技术总结
本发明提供了半导体器件和可编程的非易失性存储设备。根据一个示例性实施方式，半导体器件包括位于第一半导体鳍中的沟道、源极、以及漏极。沟道位于源极与漏极之间。半导体器件还包括位于第二半导体鳍中的控制栅极。浮置栅极位于第一半导体鳍与第二半导体鳍之间。半导体器件还可以包括位于浮置栅极与第一半导体鳍之间的第一介电区域和位于浮置栅极与第二半导体鳍之间的第二介电区域。
技术研发人员：弗兰克·有·志·许;尼尔·基斯特勒
受保护的技术使用者：美国博通公司
文档号码：201210369636
技术研发日：2012.09.27
技术公布日：2017.03.01