分量为旋转离开化学物的主要部分。切线分量撞击壁20的内表面(例如，在圆部分68处)，且在表面上形成珠粒。当化学物继续撞击带珠粒的表面时，化学物飞溅且转变成气溶胶。此气溶胶若停留在在处理腔室22内部及外部的表面上，则将用废化学物污染那些表面。因此，气溶胶必须由排气系统捕获以防止此污染。根据本发明的实施例，堰84及外壁20与转子组件24一起旋转，由此抵消旋转离开化学物的切线分量。由于直的径向分量，本发明人已发现在腔室壁20的内表面上的珠粒形成实质上减少了(若并未消除)，从而在处理腔室22内部及外部产生较少的化学物飞溅及较少的所得气溶胶。气溶胶的减少导致对在处理腔室22内部及外部的排气系统的减少的需求。此外，通过消除在腔室壁20的内表面上的珠粒形成，离心力作用于收集的流体上以使流体朝向排出孔86流动，由此限制收集于堰84的收集表面上的流体的量。除了化学物飞溅的减少，“旋转”堰还具有可在每一处理步骤后能被清洁的附加优势。因为堰旋转，所以堰可易于在处理期间冲洗以容纳不同化学物。作为非限制性实例，“旋转”堰允许紧接在收集冲洗化学物后收集蚀刻化学物以用于回收及再循环，而不污染蚀刻化学物。在“非旋转”堰组件(例如，在2010年12月3日申请的同在申请中的美国专利申请案第12/960372号(代理人案号SEMT-1-35843)中描述的堰组件，所述申请案的公开内容特此被以引用的方式明确并入)中，堰不能容易地清洁，且因此，需要堰组件中的多个堰以便收集化学物以用于再循环。在所说明的实施例中，收集腔室88未配置成与第二转子32一起旋转，且因此存在形成于收集腔室88中的一些所得飞溅及气溶胶。然而，因为自处理组件22移除了收集腔室88，所以飞溅不影响工件的条件。化学物输送组件26将流体输送至工件上的各种位置(包括前侧、斜面及后侧)。化学物输送组件26包括前侧输送系统，所述前侧输送系统可包括一或多个输送摆动臂90及92(见图1)。举例而言，可使用(例如)化学物输送组件26的短摆动臂组件90处理工件外边缘(斜面)。可使用(例如)化学物输送组件26的长摆动臂组件92处理工件顶表面(前侧)。化学物输送组件26进一步包括后侧输送系统。在所说明的实施例中，后侧输送系统为位于轴38中的后侧输送喷嘴94，用于将化学物输送至工件W的后侧。如上提到，转子组件24可在多个位置(即，第一位置(图4)、第二位置(图5)及第三位置(图6))中配置为实现工件的各种处理结果。现将描述处理组件10的例示性操作序列，其中工件W自第一位置转变至第三位置，接着至第二位置，接着返回至第三位置，接着返回至第一位置。例示性操作过程的第一步骤为用于将工件W放置于处理组件10中的工件自动化步骤。参看图4，当转子组件24处于第一位置中时，在处理组件10中接收工件W。具体地说，第一转子30定位于相对于第二转子32的第一(或“高”)位置中，所述第一位置经选择用于接收或转移工件W。在第一位置中，第一转子30的第一工件接收部分40位于处理腔室22上方，使得可自动将新工件W放置于第一工件接收部分40上，或如果已处理了工件W，则可自第一工件接收部分40移除工件W。当接收于第一位置中时，转子组件24与工件W之间的接触点为第一转子30的接触工件W的后侧或底表面的支座60。可通过使用自动化的转移臂或桨(图中未示)实现工件至处理组件10及自处理组件10的转移。工件检测传感器98(如在图1中看出)经定位以检测工件W且允许自动工件转移过程。在工件W已接收于处理组件10中后，转子组件24可移动至下一个位置(例如，第二位置及第三位置中的任一个，如在图5及图6中看出)用于处理。通过操纵致动组件36以升高及降低第一转子30相对于第二转子32的固定位置的位置来实现此移动。虽然说明的实施例显示分开的自动步骤(见图4)，但应理解，在其它实施例中，工件W可放置于处理组件10中以下描述的第二位置抑或第三位置(分别见图5及图6)中。例示性操作过程的第二步骤为居中及初步处理步骤。就此而言，在第一转子30的空腔58中产生涡旋力以迫使工件W至第一转子30上的接触表面，接着将工件W自第一位置(见图4)移动至第三位置(见图6)。当在第三位置(见图6)中时，第一转子30定位于相对于第二转子32的“低”位置中，所述“低”位置经选择以用于处理(例如，清洁或蚀刻)底表面(后侧)。当自第一位置(见图4)转变至第三位置(见图6)时，第一转子30巢套于第二转子32的腔室22内。在此转变中，将工件W自第一转子30上的支座60转移至导柱82，接着至第二转子32上的支座102使得工件W由导柱82居中，接着定位于支座102上。在由导柱82居中后，工件W达到搁置于第二转子32上的支座102上，且包含在处理腔室22中用于处理(例如，清洁或蚀刻)。当定位于第三位置中时，第二转子32与工件W之间的接触点为外斜面上的导柱82及工件W的后侧或底表面上的支座102。工件W不再接触第一转子30或第一转子支座60。在第三位置中，可处理(例如，清洁或蚀刻)工件W。就此而言，工件W经设定以使用驱动组件34旋转。接着可使用(例如)化学物输送组件26的后侧输送喷嘴94处理工件W后侧。因为当工件W定位于支座102上时，在工件的后侧上存在遮蔽的接触区，所以不能完全处理(例如，清洁或蚀刻)此表面。废清洁化学物收集于化学物收集组件28中。例示性操作过程的第三步骤为工件W的下一个处理步骤。就此而言，维持涡旋力，且随着将工件W自第三位置(见图6)移动至第二位置(见图5)，转子组件24继续旋转。当自第三位置(图6)转变至第二位置(图5)时，第一转子30自第二转子32解巢套(unnest)。在此转变中，工件W自第二转子32上的支座102转移至第一转子30上的支座60。当在第二位置(见图5)中时，第一转子30定位于相对于第二转子32的“中间”位置中，所述“中间”位置经选择用于处理(例如，清洁或蚀刻)外边缘(斜面)及顶表面(前侧)以及底表面(后侧)。在第二位置中，第一转子30的支座60位于处理腔室22内，但在第二转子32的支座102及居中导柱82上方。在第二位置中，可使用(例如)化学物输送组件26的短摆动臂组件90来处理工件外边缘(斜面)。可使用(例如)化学物输送组件26的长摆动臂组件92来处理工件顶表面(前侧)。因为当工件W定位于支座60上时，在工件的斜面或前侧上不存在接触，所以可充分处理(例如，清洁或蚀刻)这些表面。也处理工件W的后侧以清洁当将工件W定位于第三位置中时遮蔽的区。就此而言，第一转子30的支座60在与第二转子32的支座102不同的区中接触工件W，使得可清洁先前遮蔽的区。类似于当转子组件24在第二位置中的工艺，废清洁化学物收集于化学物收集组件28中。通过在第二及第三两个位置中处理或清洁工件W，工件W的所有表面经清洁以防止由于不充分的清洁而导致的工件W的污染。在先前设计的处理组件中，未蚀刻及未清洁的区(亦即，遮蔽区)留在工件表面上的固持工件所需的接点下。作为本文中描述的能定位转子组件24的结果，对所有工件接触表面(包括后侧及斜面接触点两者)执行清洁(包括冲洗)。例示性操作过程的第四步骤为工件W的下一个处理步骤。在经在第三位置及第二位置这两个位置中处理后，工件返回至第三位置用于最终冲洗及干燥。例示性操作过程的第五步骤为返回至第一位置，用于自处理组件10自动移除工件W。虽然已说明及描述了说明性实施例，但应理解，在不脱离本发明的精神及范围的情况下，可在所述说明性实施例中进行各种改变。