专利名称：阵列基板及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术：
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。其中，高级超维场转换(Advanced super Dimension Switch, ADS)型 TFT-LCD 具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。ADS技术主要通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-1XD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。其中HADS (高开口率-高级超维场转换)是ADS技术中的一种重要实现形式。目前，HADS阵列基板的制造过程一般需要经过六次掩膜版构图工艺，具体如下通过第一次掩膜版构图工艺形成栅极和栅线的图形；通过第二次掩膜版构图工艺形成有源层图形；通过第三次掩膜版构图工艺形成像素电极图形(即板状电极)；通过第四次掩膜版构图工艺形成数据线、源极、漏极和TFT沟道的图形；通过第五次掩膜版构图工艺形成钝化层的图形；通过第六次掩膜版构图工艺形成条状的公共电极图形(即狭缝电极)。如果为了提高性能而增加树脂层，则需要再增加一次掩膜版构图工艺。因此现有技术中，掩模板的使用数量较多，导致制造成本较高。
实用新型内容
`[0005]本实用新型实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；所述源极、漏极上还包括树脂层、第一透明电极层、钝化层、第二透明电极层；其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；所述树脂层和所述钝化层上设有过孔，所述连接电极位于所述过孔中；所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。本实用新型进一步提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。与现有技术相比，本实用新型所提供的上述技术方案具有如下优点通过掩膜版构图工艺，刻蚀出第二透明电极的图形之后，继续刻蚀TFT沟道区域的漏极源极的图形和部分有源层的图形，形成漏极、源极和TFT沟道的图形。因此，本实用新型提供的技术方案实现了在一次掩膜版构图工艺中，形成第二透明电极的图形，以及漏极、源极和TFT沟道的图形，从而节省了掩膜版的使用数量，降低了阵列基板的制造成本。
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型的实施例1中第一次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图2为图1中A-A向的剖面示意图；图3为本实用新型的实施例1中第二次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图4为图3中A-A向的剖面示意图；图5为本实用新型的实施例1中第三次掩膜版构图工艺之后的平面示意·[0017]图6为图5中A-A向的剖面示意图；图7为本实用新型的实施例1中第四次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图8为图7中A-A向的剖面示意图；图9为本实用新型的实施例1中第五次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图10为图9中A-A向的剖面示意图；图11为本实用新型的实施例2中第三次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图12为图11中A-A向的剖面示意图；图13为本实用新型的实施例2中第四次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图14为图13中A-A向的剖面示意图；图15为本实用新型的实施例2中第五次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图16为图15中A-A向的剖面示意图；图17为本实用新型的实施例3中第三次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图18为图17中A-A向的剖面示意图；图19为本实用新型的实施例3中第四次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图20为图19中A-A向的剖面示意图；图21为本实用新型的实施例3中第五次掩膜版构图工艺之后的平面示意图；图22为图21中A-A向的剖面示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。实施例1 :本发明实施例所提供的阵列基板的制造方法,具体为高级超维场转换(Advancedsuper Dimension Switch,简称ADS)阵列基板的制造方法。本发明以HADS阵列基板为例，即公共电极为狭缝电极层，进行说明。本实用新型实施例所提供的HADS阵列基板的制造方法，具体可以包括SlOl :如图1和图2所示，在(玻璃)基板I上形成栅极的图形。[0040]具体的，采用磁控溅射或热蒸发的成膜方法，在基板I上沉积栅极金属层。其中，栅极金属层的厚度优选可以为1000 6000人,栅极金属层的材料可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合金、铬、铜中的一种或多种组合。在栅极金属层上涂覆一层光刻胶，经过第一次掩膜版工艺曝光并显影之后，在栅线20和栅极2的图形所在区域形成光刻胶完全保留区域，其余区域形成光刻胶完全去除区域。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的栅极金属层进行刻蚀，形成栅线20和栅极2的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第一次掩膜版构图工艺，如图1和图2所示。S102 :如图3和图4所示，在基板I上形成栅绝缘层3、有源层的图形和漏极源极6的图形。优选的，有源层的图形中具体包括半导体层4的图形和掺杂半导体层5的图形，其中掺杂半导体层5的图形覆盖在半导体层4的图形上方。具体的，利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法，依次在玻璃基板上沉积栅绝缘层3、半导体层4和掺杂半导体层5，再利用磁控溅射或热蒸发的成膜方法，沉积漏极源极金属层。其中，栅绝缘层3的材 料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化物等；漏极源极金属层可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合金、铬、铜中的一种或多种组合，其厚度优选为
1000 6000A。 在漏极源极金属层上涂覆一层光刻胶，经过第二次掩膜版工艺曝光并显影之后，在数据线60和漏极源极6的图形所在区域形成光刻胶完全保留区域，其余区域形成光刻胶完全去除区域。通过湿法刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶完全去除区域的漏极源极金属层，形成数据线60和漏极源极6的图形；再通过干法刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶完全去除区域的掺杂半导体层5和半导体层4，形成有源层的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第二次掩膜版构图工艺，如图3和图4所示。S103 :如图5和图6所示，在基板I上形成第一透明电极的图形，本实施例中第一透明电极呈平板状，并作为阵列基板中的像素电极7。具体的，利用磁控溅射或热蒸发的成膜方法，在基板I上沉积像素电极层(第一透明电极层)。像素电极层可以采用氧化铟锡(Ι )、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等材料，其厚度优选为10() 1000人。在像素电极层上涂覆一层光刻胶，经过第三次掩膜版工艺曝光并显影之后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的像素电极层进行刻蚀，在像素电极层上形成像素电极7的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第三次掩膜版构图工艺，如图5和图6所示。[0056]S104 :如图7和图8所示，在基板I上形成钝化层8，并通过掩膜版构图工艺，对需要形成TFT沟道的TFT间隔区域的钝化层8进行刻蚀，在钝化层8上形成对应TFT沟道区域的间隔图形。具体的，利用PECVD的方法，在基板I上形成钝化层8。钝化层8可以采用氧化物、氮化物或氧氮化物等， 其厚度优选为1000 7000A。在钝化层8上涂覆一层光刻胶，经过第四次掩膜版工艺曝光并显影之后，在对应TFT沟道的间隔区域形成光刻胶完全去除区域，其余区域形成光刻胶完全保留区域。通过干法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的钝化层8进行刻蚀，在钝化层8上形成对应TFT沟道区域的间隔图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第四次构图工艺，如图7和图8所示。S105 :如图9和图10所示，在基板I上沉积第二透明电极层，通过一次掩膜版构图工艺，对第二透明电极层进行刻蚀，形成第二透明电极9的图形，再对TFT间隔区域的漏极源极6的图形、部分有源层的图形(掺杂半导体层5的图形和部分半导体层4的图形)进行刻蚀，形成漏极61、源极62和TFT沟道63的图形。本实施例中第二透明电极9呈狭缝状，并作为阵列基板中的公共电极。具体的，利用磁控溅射或热蒸发的成膜方法，在基板I上沉积公共电极层(第二透明电极层)。公共电极层可以采用ITO、IZO或氧化铝锌等材料。在公共电极层上涂覆一层光刻胶，经过第五次掩膜版工艺曝光并显影之后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的公共电极层进行刻蚀，形成公共电极9的图形；然后，再通过干法刻蚀工艺对TFT间隔区域的漏极源极6的图形和部分有源层的图形(掺杂半导体层5的图形和部分半导体层4的图形)进行刻蚀，形成源极61、漏极62和TFT沟道63的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-1XD阵列基板第五次构图工艺，如图9和图10所示。本实用新型实施例提供的HADS阵列基板的制造方法，通过第五次掩膜版构图工艺，刻蚀出公共电极9的图形之后，继续刻蚀TFT间隔区域的漏极源极6的图形和部分有源层的图形(掺杂半导体5图形和部分半导体4图形)，形成漏极61、源极62和TFT沟道63的图形。因此，本实用新型提供的技术方案实现了在一次掩膜版构图工艺中，形成公共电极9的图形，以及漏极61、源极62和TFT沟道63的图形，从而节省了掩膜版的使用数量，降低了HADS阵列基板的制造成本。应当说明的是，在其他的实施方式中，还可以将本实施例中平板状的第一透明电极作为公共电极、狭缝状的第二透明电极作为像素电极。当然，这种实施方式还需要将第一透明电极与漏极隔开，并将第二透明电极与漏极相连。本实用新型实施例还提供了一种带有树脂层的HADS阵列基板及其制造方法。该HADS阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；所述源极、漏极上还包括树脂层、第一透明电极层、钝化层、第二透明电极层；其中， 所述第二透明电极层包括第二透明电极和连接电极；[0071]所述树脂层和所述钝化层上设有过孔，所述连接电极位于所述过孔中；所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。实施例2 本实施例提供的带有树脂层的HADS阵列基板中，连接电极与第一透明电极(像素电极)及漏极的具体连接方式如图14和图16所示过孔90依次穿过钝化层8、第一透明电极层、树脂层10，第一透明电极7在过孔90的侧壁与连接电极91形成电连接，漏极61在过孔90的底部与连接电极91形成电连接。其制造方法如下。S201 :在(玻璃)基板上形成栅极的图形。S202:在基板上形成栅绝缘层、有源层的图形(半导体层的图形和掺杂半导体层的图形)和漏极源极的图形。上述步骤的具体实现方式，与实施例1中的S101、S102相同，不再赘述。S203 :如图11和图12所示，在基板I上依次形成树脂层10和像素电极7的图形(第一透明电极的图形)。具体的，在基板I上沉积一层树脂层10，再沉积一层像素电极层，其中树脂层10的厚度为1. 5至2.0 μ m。在像素电极层上涂覆一层光刻胶，经过第三次掩膜版工艺曝光并显影之后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。其中，光刻胶完全去除区域中包括过孔区域。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的像素电极层进行刻蚀，在像素电极层上形成像素电极7的图形和过孔区域图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第三次掩膜版构图工艺，如图11和图12所示。S204 :如图13和图14所示，在基板I上形成钝化层8，并通过掩膜版构图工艺，对需要形成TFT沟道的TFT间隔区域和过孔区域的钝化层8进行刻蚀，在钝化层8上形成对应TFT沟道区域的间隔图形和过孔区域图形；再对TFT沟道区域和过孔区域的树脂层10进行刻蚀，在树脂层10上形成对应TFT沟道区域的间隔图形和过孔区域图形。具体的，利用PECVD的方法，在基板I上形成钝化层8。在钝化层8上涂覆一层光刻胶，经过第四次掩膜版工艺曝光并显影之后，在需要形成TFT间隔区域和过孔区域形成光刻胶完全去除区域，其余区域形成光刻胶完全保留区域。通过干法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的钝化层8进行刻蚀，形成去除了需要形成的TFT间隔区域和过孔区域的钝化层8图形。再对光刻胶完全去除区域的树脂层10进行刻蚀，形成去除了需要形成的TFT间隔区域和过孔区域的树脂层10图形，并且形成过孔90。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第四次掩膜版构图工艺，如图13和图14所示。S205 :如图15和图16所示，在基板I上沉积公共电极层(第二透明电极层)，通过一次掩膜版构图工艺，对公共电极层进行刻蚀，形成公共电极9和连接电极91的图形，再对TFT间隔区域的漏极源极6的图形、部分有源层的图形(掺杂半导体层5的图形和部分半导体层4的图形)进行刻蚀，形成漏极61、源极62和TFT沟道63的图形。[0090]具体的，在基板I上沉积公共电极层。在公共电极层上涂覆一层光刻胶，经过第五次掩膜版工艺曝光并显影之后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。其中，光刻胶完全保留区域对应连接电极91和公共电极9的图形。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的公共电极层进行刻蚀，形成公共电极9和连接电极91的图形；然后，再通过干法刻蚀工艺对TFT间隔区域的漏极源极6的图形和部分有源层的图形(掺杂半导体层5的图形和部分半导体层4的图形)进行刻蚀，形成漏极61、源极62和TFT沟道63的图形。其中，连接电极91位于过孔90中，用于电连接像素电极7与漏极61。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第五次掩膜版构图工艺，如图15和图16所示。本实用新型实施例中，同样通过五次掩膜版构图工艺制成HADS阵列基板，并且在漏极源极6与像素电极7之间增加了树脂层10，这样既能减小漏极源极6和像素电极7之间的电容，又能增加TFT表面的平整度，从而提闻HADS液晶显不器的显不品质。在该HADS阵列基板的制造过程中，可以在第四次掩膜版构图工艺中，刻蚀掉过孔区域和对应TFT沟道区域的钝化层之后，继续刻蚀过孔区域和对应TFT沟道区域的树脂层，从而在第四次掩膜版构图工艺中，形成钝化层的图形和树脂层的图形。此外，在第五次掩膜版构图工艺中，可以在刻蚀出公共电极的图形和连接电极之后，继续刻蚀TFT沟道区域的漏极源极的图形和部分有源层的图形，形成漏极、源极和TFT沟道的图形，从而在第五次掩膜版构图工艺中，形成公共电极的图形、连接电极，以及漏极、源极和TFT沟道的图形。因此，本实用新型实施例实现了利用五次掩膜版构图工艺制成HADS阵列基板，节省了掩膜版的使用数量，降低了 HADS阵列基板的制造成本，并通过增加树脂层提高了 HADS液晶显示器的显示品质。应当说明的是，在其他的实施方式中，还可以将本实施例中平板状的第一透明电极作为公共电极、狭缝状的第二透明电极作为像素电极。当然，这种实施方式中的连接电极将用于使第二透明电极与漏极相连，而第一透明电极与漏极之间通过树脂层保持绝缘。实施例3 如图21和图22所示，本实施例与实施例2基本相同，其不同点在于，连接电极与第一透明电极(像素电极)及漏极的具体连接方式为过孔具体包括第一过孔901和第二过孔902 ;其中，第一过孔901穿过钝化层8，露出第一透明电极7 ;第二过孔902穿过钝化层8和树脂层10，露出漏极61 ;连接电极91的一端在第一过孔901中与第一透明电极7形成电连接，连接电极91的另一端在第二过孔902中与漏极61形成电连接；第一透明电极7与漏极61通过连接电极91形成电连接。其制造方法如下。S301 :在(玻璃)基板上形成栅极的图形。S302:在基板上形成栅绝缘层、 有源层的图形(半导体层的图形和掺杂半导体层的图形)和漏极源极的图形。上述步骤的具体实现方式，与实施例1中的S101、S102，及实施例2中的S201、S202相同，不再赘述。S303 :如图17和图18所示，在基板I上依次形成树脂层10和像素电极7的图形(第一透明电极的图形)。具体的，在基板I上沉积一层树脂层10，再沉积一层像素电极层，其中树脂层10的厚度为1. 5至2. O μ m。在像素电极层上涂覆一层光刻胶，经过第三次掩膜版工艺曝光并显影之后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。本实施例与实施例2相比，像素电极的图形的面积较小，没有覆盖在漏极上方，所以本步骤中的光刻胶完全保留区域仅是像素电极的图形，不包括过孔区域。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的像素电极层进行刻蚀，形成像素电极7的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第三次掩膜版构图工艺，如图17和图18所示。
S304 :如图19和图20所示，在基板I上形成钝化层8，并通过掩膜版构图工艺，对需要形成TFT沟道的TFT沟道区域、第一过孔区域和第二过孔区域的钝化层8进行刻蚀，在钝化层8上形成对应TFT沟道区域的沟道图形、第一过孔区域图形和第二过孔区域图形；再对TFT沟道区域和第二过孔区域的树脂层10进行刻蚀，在树脂层10上形成对应TFT沟道区域的TFT沟道区域图形和第二过孔区域图形。具体的，利用PECVD的方法，在基板I上形成钝化层8。在钝化层8上涂覆一层光刻胶，经过第四次掩膜版工艺曝光并显影之后，在TFT沟道区域、第一过孔区域和第二和过孔区域形成光刻胶完全去除区域，其余区域形成光刻胶完全保留区域。通过干法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的钝化层8进行刻蚀，形成去除了 TFT沟道区域、第一过孔区域和第二过孔区域的钝化层8图形，此时形成的第一过孔901露出了像素电极层。再对光刻胶完全去除区域的树脂层10进行刻蚀，形成去除了 TFT沟道区域和第二过孔区域的树脂层10图形，此时形成的第二过孔902露出了漏极部分。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第四次掩膜版构图工艺，如图19和图20所示。S305 :如图21和图22所示，在基板I上沉积公共电极层(第二透明电极层)，通过一次掩膜版构图工艺，对公共电极层进行刻蚀，形成公共电极9和连接电极91的图形，再对TFT沟道区域的漏极源极6的图形、部分有源层的图形(掺杂半导体层5的图形和部分半导体层4的图形)进行刻蚀，形成漏极61、源极62和TFT沟道63的图形。具体的，在基板I上沉积公共电极层。在公共电极层上涂覆一层光刻胶，经过第五次掩膜版工艺曝光并显影之后，形成光刻胶完全保留区域和光刻胶完全去除区域。其中，光刻胶完全保留区域对应连接电极91和公共电极9的图形。通过湿法刻蚀工艺对光刻胶完全去除区域的公共电极层进行刻蚀，形成公共电极9和连接电极91的图形。其中，连接电极91连通第一过孔901和第二过孔902，用于电连接像素电极7与漏极61。然后，再通过干法刻蚀工艺对TFT沟道区域的漏极源极6的图形和部分有源层的图形(掺杂半导体层5的图形和部分半导体层4的图形)进行刻蚀，形成漏极61、源极62和TFT沟道63的图形。剥离光刻胶完全保留区域剩余的光刻胶，完成TFT-LCD阵列基板第五次掩膜版构图工艺，如图21和图22所示。本实用新型实施例中，同样 通过五次掩膜版构图工艺制成HADS阵列基板，并且在漏极源极6与像素电极7之间增加了树脂层10，这样既能减小漏极源极6和像素电极7之间的电容，又能增加TFT表面的平整度，从而提闻HADS液晶显不器的显不品质。虽然本实施例利用两个过孔及连接电极将像素电极与漏极电连接，但其效果与实施例2是相同的。在该HADS阵列基板的制造过程中，可以在第四次掩膜版构图工艺中，刻蚀掉第一过孔区域、第二过孔区域和TFT沟道区域的钝化层之后，继续刻蚀第二过孔区域和TFT沟道区域的树脂层，从而在第四次掩膜版构图工艺中，形成钝化层的图形和树脂层的图形。此夕卜，在第五次掩膜版构图工艺中，可以在刻蚀出公共电极的图形和连接电极之后，继续刻蚀TFT沟道区域的漏极源极的图形和部分有源层的图形，形成漏极、源极和TFT沟道的图形，从而在第五次掩膜版构图工艺中，形成公共电极的图形、连接电极，以及漏极、源极和TFT沟道的图形。因此，本实用新型实施例实现了利用五次掩膜版构图工艺制成HADS阵列基板，节省了掩膜版的使用数量，降低了 HADS阵列基板的制造成本，并通过增加树脂层提高了 HADS液晶显示器的显示品质。应当说明的是，在其他的实施方式中，还可以将本实施例中平板状的第一透明电极作为公共电极、狭缝状的第二透明电极作为像素电极。当然，这种实施方式中的连接电极将用于使第二透明电极与漏极相连，而第一透明电极与漏极之间通过树脂层保持绝缘。本实用新型实施例中例举的结构是显示区域的具体结构，而显示区域的膜层顺序可以有很多种变化，只要制作出面板驱动必要的元素(比如栅极、源极、漏极和像素电极等)，确保面板正常驱动即可。本实用新型实施例的结构中，只要确保各金属层彼此绝缘，且具有连接到外部的可导电部件(比如ITO材料制作的连接电极)即可。本实用新型实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。以上所述，仅为本实用新型的具体实施方式
，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种阵列基板，所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线.其特征在于所述源极、漏极上包括树脂层、第一透明电极、钝化层、第二透明电极层； 其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；还包括过孔，形成在所述树脂层和所述钝化层中，所述连接电极位于所述过孔中； 所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述过孔穿过所述第一透明电极，所述第一透明电极在所述过孔的侧壁与所述连接电极形成电连接，所述漏极在所述过孔的底部与所述连接电极形成电连接。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述过孔具体包括第一过孔和第二过孔；其中，所述第一过孔形成在所述钝化层中，且露出所述第一透明电极；所述第二过孔形成在所述钝化层和所述树脂层中，并露出所述漏极；所述连接电极的一端在所述第一过孔中与所述第一透明电极形成电连接，所述连接电极的另一端在所述第二过孔中与所述漏极形成电连接。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于所述树脂层的厚度为1.5至2. O μ m。
5.一种显示装置，其特征在于包括权利要求1-4任一项所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。本实用新型实施例所述阵列基板包括栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、漏极、源极、数据线；所述源极、漏极上包括树脂层、第一透明电极、钝化层、第二透明电极层；其中，所述第二透明电极层包括具有狭缝的第二透明电极和连接电极；还包括过孔，形成在所述树脂层和所述钝化层中，所述连接电极位于所述过孔中；所述第一透明电极与所述漏极通过所述连接电极形成电连接。本实用新型实施例提供一种阵列基板及显示装置，用于减少掩膜版的使用数量。
文档编号H01L27/12GK202888179SQ20122057938
公开日2013年4月17日 申请日期2012年11月5日 优先权日2012年11月5日
发明者孙双, 崔承镇 申请人:京东方科技集团股份有限公司