一种顶发射有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明属于有机半导体材料领域，其公开了一种顶发射有机电致发光器件及其制备方法；该器件包括依次层叠的衬底、阴极层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、缓冲层以及阳极层；所述缓冲层的材料为三氧化铼、七氧化二铼、氧化钨、三氧化钼、二氧化钼或五氧化二钒。本发明提供的顶发射有机电子发光器件，采用金属作为阴极，透明导电氧化物作为阳极，解决了载流子的注入问题，并且可以将阳极置于发光器件的顶部，作为出光方向，得到较高的出光效率；此外，在阳极与有机层之间还设置了缓冲层，该缓冲层因为具备有较高的功函，因而可以提高空穴的注入效率。
【专利说明】一种顶发射有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机半导体材料领域，尤其涉及一种顶发射有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(Organic Light Emission Diode),以下简称0LED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003]有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
[0004]当有机电致发光应用于显示时，一般要采用硅作为衬底，由于硅是不透明的，所以往往顶发射结构更适用于做在硅衬底上，从而解决底发射显示器件驱动电路和显示发光面积相互竞争的问题。这时需要一种高透过率的电极应用于顶发射器件，通常采用薄层金属Ag，Al作为透明阴极，但是这种薄膜材料的透过率不够高，而ITO薄膜作为阴极时，由于功函太高，对载流子的注入不利。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的问题之一在于提供一种光透过率高且有利于载流子注入的顶发射有机电致发光器件。
[0006]本发明的技术方案如下:
[0007]—种顶发射有机电致发光器件，包括依次层叠的衬底、阴极层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、缓冲层以及阳极层；所述缓冲层的材料为三氧化铼、七氧化二铼、氧化钨、三氧化钥、二氧化钥或五氧化二钒。
[0008]所述顶发射有机电致发光器件，其中，所述衬底为玻璃；所述阴极层的材质选择银、铝、银镁合金、镁铝合金或者铝钙合金。
[0009]所述顶发射有机电致发光器件，其中，
[0010]所述电子传输层的材料为碱金属化合物按照5?30%的质量比掺杂到电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料；其中，所述碱金属化合物选自碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯或氟化铯；所述电子传输基质材料选自(8-羟基喹啉)-铝、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲、1，2，4-三唑衍生物或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I'-联苯_4_羟基)招。[0011]所述顶发射有机电致发光器件，其中，所述空穴阻挡层的材料选自4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, 1'-联苯-4-羟基)铝。
[0012]所述顶发射有机电致发光器件，其中，所述发光层的材料为掺杂材料按照3~8%的质量比掺杂到主体材料中组成的掺杂混合材料；所述主体材料为4，V -二(9-咔唑)联苯、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1- -联苯-4，4' - 二胺或 4’，4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺；所述掺杂材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)或三(2-苯基吡啶)合铱。
[0013]所述顶发射有机电致发光器件，其中，所述电子阻挡层的材料选自N，N' -二苯基-N, N' -二(3-甲基苯基)-1，1- -联苯-4，4' - 二胺、N, N' - 二苯基-N, N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯_4，4' - 二胺或4’，4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺。
[0014]所述顶发射有机电致发光器件，其中，所述空穴传输层的材料选自2，3，5，6_四氟-7，7’，8，8’_四氰醌-二甲烷按照广10%质量比掺杂到4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1- -联苯-4，4' - 二胺、4,4'，4"-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N, K - 二苯基-N, K -二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4，4' - 二胺、(N，N，N'，N’ -四甲氧基苯基)-对二氨基联苯或4,4/，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺中组成的掺杂混合材料。
[0015]所述顶发射有机电致发光器件，其中，所述阳极层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、
氧化镓锌或氧化铝锌。
[0016]上述顶发射有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0017]S1、清洗衬底；
[0018]S2、利用真空热镀膜系统，利用热蒸镀工艺，在清洗过后的衬底表面依次蒸镀制备阴极层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层和缓冲层，制得器件样品；其中，所述缓冲层的材料为三氧化铼、七氧化二铼、氧化钨、三氧化钥、二氧化钥或五氧化二钒；
[0019]S3、将步骤S2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层；
[0020]上述工艺步骤完成后，制得所述顶发射有机电致发光器件。
[0021]本发明提供的顶发射有机电子发光器件，采用金属作为阴极，透明导电氧化物作为阳极，由于金属的功函比较低，而透明导电氧化物功函较高，这样就分别解决了电子和空穴的注入问题，并且可以将阳极置于发光器件的顶部，作为出光方向，得到较高的出光效率。此外，在阳极与有机层之间还设置了缓冲层，该缓冲层因为具备有较高的功函，因而可以提高空穴的注入效率；此外，无机氧化物材料构成的缓冲层还用于有效避免溅射阳极铟掺杂锡氧化物(ΙΤ0)对有机层的破坏，保持了器件的稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0022]图1为本发明的顶发射有机电致发光器件结构示意图；
[0023]图2为实施例1制得的顶发射有机电致发光器件和对比例I制得的有机电致发光器件的电流密度与电压曲线图。【具体实施方式】[0024]本发明提供的顶发射有机电致发光器件，如图1所示，包括依次层叠的衬底101、阴极层102、电子传输层103、空穴阻挡层104、发光层105、电子阻挡层106、空穴传输层107、缓冲层108以及阳极层109 ;即该顶发射有机电致发光器件的结构为:衬底101/阴极层102/电子传输层103/空穴阻挡层104/发光层105/电子阻挡层106/空穴传输层107/缓冲层108/阳极层109。[0025]该器件中，缓冲层的材料为三氧化铼(ReO3)、七氧化二铼(Re2O7)、氧化钨(WO3)、三氧化钥(Mo03)、二氧化钥(MoO2)或五氧化二钒(V2O5);该缓冲层的厚度为l_5nm。[0026]上述顶发射有机电致发光器件中，其它各功能的材料、厚度以及各自所起的作用如下:[0027]衬底101采用普通的玻璃，[0028]阴极层102的材料选自金属银(Ag)、铝(Al)、银镁合金(Ag-Mg)、镁铝合金(Al-Mg)或铝钙合金(Al-Ca);阴极层102的厚度为70_200nm。[0029]所述电子传输层103的材料为碱金属化合物按照5~30%的质量比掺杂到电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料；其中，碱金属化合物选自碳酸锂(Li2CO3)、叠氮化锂(LiN3)、氟化锂(LiF)、叠氮化铯(CsN3)、碳酸铯(Cs2CO3)等材料；[0030]所述电子传输基质材料选自(8-羟基喹啉)_铝(简称Alq3，下述各物质类似)、4，7- 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(丁卩81)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(80卩)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1，I'-联苯-4-羟基)铝(BAlq);所述电子传输层103的厚度为10~60nm ;[0031]当电子传输层的材质采用掺杂混合材料时，掺杂材料，即碱金属化合物经过热蒸镀过程，会分解产生碱金属单质或离子，并以单质或离子形式存在电子传输层中；[0032]空穴阻挡层104的材料选自4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、l，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI, 08)-(1,1， -联苯-4-羟基)铝(BAlq);空穴阻挡层104的厚度为l(T40nm ；[0033]发光层105的材料为掺杂材料按照3~8%的质量比掺杂到主体材料中组成的掺杂混合材料；其中:[0034]主体材料为4,4' -二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，K - 二苯基-N，K -二(1_萘基)-1，1'-联苯-4，4' -二胺(NPB)或 4’，4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA);[0035]掺杂材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合铱(FIrPic)、二 (2_甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)(Ir (MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(Hppy)3)；[0036]发光层105的厚度为15~30nm ；[0037]电子阻挡层106的材料选自N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)_1，I'-联苯-4，4' -二胺(TPD)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4' -二胺(NPB);电子阻挡层106的厚度为l(T40nm ；[0038]空穴传输层107的材料选自2，3，5，6_四氟_7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷(F4-TCNQ)按照1~10%质量比掺杂到4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1' -联苯-4,4' -二胺(ΝΡΒ)、4,4 ;，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N, N ; -二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-1，I'-联苯-4，4' -二胺(TPD)、(N，N，N,，N’-四甲氧基苯基)_对二氨基联苯(MeO-TPD)中组成的掺杂混合材料；
[0039]空穴传输层107的厚度为l(T60nm ；
[0040]阳极层109的材质为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化铝锌(AZO)或氧化镓锌(GZO);阳极层109的厚度为50-100nm。
[0041]阳极层在制备时，有可能破坏上述其他有机功能层表面；因此，为了避免溅射工艺对有机功能层的破坏，需要在阳极层与有机功能层之间设置缓冲层。
[0042]上述顶发射有机电致发光器件的制作方法，包括以下步骤:
[0043]S1、清洗衬底，其流程为:依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0044]S2、利用真空热镀膜系统，利用热蒸镀工艺，在清洗过后的衬底表面依次蒸镀制备阴极层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层和缓冲层，制得器件样品；其中，所述缓冲层的材料为三氧化铼(ReO3)、七氧化二铼(Re2O7)、氧化钨(WO3)、三氧化钥(MoO3)、二氧化钥(MoO2)或五氧化二钒(V2O5)；
[0045]S3、将步骤S2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层；
[0046]上述工艺步骤完成后，制得所述顶发射有机电致发光器件。
[0047]本发明提供的顶发射有机电子发光器件，采用金属作为阴极，透明导电氧化物作为阳极，解决了载流子的注入问题，并且可以将阳极置于发光器件的顶部，作为出光方向，得到较高的出光效率。此外，在阳极与有机层之间还设置了缓冲层，该缓冲层因为具备有较高的功函，因而可以提高空穴的注入效率；此外，无极氧化物材料构成的缓冲层还用于有效避免溅射阳极ITO对有机层的破坏，保持了器件的稳定性。
[0048]下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
[0049]实施例1
[0050]本实施例的顶发射有机电致发光器件，其结构为:玻璃/Al/LiN3:Alq3/BAlq/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /NPB/F4-TCNQ: m_MTDATA/Re03/IT0
[0051]该顶发射有机电致发光器件的制作方法如下:
[0052]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0053]2、玻璃清洗干净后，置入真空热溅射系统中，在玻璃表面依次蒸镀阴极层(材料为Al，厚度为70nm)、电子传输层(材料为LiN3按照5%的质量比掺杂到Alq3中，表示为LiN3 = Alq3 ;厚度为30nm)、空穴阻挡层(材料为BAlq ;厚度为10nm)、发光层(材料为Ir (MDQ) 2 (acac)作为掺杂材料掺杂到NPB主体材料中，表示为NPB:1r (MDQ) 2 (acac)，Ir (MDQ)2 (acac)的掺杂质量比为5% ;厚度为30nm)、电子阻挡层(材料为NPB，厚度为10nm)、空穴传输层(材料为F4-TCNQ作为掺杂材料按照1%的质量比掺杂到m-MTDATA，表示为F4-TCNQ:m-MTDATA ;厚度为30nm)和缓冲层(材料为ReO3，厚度为2nm)，制得器件样品；
[0054]3、将步骤2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层(材料为ITO，厚度为50nm)。
[0055]实施例2
[0056]本实施例的顶发射有机电致发光器件，其结构为:玻璃/Ag/CsN3:Bphen/BPhen/CBP:FIrPic/TPD/F4-TCNQ:Me0-TPD/W03/IZ0
[0057]该顶发射有机电致发光器件的制作方法如下:
[0058]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0059]2、玻璃清洗干净后，置入真空热溅射系统中，在玻璃表面依次蒸镀阴极层(材料为Ag，厚度为lOOnm)、电子传输层(材料为CsN3按照30%的质量比掺杂到Bphen中，表示为CsN3 = Bphen ;厚度为60nm)、空穴阻挡层(材料为BPhen ;厚度为10nm)、发光层(材料为FIrPic作为掺杂材料掺杂到CBP主体材料中，表示为CBP:FIrPic，FIrPic的掺杂质量比为8% ;厚度为15nm)、电子阻挡层(材料为TPD，厚度为20nm)、空穴传输层(材料为F4-TCNQ作为掺杂材料按照10%的质量比掺杂到MeO-TPD，表示为F4-TCNQ:MeO-TTO ;厚度为40nm)和缓冲层(材料为WO3，厚度为lnm)，制得器件样品；
[0060]3、将步骤2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层(材料为IZ0，厚度为lOOnm)。
[0061]实施例3
[0062]本实施例的顶发射有机电致发光器件，其结构为:玻璃/Ag-Mg/Li2C03:TPBi/TPBi/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /TPD/F4-TCNQ: 2-TNATA/Mo03/AZ0
[0063]该顶发射有机电致发光器件的制作方法如下:
[0064]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0065]2、玻璃清洗干净后，置入真空热溅射系统中，在玻璃表面依次蒸镀阴极层(材料为Ag-Mg，厚度为200nm)、电子传输层(材料为Li2CO3按照20%的质量比掺杂到TPBi中，表示为Li2CO3 = TPBi ;厚度为10nm)、空穴阻挡层(材料为TPBi ;厚度为40nm)、发光层(材料为Ir (MDQ) 2 (acac)作为掺杂材料掺杂到NPB主体材料中，表示为NPB:1r (MDQ) 2 (acac)，Ir (MDQ) 2 (acac)的掺杂质量比为5% ;厚度为30nm)、电子阻挡层(材料为TPD，厚度为30nm)、空穴传输层(材料为F4-TCNQ作为掺杂材料按照5%的质量比掺杂到2-TNATA，表示为F4-TCNQ:2-TNATA ;厚度为50nm)和缓冲层(材料为MoO3，厚度为3nm)，制得器件样品；
[0066]3、将步骤2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层(材料为AZ0，厚度为80nm)。
[0067]实施例4
[0068]本实施例的顶发射有机电致发光器件，其结构为:玻璃/Al-Mg/LiF:BAlq/BAlq/TCTA:1r (ppy) 3/NPB/F4_TCNQ: TPD/V205/GZ0
[0069]该顶发射有机电致发光器件的制作方法如下:
[0070]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0071]2、玻璃清洗干净后，置入真空热溅射系统中，在玻璃表面依次蒸镀阴极层(材料为Al-Mg，厚度为130nm)、电子传输层(材料为LiF按照20%的质量比掺杂到BAlq中，表示为LiFiBAlq ;厚度为40nm)、空穴阻挡层(材料为BAlq ;厚度为10nm)、发光层(材料为Ir (ppy) 3作为掺杂材料掺杂到TCTA主体材料中，表示为TCTA:1r (ppy) 3，Ir (ppy) 3的掺杂质量比为3% ;厚度为20nm)、电子阻挡层(材料为TCTA，厚度为40nm)、空穴传输层(材料为F4-TCNQ作为掺杂材料按照2%的质量比掺杂到TPD，表示为F4-TCNQ:Tro ;厚度为30nm)和缓冲层(材料为V2O5，厚度为5nm)，制得器件样品；
[0072]3、将步骤2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层(材料为GZO，厚度为60nm)。
[0073]实施例5
[0074]本实施例的顶发射有机电致发光器件，其结构为:玻璃/Al-Ca/Cs2C03:BCP/BAlq/TCTA:1r (ppy) 3/NPB/F4_TCNQ: NPB/Re207/IT0
[0075]该顶发射有机电致发光器件的制作方法如下:
[0076]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0077]2、玻璃清洗干净后，置入真空热溅射系统中，在玻璃表面依次蒸镀阴极层(材料为Al-Ca,厚度为170nm)、电子传输层(材料为Cs2CO3掺杂有机材料BCP，掺杂质量比为20%，厚度为35nm)；、空穴阻挡层(材料为BAlq ;厚度为10nm)、发光层(材料为Ir (ppy) 3作为掺杂材料掺杂到TCTA主体材料中，表示为TCTA:1r (ppy) 3，Ir (ppy) 3的掺杂质量比为5% ;厚度为25nm)、电子阻挡层(材料为NPB，厚度为10nm)、空穴传输层(材料为为F4-TCNQ掺杂有机材料NPB，F4-TCNQ掺杂质量比为1%，厚度为40nm)和缓冲层(材料为Re2O7，厚度为3nm)，制得器件样品；
[0078]3、将步骤2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层(材料为GZO，厚度为80nm)。
[0079]对比例I
[0080]本对比例的有机电致发光器件，其结构为:玻璃/Al/F4-TCNQ:m-MTDATA/NPB//NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /BAlq/Li2C03: Alq3/ITO
[0081]该制备方法如下:
[0082]将玻璃基板洗净后，置于真空镀膜系统中，在玻璃基板表面蒸镀制备金属Al作为阳极，厚度为lOOnm，然后是空穴传输层，组成是F4-TCNQ掺杂有机材料m-MTDATA，掺杂质量比为1%，厚度为30nm，然后是电子阻挡层，材质为NPB，厚度为10nm，然后是发光层，是Ir (MDQ)2 (acac)掺杂到有机材料NPB中，掺杂质量比为5%，厚度为30nm，然后是空穴阻挡层，材质为BAlq，厚度为10nm，随后是电子传输层，材质为Li2CO3掺杂的Alq3，掺杂质量比为5%，厚度为30nm,最后转移置磁控派射系统中,在电子传输层表面制备阴极,材质为ITO,厚度为lOOnm。
[0083]对比例2
[0084]本对比例的有机电致发光器件，其结构为:玻璃/Al/L1:Alq3/BAlq/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /NPB/F4-TCNQ: m-MTDATA/1TO
[0085]该制备方法如下:
[0086]将玻璃基板洗净后，置于真空镀膜系统中，在玻璃基板表面蒸镀制备金属Al作为阴极，然后是电子传输层，材质为Li2CO3掺杂的Alq3,掺杂质量比为5%，厚度为30nm，然后是空穴阻挡层，材质为BAlq，厚度为10nm，然后是发光层，是Ir (MDQ)2 (acac)掺杂到有机材料NPB中，掺杂质量比为5%，厚度为30nm，然后是电子阻挡层，材质为NPB，厚度为lOnm，然后是空穴传输层，组成是F4-TCNQ掺杂有机材料m-MTDATA，掺杂质量比为1%，厚度为30nm，随后是最后转移置磁控溅射系统中，在空穴传输层表面制备阳极，材质为ITO，厚度为lOOnm。
[0087]本发明还对实施例1至5以及对比例1、2制得的有机电致发光器件的发光性能进行了测试，测试数据结果如表1所示。
[0088]表1顶发射有机电致发光器件的发光性能
[0089]
【权利要求】
1.一种顶发射有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的衬底、阴极层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、缓冲层以及阳极层；所述缓冲层的材料为三氧化铼、七氧化二铼、氧化鹤、三氧化钥、二氧化钥或五氧化二fL。
2.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为碱金属化合物按照5-30%的质量比掺杂到电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料；其中: 所述碱金属化合物选自碳酸锂、叠氮化锂、氟化锂、叠氮化铯、碳酸铯；所述电子传输基质材料选自(8-羟基喹啉)-铝、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I'-联苯-4-羟基)铝。
3.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料选自4，7- 二苯基-邻菲咯啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I'-联苯-4-羟基)铝。
4.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为掺杂材料按照3~8%的质量比掺杂到主体材料中组成的掺杂混合材料；所述主体材料为4,4/ -二(9-咔唑)联苯、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4' -二胺或4’，4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺；所述掺杂材料为双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)或三(2-苯基吡啶)合铱。
5.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料选自N，N' -二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-1，I'-联苯-4，4' -二胺、N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4' - 二胺或4’，4”_三(咔唑-9-基)-三苯胺。
6.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰醌-二甲烷按照f 10%质量比掺杂到4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N' - 二苯基-N，N' -二(1-萘基)_1，1'-联苯_4，4' - 二胺、4，4'，4"-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、N, N' - 二苯基-N, N' -二(3-甲基苯基)-1，I'-联苯-4，4' - 二胺、(N, N, N' ,N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯中组成的掺杂混合材料。
7.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层的材质选择银、铝、银镁合金、镁铝合金或者铝钙合金。
8.根据权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、氧化镓锌或氧化铝锌。
9.如权利要求1所述的顶发射有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: S1、清洗衬底； S2、利用真空热镀膜系统，利用热蒸镀工艺，在清洗过后的衬底表面依次蒸镀制备阴极层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层和缓冲层，制得器件样品；其中，所述缓冲层的材料为三氧化铼、七氧化二铼、氧化钨、三氧化钥、二氧化钥或五氧化二钒；S3、将步骤S2制得器件样品转移至在真空溅射镀膜系统中，利用溅射工艺，缓慢在缓冲层表面溅射制备透明阳极层； 上述工艺步骤完成后，制·得所述顶发射有机电致发光器件。
【文档编号】H01L51/52GK103594653SQ201210295733
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2012年8月17日 优先权日:2012年8月17日
【发明者】周明杰, 王平, 冯小明, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司