一种大功率led器件及其制造方法

专利名称：一种大功率led器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种大功率LED器件，尤其涉及一种一次塑封成型的新型大功率LED器件及其制造方法。
背景技术：
近年来，随着LED技术的发展，路灯、筒灯、射灯等LED灯具逐渐被消费市场所接受。功率发光二极管(功率LED)以高亮度、高功率深受市场欢迎。常规功率LED用的支架有两种PLCC型(英文为plastic leaded chip carrier,即塑封带引线片式载体)和陶瓷基板。如图I所示为现有技术中的PLCC型支架结构示意图，可以看出，PLCC型支架的结构为具有反射腔结构的塑料外壳OI包裹金属引线框架02，该金属引线框架02带有承载LED芯片04的芯片承载部03与电极用的引脚05 ;该芯片承载部03与正负电极之一成一体结构。另一种常规功率LED用的支架是陶瓷基板，其典型封装结构如图2所示承载LED芯片的基板06与置于该基板06上的反射腔07均采用陶瓷材料；对于大功率LED器件情况，基板06的芯片安放处还具有至少一个的通孔08，通孔08内填充导热材料，增强散热效果，满足大功率LED器件的散热要求。由于陶瓷基板具有良好的绝缘性和散热性，所以该类基板广泛应用在大功率LED领域，与PLCC型支架一并占据整个大功率LED市场。尽管如此，PLCC型支架与陶瓷基板均存在一些缺点。就PLCC型支架而言，特别是功率LED用的PLCC型支架，需要结合装配热沉进行散热，由于加入了热沉，需要制备沉孔和装配热沉，支架制作复杂，导致支架封装工艺也繁琐。同时，PLCC型的大功率LED体积大，其封装结构不能应用于回流焊接工艺，不适合全自动批量化的测试与编带工艺，也不利于下游产品的批量化焊接安装，尤其不适用于后续的LED产品制造的表面贴装工艺。可见现有的PLCC型支架的结构复杂，使得其制造工艺相对复杂，产品的加工成本也相对较高，而且产品的后续加工工艺受限，增加了后续LED产品的生产成本和降低了生产效率，并相应限制了 PLCC型支架功率LED的应用范围。虽然陶瓷基板能克服PLCC型支架的主要缺点，但是陶瓷基板的一个普遍问题是制造工艺难度大，成本高和材质脆。这也是目前限制陶瓷基板不能完全取代PLCC型支架的关键因素。由此可见，开发出一种结构简单，制作过程简单，器件气密性好，散热性好的的大功率LED器件，是本领域目前需要解决的技术问题。

发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种大功率LED器件的制造方法，制作过程简单，得到的LED器件结构简单、气密性及散热性好。基于此，本发明还提供由前述方法制得的大功率LED器件。为解决以上技术问题，本发明的技术方案如下一种大功率LED器件的制造方法，包括如下步骤
I)选择金属片作为基板；2)在基板上通过腐蚀或冲切工艺形成至少一个LED器件用支架单元，LED器件用支架单元中形成有LED芯片安放部、电极部以及将LED芯片安放部与电极部隔开的连接槽，所述连接槽分别沿其高度方向及长度方向贯穿LED器件用支架单元中的基板，所述连接槽中靠近基板上表面位置处的宽度小于远离基板上表面位置处的宽度；3)在LED器件用支架单元中基板的上表面的功能区域镀金属层，所述功能区域为形成LED器件后基板上被透镜覆盖的区域；4)在基板背面贴高温密封胶并进行过塑；5)在LED芯片安放部上安放LED芯片，将LED芯片与电极部电性连接；6)将基板放入透镜模具内用封装胶体进行一次透镜成型，部分封装胶体在各LED器件用支架单元的基板上表面的功能区域形成透镜、部分封装胶体填充到连接槽中形成连接胶层。优选地，在功能区域镀金属层完成后，对基板上除功能区域外的非功能区域进行粗化处理，形成凹凸不平的结构，部分封装胶体在非功能区域上形成边缘封装胶层，所述透镜与边缘封装胶层、连接胶层为一体结构。优选地，在对功能区域镀金属层前，先对基板上除功能区域外的非功能区域进行掩膜。优选地,所述基板的厚度为O. 2mm O. 4mm。优选地，在步骤5)之后、步骤6)之前还设有对LED器件用支架单元进行荧光胶喷涂的步骤。优选地，对LED器件用支架单元进行荧光胶喷涂的步骤具体为将基板放入喷涂磁性载具的磁性主体的盛放槽中，然后将喷涂磁性载具的金属网罩罩在磁性主体上，从金属网罩上的喷涂孔向与该喷涂孔对应的LED器件用支架单元喷涂荧光胶，然后进行硬化处理。优选地，所述磁性主体上的盛放槽的深度小于或等于基板的厚度。优选地，步骤2)中，在所述基板上形成两个以上通过金属条连接的LED器件用支架单元。优选地，所述金属条的宽度为O. 5mm以下。优选地，步骤2)中形成的LED器件用支架单元上还设有贯穿基板的极性标识通孔和芯片安放标识通孔。优选地，步骤6)中，在基板上形成透镜后再进行烘烤，待封装胶体完全硬化后，去除基板背部的高温密封胶。优选地，步骤6)中，基板在透镜模具中一次透镜成型具体为将基板放入透镜模具后，对透镜模具内部进行真空处理，使基板固定在透镜模具的上模底部，在下模的与基板上各LED器件用支架单元的芯片安放部一一对应的模腔内注入封装胶体，而后将透镜模具的上模、下模合模。本发明的一种大功率LED器件，由前述的制造方法制成。与现有技术相比，本发明的大功率LED器件的制造方法，由于采用金属片作为基板，用腐蚀或冲切的工艺在基板上形成多个LED器件用支架单元，在LED器件用支架单元中基板的上表面的功能区域镀金属层，然后对基板用封装胶体直接透镜成型，由于采用塑封一次透镜成型，一方面形成有利于出光的透镜结构，另一方面填充支架单元中的连接槽，使得透镜与LED器件用支架单元中的基板紧密结合，最后进行切割，形成多个独立的LED器件，因而，本发明的制造方法具有过程简单、生产效率高、成本低的优点，制得的大功率LED器件由于采用金属片作为基板，因而散热性好，由于封装胶体填充在LED器件用支架单元的连接槽中，因而又具有气密性好的优点。


图I为现有技术中PLCC型支架的结构示意图；图2为现有技术中陶瓷基板支架的结构示意图；图3为本发明大功率LED器件的制造方法实施例形成的多个LED器件用支架单元基板的连接俯视图；图4为本发明大功率LED器件的制造方法形成的单个LED器件用支架单元基板的俯视图；图5为本发明大功率LED器件的制造方法形成的单个LED器件用支架单元基板的断面图；图6为本发明大功率LED器件的制造方法所使用的喷涂磁性载具示意图；图7为本发明大功率LED器件的制造方法形成的大功率LED器件的结构示意图；图8为图7中A部分的放大图；图9为本发明大功率LED器件的制造方法另一实施方式形成的单个LED器件用支架单元基板的断面图；图10为本发明大功率LED器件的制造方法另一实施方式形成的单个LED器件用支架单元基板的断面图；图11为本发明大功率LED器件实施例的结构示意图；图中有关附图标记如下01—塑料外壳；02—金属引线框架；03—芯片承载部；04——LED芯片；05——引脚；06——基板；07——反射腔；08-通孔；I——基板；10——金属条；11——芯片安放部；12——连接槽；13——电极部；13a——凹槽；14——粗化结构；2—封装胶体；21—透镜；22——边缘封装胶层；23——连接胶层；3-LED芯片；4-金线；5-金属层；6-极性标识通孔；7-芯片安放标识通孔；81-磁性主体；82-盛放槽；83——金属网罩；831——喷涂孔。
具体实施例方式本发明提供一种结构简单、气密性好，可靠性高的新型大功率LED器件及其制造方法，为了使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。
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大功率LED器件的制造方法实施例以下结合图3 图10对本发明大功率LED器件的制造方法实施例进行详细介绍，该方法包括以下步骤SI、金属基板制作11、选择金属片本实施例中,选用铜片作为基板,基板的厚度为O. 3_。在其他实施例中,还可选择其他材料的金属片，金属片的厚度可为O. 2 O. 4mm中的任意一值。12、形成至少一个LED器件用支架单元通过半腐蚀或冲切工艺在基板上形成至少一个LED器件用支架单元，当形成两个以上的LED器件用支架单元时，这些LED器件用支架单元连接在一起，图3示出一块基板上形成四个LED器件用支架单元，各支架单元之间的连接情况，其中虚线部分B所示的是单个LED器件用支架单元，各LED器件用支架单元之间通过腐蚀后或冲切后形成的细小的金属条10连接，形成网状结构。这里的金属条10的宽度小于或等于O. 5mm，有利于切割。每个LED器件用支架单元中形成有一个芯片安放部11、两个电极部13、两个连接槽12，两个连接槽12分别位于芯片安放部11的两侧，连接槽12沿其厚度方向及长度方向贯穿基板，也即连接槽12将芯片安放部11与电极部13隔开。连接槽12将基板上下表面导通，并将基板的前后两个端面导通。最终形成的LED器件用支架单元的结构参见图4，其上表面为平面结构，每个LED器件用支架单元内部设有极性标识通孔6和芯片安放标识通孔7。本实施例中，极性标志通孔6的形状为方形，在其他实施例中也可为圆形、三角形形或其他形状；芯片安放标志通孔7主要的是为了提高的固晶区域(放置发光元件)的精度，减少芯片的偏差，避免因芯片位置偏差较大导致的出光不均匀问题。芯片安放标志通孔的大小为电极的O. 5-0. 8倍。芯片安放标志通孔突出固晶区位置；芯片安放标志通孔可在金属板电极处直接全腐蚀或冲切出需要的形状，可以是不同的形状。13、基板表面处理。对基板上下表面镀金属层，可镀镍或金或银，在本实施例中，基板上表面局部镀银，即在功能区域镀银。如图4所示，在功能区域镀了金属层5。本实施例中功能区域是指形成LED器件后基板上表面被透镜覆盖的区域；非功能区域是指基板上表面除功能区域以外的其他区域。镀金属层的步骤具体为对基板的各个LED器件用支架单元的非功能区域进行掩膜，然后对功能区域进行电镀银形成金属层5。电镀完成后，再对非功能区域进行粗化处理，这里的粗化处理是指将基板上非功能区域的原本平滑的表面处理成粗糙的表面，其上形成凹凸不平的粗化结构。图5示出经粗化处理在非功能区域形成的凹凸不平的粗化结构14。选择性电镀可节省成本及突出焊接金线的位置；同时，可避免器件的边缘区域由于银和封装胶体的结合性较差的问题而影响器件的气密性问题，提高器件的可靠性。S2、取出基板，在背面贴高温密封胶并进行过塑。高温密封胶所选的材料优选为聚酯薄膜基材，高温密封胶应具备以下性能与金属基板粘接力大，确保背面与高温密封胶紧密结合；此外，延展性好，金属基板有凹凸设计，CN 102916112 A
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要求高温密封胶操作时，黏贴为水平。S3、安放LED芯片、焊接金线；根据金属基板上的芯片安放识别通孔，可以快速地确认放置LED芯片的位置，直接在平板上面放置LED芯片，提高效率；通过金线连接金属基板和LED芯片，金线落在设计的打线区域。S4、荧光胶涂布；已经放置好发光元件的器件进行荧光胶涂布，使用的方法为喷涂。喷涂的过程采用一种喷涂磁性载具。如图6所示，为本发明制造方法中所用喷涂磁性载具的示意图，喷涂磁性载具包括一磁性主体81和设置在磁性主体81上方的金属网罩83。该磁性主体81具有磁性，能够与金属网罩吸附，即可通过吸附的作用使金属网罩和金属基板紧密结合。该磁性主体81具有盛放槽82，用于放置金属基板。金属网罩83具有与金属基板中的独立支架单元的数量与位置相对应的喷涂孔831。喷涂孔831用于在喷涂荧光粉过程中保证荧光粉在LED芯片表面的喷涂面积和形状。另外，盛放槽82的深度h小于等于金属基板的厚度，本实施例中，基板的厚度为O. 3mm，基于此厚度，盛放槽82深度h的范围优选为O. 2mm-0. 3mm之间，本实施例中盛放槽82的深度为O. 3mm。盛放槽82的设计可以保护器件内部的发光元件，同时提高了磁性主体与上层的金属网罩83结合力，由于金属基板比较薄，上层的金属网罩83与磁性主体81的磁性作用力更大，使得金属基板与金属网罩83之间无间隙，因此保证了喷涂的面积与形状，阻止荧光胶体溢到金属基板内部的间隙，可以在发光元件表面形成均匀的涂层，发光角度优异，提高了喷涂的集中度。完成涂布后，对荧光胶体进行硬化处理。S5、透镜成型；已经完成荧光胶体硬化的金属基板进行一次透镜成型，把金属基板放置在透镜模具内，该模具包括上模和下模，上模用于承载带有LED芯片的金属基板，下模具有与金属基板的芯片安放部一一对应的光学透镜结构的模腔。对透镜模具内部进行真空处理后，金属基板固定在模具的上模底部，然后在模腔内注入适量封装胶体；透镜模具上下模压合，升温，封装胶体形成透镜以及填充在金属基板的间隙内部。透镜21覆盖金属基板的功能区域。在透镜成型过程中部分封装胶体流入到连接槽12中，形成连接胶层23 ;还有部分封装胶体流到非功能区域，形成边缘封装胶层22，透镜21以及边缘封装胶层22、连接胶层23的结构如图7所示，边缘封装胶层22与非功能区域上的粗化结构紧密结合，其配合示意图参·见图8。粗化后的“凹凸”结构，相比于现有技术中没做粗化处理的光滑基板，该结构能够加大边缘封装胶层与非功能区域的结合面积及结合力度，可进一步延长水汽从LED器件的外部经过封装胶体和基板之间渗入LED芯片的路径，提高两者的气密性，提高所述LED器件的可靠性，从而提高所述LED器件的使用寿命。此外，还有少许封装胶体进入极性标识通孔6以及芯片安放标识通孔7，填充极性标识通孔6以及芯片安放标识通孔7，这部分封装胶体与边缘封装胶层、连接胶层、透镜连为一体，可提高器件的可靠性。封装胶体优先选择硅树脂，一方面能提高器件的硬度，保护器件的内部发光元件，另一方面提高器件的抗老化和抗UV的能力。
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塑封成一次透镜后，基板与高温密封胶一起烘烤，硅树脂完全硬化后，除去背部的高温密封胶。最后形成的结构是基板结合在封装胶体内部，同时在LED芯片上部有透镜。S6、切割。通过切割刀切断前述金属基板各个支架单元之间的金属条，即可得到独立的大功率LED器件，形成的大功率LED器件如图7所示。以上实施例中形成的LED器件用支架单元中形成有两个连接槽，两个电极部，在其他实施例中，也可只形成一个连接槽，其中一个电极部和芯片安放部形成一体结构，如图9所示。本实施例中，电极部的侧部平整，在其他实施例中，在两个电极部的下侧部各形成有一个凹槽13a,如图9所示。 本实施例中，设置S4荧光胶涂布步骤，是用来做成白光LED器件，在其他不需要做成白光LED器件的实施例中，无需设置步骤S4，即无需进行荧光胶涂布，在步骤S3之后直接进行S5步骤。大功率LED器件实施例以下结合图10、图11对本实施例的大功率LED器件进行详细描述。如图10、图11所示，本实施例中的大功率LED器件，包括一金属材质的基板1，至少一个设置于基板I上表面的LED芯片3，连接LED芯片电极和器件电极的金线4以及将基板1、LED芯片3和金线4 一起包封的封装胶体2。在其他实施例中，LED芯片3为倒装芯片时，不需要金线。封装胶体2包封基板、LED芯片和金线，并且在基板I上表面形成一个帽状封装胶层，该帽状封装胶层包括半球状的透镜21以及边缘封装胶层22。透镜21完全覆盖LED芯片3和金线4 ;边缘封装胶层22覆盖透镜21以外的金属基板I上表面的区域。如图10所示，基板I具有芯片安放部11、用以卡扣封装胶体的两个连接槽12以及两个电极部13 ;两个电极部13分别位于芯片安放部11的两侧，连接槽12位于芯片安放部11与电极部13之间。其中，连接槽为贯穿基板I前后端及顶端和底端的通槽，该通槽靠近基板顶端部分的宽度小于靠近基板底端部分的宽度，这使得封装时，封装胶体能够进入该连接槽中填充该连接槽，在固化后能够形成与该连接槽嵌合的连接胶层；由于该连接槽靠近基板上表面的宽度小于靠近金属基板下表面的宽度，所以连接胶层形成卡扣结构，使封装胶体与基板能更加牢固的结合。电极部13是露出于封装胶体2之外的基板底部，基板I上表面上与电极部13位置相应的位置处用以连接金线或者与LED芯片电极电性连接，以实现LED芯片与电极部13的电性连接，两个电极部13之间是通过封装胶体2实现电性绝缘；芯片安放部11与两个电极部13也是通过封装胶体2电性绝缘；芯片安放部11的底部可以是露出在封装胶体2之外，或者被封装胶体2全包封。本实施例中，连接槽12是在基板I的底部通过半腐蚀技术形成的，即连接槽中靠近基板上表面的位置，其宽度小于连接槽中靠近基板下表面的位置处的宽度。连接槽12中填充有封装胶体，即连接胶层23，与透镜21及边缘封装胶层22连成一体结构。除了在电极部与芯片安放部设置的连接槽12外,在电极部13的外侧边上还设置一凹槽13a,该凹槽13a可根据实际需要的尺寸而设置，连接槽13a呈“7”或者“倒L”状的台阶状凹陷结构。所述的“7”或者“倒L”状的凹槽13a中填充有封装胶体，形成另一连接胶层，与所述的边缘封装胶层连成一体结构。由于封装胶体2填充在凹槽13a内，让封装胶体2可以通过凹槽13a实现与金属基板I类似卡扣方式连接，所以封装胶体与金属基板I更紧密与牢固地结合，不容易松动，提高了器件的可靠性。进一步地，基板I上表面分为功能区域和非功能区域。功能区域为发光器件区域，包括芯片安放部11和电极部13对应的基板上表面的金线焊接处，即透镜21覆盖基板上表面的区域。非功能区域为基板上表面没有被透镜覆盖的区域，也即边缘封装胶层22所覆盖的区域。由于封装胶体在基板上表面形成透镜的过程，少部分封装胶体会流向非功能性区域处，故在非功能区域形成一层厚度相对较薄的边缘封装胶层22与透镜21连成一体。进一步地，基板I在功能区域上镀一金属层5，非功能区域上不镀金属层。如图10所示，金属层5分为三部分，分别设于芯片安放部11以及两个电极部13对应的基板上表面的金线焊接处。金属层5的作用一方面用于反射LED芯片发出的光；另一方面，焊接金线4时，可作为焊接金线位置的标志，以防金线4打到功能区域以外的区域，避免透镜21无法将金线4完全覆盖而导致出现LED器件可靠性的问题。本实施例中镀的金属层为银层。进一步地，基板上表面的非功能性区域经过粗化处理，形成凹凸不平的结构。参见图11，由于封装胶体在基板上表面形成透镜的过程，少部分封装胶体会流向非功能性区域处(即在基板上表面没有被透镜覆盖的区域处)，在非功能区域形成一层厚度相对较薄的边缘封装胶层22，其与透镜21连成一体。非功能性区域经过粗化处理后，可加大与边缘封装胶层22的结合面积，使两者更加紧密结合，进而使透镜更加牢固地与基板相结合。本实施例中，各部分填充的封装胶体通过一次性塑封成型，呈一体结构。封装胶体可为环氧树脂或硅胶等胶体，本实施例优选为硅胶。本实施例提供的大功率LED器件，与传统的大功率LED器件相比较，其有益效果在于I、结构简单。本实施例提供的一种大功率LED器件只有金属基板形成相互绝缘的电极部和芯片安放部，其中芯片安放部同时用于散热，与传统的PLCC支架相比较，没有塑料外壳和另外填充热沉，结构简单，相应的制作方法简单。2、气密性好。由于传统的大功率器件的金属框架需要注塑成型，内部需要环氧树脂，PPA等材料注塑包覆整个基板，但PPA、环氧树脂等材料与封装胶体之间结合的气密性，以及PPA、环氧树脂与金属支架由于热膨胀系数的不同而使两者之间的结合气密性较差，影响整个器件的气密性。本实施例提供的大功率LED器件，采用一次封装胶塑封成型，封装胶体直接包覆了基板，并且实现基板的电极部和芯片安放部的可靠粘接，有效解决器件的气密性问题。进一步地，基板设置的极性标识通孔以及芯片安放标识通孔亦可加强封装胶体与金属基板的紧密结合。另外，选择性地在功能区域(发光器件区域)电镀金属层，而在非功能区域，即处于器件的边缘区域不镀金属层，可避免器件的边缘区域由于银和封装胶体的结合性较差的问题而影响器件的气密性问题，提高器件的可靠性。3、传统的PLCC大功率器件需要先有模具注塑成型，再形成透镜，多重材料的结合
10使得PLCC器件的结合力较差。而现有技术中的陶瓷基板脆，生产过程容易碎裂，切割速度慢，同时边缘容易碎裂，造成单个器件批峰严重。本发明提供的大功率LED器件采用金属片作为基板，用金属条实现支架单元的连接，切割速度高，可靠性高，且划片外观平整。本实施例的大功率LED器件采用封装胶体一次性塑封成型，封装胶体实现了电极部与芯片安放部之间的绝缘，同时在器件顶部形成了利于出光的透镜结构，透镜结构直接覆盖基板，并与连接胶层为一体结构，且连接胶层以卡扣结构与基板牢固结合，故透镜可以与基板紧密结合。以上对本发明进行了详细介绍，文中应用具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
权利要求
1.一种大功率LED器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤1)选择金属片作为基板；2)在基板上通过腐蚀或冲切工艺形成至少一个LED器件用支架单元，LED器件用支架单元中形成有LED芯片安放部、电极部以及将LED芯片安放部与电极部隔开的连接槽，所述连接槽分别沿其高度方向及长度方向贯穿LED器件用支架单元中的基板，所述连接槽中靠近基板上表面位置处的宽度小于远离基板上表面位置处的宽度；3)在LED器件用支架单元中基板的上表面的功能区域镀金属层，所述功能区域为形成LED器件后基板上被透镜覆盖的区域；4)在基板背面贴高温密封胶并进行过塑；5)在LED芯片安放部上安放LED芯片，将LED芯片与电极部电性连接；6)将基板放入透镜模具内用封装胶体进行一次透镜成型，部分封装胶体在各LED器件用支架单元的基板上表面的功能区域形成透镜、部分封装胶体填充到连接槽中形成连接胶层。
2.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，在功能区域镀金属层完成后，对基板上除功能区域外的非功能区域进行粗化处理，形成凹凸不平的结构，部分封装胶体在非功能区域上形成边缘封装胶层，所述透镜与边缘封装胶层、连接胶层为一体结构。
3.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，在对功能区域镀金属层前，先对基板上除功能区域外的非功能区域进行掩膜。
4.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，所述基板的厚度为O. 2mm O. 4mm0
5.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，在步骤5)之后、步骤6)之前还设有对LED器件用支架单元进行荧光胶喷涂的步骤。
6.根据权利要求5所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，对LED器件用支架单元进行荧光胶喷涂的步骤具体为将基板放入喷涂磁性载具的磁性主体的盛放槽中，然后将喷涂磁性载具的金属网罩罩在磁性主体上，从金属网罩上的喷涂孔向与该喷涂孔对应的LED器件用支架单元喷涂荧光胶，然后进行硬化处理。
7.根据权利要求6所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，所述磁性主体上的盛放槽的深度小于或等于基板的厚度。
8.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，步骤2)中，在所述基板上形成两个以上通过金属条连接的LED器件用支架单元。
9.根据权利要求8所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，所述金属条的宽度为O. 5mm以下。
10.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，步骤2)中形成的LED器件用支架单元上还设有贯穿基板的极性标识通孔和芯片安放标识通孔。
11.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，步骤6)中，在基板上形成透镜后再进行烘烤，待封装胶体完全硬化后，去除基板背部的高温密封胶。
12.根据权利要求I所述的大功率LED器件的制造方法，其特征在于，步骤6)中，基板在透镜模具中一次透镜成型具体为将基板放入透镜模具后，对透镜模具内部进行真空处理，使基板固定在透镜模具的上模底部，在下模的与基板上各LED器件用支架单元的芯片安放部一一对应的模腔内注入封装胶体，而后将透镜模具的上模、下模合模。
13.—种大功率LED器件，其特征在于，由权利要求f 12的制造方法制成。
全文摘要
本发明公开一种大功率LED器件的制造方法，采用金属片作为基板，在基板上通过腐蚀或冲切工艺形成至少一个LED器件用支架单元，LED器件用支架单元中形成有芯片安放部、电极部以及连接槽；然后在基板背面贴高温密封胶并进行过塑，再在各支架单元上安放LED芯片，将LED芯片与电极部电性连接；在LED器件用支架单元中基板的上表面的功能区域镀金属层，将基板放入透镜模具内用封装胶体进行一次透镜成型，部分封装胶体在各LED器件用支架单元的基板上表面形成透镜、部分封装胶体填充到连接槽中形成连接胶层。本发明的制造方法过程简单、生产效率高、成本低，制得的大功率LED器件具有散热性好、气密性好的优点。
文档编号H01L33/64GK102916112SQ20121043047
公开日2013年2月6日 申请日期2012年10月31日 优先权日2012年10月31日
发明者谢志国, 李玉荣, 李军政, 雷自合 申请人:佛山市国星光电股份有限公司