带状氧化物超导线材的制造方法及热处理装置制造方法
【专利摘要】本发明提供热处理方法，使在TFA-MOD法中所制造的带状氧化物超导线材的超导特性提高。该方法中，在热处理装置（10）内，圆筒状的旋转体（12）以可相对于炉芯轴（C）旋转的方式配置于炉芯管（11）的圆筒状的热处理空间（11a）的内部。在上述旋转体（12）中，在形成有多个贯通孔（17）的表面（12a）上缠绕带状线材（50），该带状线材（50）形成有超导前驱物的膜体。气体供给管（13）自与缠绕于旋转体（12）的带状线材（50）的膜面相对且与该膜面隔开的位置，将环境气体供给至该膜面。旋转体（12）的表面（12a）与气体供给管（13）的气体喷出孔（20）的隔开距离（S）为10mm至150mm，供给至带状线材（50）的环境气体经由气体排出管（14），自旋转体（12）内部排出至上述炉芯管（11）的外部。
【专利说明】带状氧化物超导线材的制造方法及热处理装置
【技术领域】
[0001]本发明涉及带状氧化物超导线材的制造方法及热处理装置，尤其涉及使用MOD(Metal-organic Deposition,金属有机盐沉积)法在形成有中间层的金属基材上形成超导层的技术。
【背景技术】
[0002]以往，作为YBa2Cu3CVx (YBCO)系的带状氧化物超导线材的制造方法，公知有使用金属有机盐涂布热分解(MOD:Metal-organic Deposition)法在形成有中间层的金属基材上形成超导层(参照专利文献1、专利文献2及专利文献3)的方法。
[0003]在上述MOD法中，首先，将形成有氧化物中间层的带状基材浸溃于超导原料溶液中，该超导原料溶液是以规定的摩尔比而包含构成超导体的各金属元素且以三氟乙酸盐(TFA盐)为代表的辛酸盐、环烷酸盐等的金属有机酸盐的混合溶液。接着，自超导原料溶液中捞出上述基材(所谓的浸涂法(dipcoating method)),由此,将混合溶液涂布于基材的表面。接着，通过进行预烧结及正式烧结来形成氧化物超导层。
[0004]MOD法在非真空中也可连续地在长条状基材上形成氧化物超导层，因此，与脉冲镭射沉积(Pulse Laser Deposition,PLD)法或化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)法等气相法相比较，工艺简单且可实现低成本化，因此受到关注。
[0005]在专利文献1、专利文献2中公开有对表面附着有超导原料溶液的基材进行热处理的批次式(batch type)的热处理装置。批次式的热处理装置与如专利文献3所示的卷带(reel-to-reel)式的热处理装置相比较，具有易于对炉内的环境进行控制的优点，因此可形成稳定的超导层。另外，批次式的热处理装置与卷带式的热处理装置相比较，具有装置小型化且可在短时间内完成烧结的优点。此外，卷带式的热处理装置是将线材送出机构及线材卷绕机构设置在隧道形状的炉芯管的两端，使线材以固定速度在炉内移动，由此来对该线材进行烧结。
[0006]简单地对专利文献1、专利文献2所公开的热处理装置的结构进行说明。该热处理装置将表面附着有超导原料的基材缠绕于圆筒状的旋转体。利用旋转驱动机构来使缠绕有基材的圆筒状的旋转体旋转驱动。旋转体中形成有多个贯通孔。在基材缠绕于旋转体的状态下，利用设置于基材的表面方向的加热器来对该基材进行加热。另外，包含惰性气体、氧气及水蒸气等的环境气体自基材的表面方向朝基材喷出，该环境气体经由形成在圆筒体的贯通孔而被排出。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1:日本专利第4468901号公报
[0010]专利文献2:日本专利特开2009-48817号公报
[0011]专利文献3:日本专利第4401992号公报
【发明内容】
[0012]在使前驱物在中间层上成膜之后，对该前驱物实施正式烧结从而形成YBCO膜的方法(TFA-M0D法)中，当进行正式烧结时使用水蒸气作为供给至前驱物膜的环境气体(反应性气体)，上述前驱物是使用专利文献1、专利文献2所公开的热处理装置，对涂布有包含三氟乙酸盐等的混合溶液的基材进行预烧结所得的超导前驱物，且上述前驱物含有氟(F)。
[0013]此时的产生YBCO的反应式为
[0014]l/2Y2Cu205+2BaF2+2Cu0+2H20 — YBC0+4HF。
[0015]如此，由于当进行正式烧结时，使用水蒸气作为环境气体对前驱物膜进行热处理，因此会产生HF，在该反应之后会产生HF气体。
[0016]在TFA-MOD法中，对氟化合物(BaF2)进行分解时的氟的除去速度为产生YBCO的反应限速。因此存在由于反应之后产生的HF气体的影响，所烧结的YBCO膜的超导特性会下降的问题。
[0017]尤其为了获得具有临界电流密度(Jc)为2.0以上、临界电流值(Ic)为300A以上的特性的长条带状线材，必须使超导层形成为1.5 μ m以上的膜厚。若形成为上述膜厚，则越发难以将氟气完全除去，从而无法获得上述特性。
[0018]因此，为了使YBCO膜的超导特性提高，重要的是在正式烧结中如何将前驱物中所含的氟予以除去。
[0019]本发明的目的在于提供使TFA-MOD法中的超导特性提高的带状氧化物超导线材的制造方法及热处理装置。
[0020]本发明的带状氧化物超导线材的制造方法使用的热处理装置包括:炉芯管，具有圆筒状的热处理空间；圆筒状的旋转体，配置为能相对于所述热处理空间内部的炉芯轴而旋转，并且在形成有多个贯通孔的表面缠绕带状线材，所述带状线材形成有超导前驱物的膜体；气体供给管，用于向所述带状线材供给环境气体；以及气体排出管，用于将所述环境气体从所述旋转体内部排出至所述炉芯管外部，在所述带状氧化物超导线材的制造方法中，使用所述热处理装置，向缠绕在所述旋转体上的所述带状线材的所述膜体之膜面，从在上方隔开的位置供给所述环境气体，其中，所述旋转体的表面与所述气体供给管的气体喷出孔的隔开距离为IOmm至150mm。优选的是，隔开距离为50mm至100mm。
[0021]本发明的热处理装置的一个形态采用的结构包括:炉芯管，具有圆筒状的热处理空间；圆筒状的旋转体，以能相对于炉芯轴而旋转的方式配置在所述热处理空间内部，并且在形成有多个贯通孔的表面缠绕带状线材，所述带状线材形成有超导前驱物的膜体；气体供给管，配置在相对于缠绕在所述旋转体上的所述带状线材的所述膜体的膜面而在上方隔开的位置，且用于向所述膜面供给环境气体；以及气体排出管，用于将所述环境气体从所述旋转体内部排出，其中，所述气体供给管的气体喷出孔设置在与所述旋转体的表面之间的隔开距离为IOmm?150mm的位置。优选的是，隔开距离为50mm至100mm。
[0022]发明的效果
[0023]根据本发明，能够制造使TFA-MOD法中的超导特性提高的带状氧化物超导线材。
【专利附图】
【附图说明】
[0024]图1是表示本发明一个实施方式的带状氧化物超导线材的热处理装置的主要部分结构的概略剖面图。
[0025]图2是表示上述热处理装置的主要部分结构的概略正视图。
[0026]图3是表示上述热处理装置的旋转体的概略图。
[0027]图4是表示上述热处理装置的气体供给管的概略剖面图。
[0028]图5A?图5E是表示利用MOD法的YBCO超导线材的制造方法的概略图。
[0029]附图标记:
[0030]10:热处理装置
[0031]11:炉芯管
[0032]12:旋转体
[0033]12a:表面
[0034]12b:圆筒体
[0035]13:气体供给管
[0036]14:气体排出管
[0037]20:气体喷出孔
[0038]50:带状线材
[0039]C:炉芯轴
[0040]S:隔开距离
【具体实施方式】
[0041 ] 以下，参照附图，详细地对本发明的实施方式进行说明。
[0042]图5A?图5E表示带状氧化物超导线材(YBCO超导线材)的制造方法的概况，该带状氧化物超导线材(YBC0超导线材)包括由MOD法形成的YBCO超导层。
[0043]首先，在带状的Ni合金基板(基材)上,利用离子束辅助沉积(1n Beam AssistedDeposition, IBAD)法来形成Gd2Zr2O7中间层作为模板(template),然后,在该Gd2Zr2O7中间层上利用派镀法(sputtering method)形成CeO2中间层而得到复合基板,并在涂布工序(参照图5A)中，利用浸涂法来将混合溶液(超导原料溶液)8涂布在该复合基板上，上述混合溶液(超导原料溶液)8是以Y:Ba:Cu = I:1.5:3的比率，将Y-TFA盐(三氟乙酸盐)、Ba-TFA盐及Cu-环烷酸盐溶解于有机溶剂中而成。涂布混合溶液8之后，在预烧结步骤(参照图5B)中进行预烧结。将上述涂布工序(参照图5A)以及预烧结工序(参照图5B)按规定次数重复，在带状线材50的中间层上形成作为超导前驱物的膜体。然后，在正式烧结工序(参照图5C)中，对带状线材50的超导前驱物的膜体实施结晶热处理，即，实施用以产生YBCO超导体的热处理。接着，在工序(参照图5D)中，利用溅镀法而在已产生的YBCO超导体上形成Ag稳定层之后，在工序(参照图5E)中实施后加热处理，从而制造YBCO超导线材。
[0044]本发明的实施方式的热处理装置被用于工序(参照图5C)的结晶热处理，该热处理装置对带状线材中所形成的超导体的前驱物实施热处理，从而产生YBCO超导体。再者，热处理装置亦可适用于形成中间层。
[0045]Ni合金基板可为具有双轴定向性的基板,亦可为在非定向性的金属基板上形成具有双轴定向性的中间层而成的基板。另外，形成一层或多层的中间层。除了上述浸涂法以夕卜，亦可使用喷墨法(ink jet method)、喷雾法(spraymethod)等作为涂布方法,基本上,只要是可连续地将混合溶液涂布于复合基板上的工艺，则不受上述例子的制约。一次所涂布的膜厚为0.0l μ m~2.0 μ m,优选为0.1 μ m~1.0 μ m。
[0046]再者，此处所使用的超导原料溶液，是将以规定的摩尔比而包含Y、Ba及Cu的金属有机酸盐或有机金属化合物溶解于有机溶剂中而成的混合溶液。使用当摩尔数设为Y =Ba:Cu = l:a:3时，Ba摩尔比小于2的范围内的原料溶液。在该情形时，为了获得高的Jc值及Ic值，原料溶液中的Ba摩尔优选为处于1.0 ≤a ≤ 1.8的范围内，更优选为原料溶液中的Ba摩尔比处于1.3≤a≤L 7的范围。由此,可抑制Ba的偏析(segregation),结果，晶界内的基于Ba的杂质的析出受到抑制。由此，抑制裂痕的产生，并且结晶粒之间的电耦合性(electric coupling property)提高,通过利用MOD法来形成超导膜,能够高速且容易地制造具有均匀的厚膜且超导特性优异的带状氧化物超导体。另外，作为金属有机酸盐，可列举各元素的辛酸盐、环烷酸盐、新癸酸盐、以及三氟乙酸盐等，但只要能够将一种以上的上述盐均匀地溶解于有机溶剂且涂布在复合基板上，则均可使用。
[0047]〈热处理装置的结构〉
[0048]在图1所示的热处理装置10中，以批次式进行作为带状线材50中的超导前驱物的膜体而所涂布的原料溶液(超导原料溶液)的烧结。热处理装置10包括:具有圆筒状的热处理空间Ila的炉芯管11、圆筒状的旋转体12、气体供给管13以及气体排出管14。再者，超导前驱物的膜体是在基板上构成中间层并将混合溶液涂布在该中间层上之后，利用预烧结而形成的膜体，上述混合溶液是将包含金属元素的金属有机酸盐或有机金属化合物溶解于有机溶剂中而成。
[0049]炉芯管11的热处理空间Ila构成为可保持炉内的减压环境或真空。在炉芯管11的周围配置有加热器15，利用加热器15来对热处理空间11a、即内部进行加热。
[0050]在炉芯管11内部配置有旋转体12，该旋转体12能够以炉芯管11的轴线、即炉芯轴C为中心而旋转。旋转体12包括圆筒体12b，该圆筒体12b的表面12a上缠绕前驱物的带状线材50。再者，带状线材50以如下方式形成，即:以上述方式涂布混合溶液，接着实施预烧结，由此在基材上形成YBCO超导产生体的前驱物。上述带状线材50使前驱物的膜面露出，呈螺旋状地缠绕于圆筒体12b的表面12a (旋转体12的表面)。
[0051]如图3所示，在旋转体12的圆筒体12b中形成有多个贯通孔17。该贯通孔17的直径优选设为与带状线材50的带宽相同。另外，该贯通孔17的开孔率设为50%~95%，特别优选处于89%~91%的范围的开孔率。旋转体12在热处理过程中，利用未图示的旋转机构而以固定速度旋转。旋转体12由石英玻璃、氧化招等陶瓷(ceramics)或哈氏合金(Hastelloy)、铬镍铁合金(inconel)等金属等耐高温且不易氧化的材质构成。
[0052]圆筒体12b的一端侧被盖体12c封闭。圆筒体12b的另一端侧被盖体12d封闭。气体排出管14插通盖体12d，该气体排出管14将圆筒体12b内部的环境气体朝炉芯管11的外部排出。
[0053]另外，如图1及图2所示，在炉芯管11内，与圆筒体12b的表面12a隔开地配置有多个气体供给管13。多个气体供给管13与炉芯轴C呈平行地配置，且在与炉芯轴C垂直的剖面中对称地配置。此处，在炉芯管11内，相对于炉芯轴C呈对称且彼此平行地配设有4条气体供给管13。亦即，在炉芯管11内，多个气体供给管13是以炉芯轴C为中心，沿圆周方向以90°的节距配置。[0054]各气体供给管13包括多个气体喷出孔20，上述多个气体喷出孔20对旋转体12喷出环境气体。
[0055]如图4所示，气体供给管13中的气体喷出孔20是沿着长度方向以固定间隔同样地形成于气体供给管13的本体部分。各气体喷出孔20为圆形的孔，且均匀地喷出环境气体。为了均匀地喷出环境气体且进一步将氟气予以除去，优选供给环境气体的流速、具体而言是与缠绕于上述旋转体的上述膜体的膜面(相当于带状线材)发生接触时的流速处于200m/s以上且为500m/s以下。若上述流速小于200m/s，则不仅无法均匀地将环境气体供给至超导前驱物，而且无法将滞留于上述膜体的膜面的表面的废气(HF气体)予以除去。因此，无法获得所期望的超导特性。另外，若上述流速超过500m/s，则确实可均匀地喷出环境气体，但由于结晶反应急速地进行，因此难以对外延生长(epitaxial growth)速度进行控制。因此，无法获得所期望的超导特性。
[0056]如图1、图2及图4所示，各气体供给管13配置成使气体喷出孔20相对于圆筒体12b的表面12a而位于在上方隔开的位置，以将环境气体自垂直方向供给至圆筒体12b的表面 12a。
[0057]气体供给管13在炉芯管11内被设置成使气体喷出孔20与旋转体12的表面12a的隔开距离S为IOmm至150mm。上述隔开距离的优选范围为50mm至100mm。若上述隔开距离处于上述范围，则可均匀地将环境气体喷出至超导前驱物，因此，能够进一步将氟气予以除去。若上述隔开距离小于上述范围，则喷出的环境气体仅会与缠绕于旋转体12的带状线材50的上述膜体的膜面的一部分发生接触，因此，无法获得在超导线材的长度方向上均匀的超导特性。另外，若上述隔开距离超过上述范围，则气体流量增加，不仅生产成本升高，而且结晶反应会急速地进行，因此，难以对外延生长速度进行控制。因此，无法获得所期望的超导特性。
[0058]因此，为了获得具有1.5μπι以上的厚膜的长条带状线材超导层，必须以上述范围的隔开距离，利用适当的气体流量来将环境气体喷出至超导前驱物，由此，可获得具有膜厚临界电流密度(Jc)为2.0以上、临界电流值(Ic)为300Α以上的特性的超导线材。再者，上述超导线材包括:形成于基板上的中间层、形成在中间层上的REBayCu3Oz系超导层、以及形成在超导层上的稳定层。此处，RE由选自Y、Nd、Sm、Eu、Gd及Ho的一种以上的元素构成。
[0059]气体供给管13自气体喷出孔20，朝各图中的箭头D所示的方向喷出环境气体。
[0060]由此，气体供给管13自在上方隔开的位置，垂直地将环境气体供给至缠绕于圆筒体12b的表面12a上的带状线材50中的前驱物膜面。必须以使气压以及气体流量变得均匀的方式，对气体喷出孔20的直径进行设计。
[0061]经由连接于气体供给管13的未图示的连接管，由配置在炉芯管11的外部的未图示的环境气体供给装置供给环境气体。此外，在气体供给装置中产生包含惰性气体、氧气或水蒸气等的环境气体，该环境气体自气体供给管13喷出。
[0062]另外，气体供给管13的长度优选为比旋转体12的长度长。亦即，采用如下的构成:位于气体供给管13的两端的气体喷出孔20之间的长度，比旋转体12的长度长。由此，能够遍及卷绕于圆筒状的旋转体12的带状线材50的全长而进行均匀的反应。
[0063]气体排出管14与圆筒体12b的内部空间相连，并且连接于圆筒体12b的另一端侦U。具体而言，该气体排出管14自圆筒体12b的内部穿过盖体12d而导出至炉芯管11的外部。气体排出管14将圆筒体内部的环境气体排出至炉芯管外部。此处，气体排出管14形成于圆筒体12b的旋转轴(相当于炉芯轴C)上。
[0064]气体供给管13及气体排出管14由耐高温且不易氧化的材质构成，例如为石英玻璃、氧化铝等陶瓷或哈氏合金、铬镍铁合金等金属之类。
[0065]在以上的热处理装置10中，使卷绕有带状线材50的圆筒状的旋转体12以固定速度旋转。此外，在利用加热器15而保持为加热环境的热处理空间Ila内，自气体供给装置(未图示)供给的环境气体经由气体供给管13的多个气体喷出孔20而均匀地喷射到带状线材50的膜面。所喷射的环境气体与膜面发生反应之后，经由旋转体12中的圆筒体12b的多个贯通孔17而进入至圆筒体12b的内部。在圆筒体12b内部的反应之后的气体经由连接于圆筒体12b的另一端侧的气体排出管14而朝炉外排出。
[0066]如此，热处理装置10包括炉芯管11，该炉芯管11包括圆筒状的热处理空间11a。另外，热处理装置10包括圆筒状的旋转体12，该圆筒状的旋转体12配置为可相对于热处理空间Ila内部的炉芯轴C而旋转，且在形成有多个贯通孔17的表面12a上缠绕有带状线材50，该带状线材50形成有超导前驱物的膜体。而且，热处理装置10包括:气体供给管13，用以朝带状线材50供给环境气体；以及气体排出管14，用以将环境气体自旋转体12内部排出至炉芯管11外部。使用上述热处理装置10，自于上方隔开的位置，将环境气体供给至缠绕于旋转体12的带状线材50的膜体的膜面。此时，旋转体12的表面12a与气体供给管13的气体喷出孔20的隔开距离为IOmm至150mm。
[0067]实施例
[0068]在热处理装置10中，以2m的长度及20mm Φ的内径来形成气体供给管13，在该气体供给管13中，在气体供给管13的长度方向上，以30mm的间距来形成气体喷出孔20，该气体喷出孔20各自的直径(喷嘴直径)为1.ΟπιπιΦ。将此时的炉芯管11的炉内压力、即热处理空间Ila内的压力设为50torr至200torr，将气体流量设为250L/min至1000L/min (常温、常压下的换算值)。而且，将自热处理装置10中的气体喷出孔20喷出且供给至旋转体12的表面12a的环境气体的流速(与缠绕于上述旋转体的上述膜体的膜面发生接触时的流速)设为300m/s，将气体喷出孔20与配置于热处理装置10内的旋转体12的表面12a的隔开距离S设为80mm。再者，缠绕于旋转体12的带状线材50的膜体为如下的膜体，即，在带状的Ni合金基板(基材)上利用IBAD法来形成Gd2Zr2O7中间层作为模板，然后在该Gd2Zr2O7中间层上，利用溅镀法形成CeO2中间层而得到复合基板，并在涂布工序中，利用浸涂法来将混合溶液(超导原料溶液)涂布于该复合基板上之后，在预烧结工序中进行预烧结而成的膜体，上述混合溶液(超导原料溶液)是以Y:Ba =Cu= I:1.5:3的比率，将Y-TFA盐(三氟乙酸盐)、Ba-TFA盐及Cu-环烷酸盐溶解于有机溶剂中而成。利用750°C的炉内温度来对上述膜体进行正式烧结工序的热处理，获得1.5μπι的超导层。
[0069]如此，将隔开距离S设为80mm的例子作为实施例1，将仅适当地对实施例1的热处理装置10的构成中的隔开距离S进行变更所得的例子作为实施例2至实施例7，且表示于下述的表中。
[0070]实施例2的隔开距离S = 50mm,实施例3的隔开距离S = 100mm,实施例4的隔开距离S = 30mm。另外，实施例5的隔开距离S = 120mm,实施例6的隔开距离S = IOmm,实施例7的隔开距离S = 150mm。[0071]使用上述实施例1至实施例7的热处理装置所形成的超导线材的特性如下所述。实施例1的热处理装置10所形成的超导线材的特性为:Jc为2.5、Ic为370A，实施例2的热处理装置所形成的超导线材的特性为Jc为2.2、Ic为330A。实施例3的热处理装置所形成的超导线材的特性为Jc为2.1、Ic为315A，实施例4的热处理装置所形成的超导线材的特性为:Jc为2.0、Ic为300A。实施例5的热处理装置所形成的超导线材的特性为:Jc为2.0、Ic为300A，实施例6的热处理装置所形成的超导线材的特性为Jc为2.0、Ic为300A。实施例7的热处理装置所形成的超导线材的特性为Jc为2.0、Ic为300A。
[0072]另外，比较例I的热处理装置所形成的超导线材的特性为:Jc为1.1、Ic为165A，该比较例I将实施例1的热处理装置中的气体喷出孔20、与配置于热处理装置10内的旋转体12的表面12a的隔开距离S设为200mm。另外，比较例2的热处理装置所形成的超导线材的特性为Jc为1.2、Ic为180A，该比较例2将实施例1的热处理装置中的气体喷出孔
20、与配置于热处理装置10内的旋转体12的表面12a的隔开距离S设为5mm。
[0073][表 I]
[0074]
【权利要求】
1.一种带状氧化物超导线材的制造方法，其中使用的热处理装置包括: 炉芯管，具有圆筒状的热处理空间； 圆筒状的旋转体，配置为能相对于所述热处理空间内部的炉芯轴而旋转，并且在形成有多个贯通孔的表面缠绕带状线材，所述带状线材形成有超导前驱物的膜体； 气体供给管，用于向所述带状线材供给环境气体；以及 气体排出管，用于将所述环境气体从所述旋转体内部排出至所述炉芯管外部， 在所述带状氧化物超导线材的制造方法中，使用所述热处理装置，向缠绕在所述旋转体上的所述带状线材的所述膜体之膜面，从在上方隔开的位置供给所述环境气体， 其中，所述旋转体的表面与所述气体供给管的气体喷出孔的隔开距离为IOmm至150mmo
2.如权利要求1所述的带状氧化物超导线材的制造方法，其中， 所述隔开距离为50mm至100mm。
3.如权利要求1或2所述的带状氧化物超导线材的制造方法，其中， 向所述带状线材供给所述环境气体的流速为200m/s以上且为500m/s以下。
4.如权利要求1或2所述的带状氧化物超导线材的制造方法，其中， 所述超导前驱物的膜体为，在基板上构成中间层，并将混合溶液涂布于所述中间层上之后，通过预烧结而形成的膜体，所述混合溶液是将包含金属元素的金属有机酸盐或有机金属化合物溶解于有机溶剂中而得到的混合溶液。
5.如权利要求3所述的带状氧化物超导线材的制造方法，其中， 所述超导前驱物的膜体为，在基板上构成中间层，并将混合溶液涂布于所述中间层上之后，通过预烧结而形成的膜体，所述混合溶液是将包含金属元素的金属有机酸盐或有机金属化合物溶解于有机溶剂中而得到的混合溶液。
6.如权利要求4所述的带状氧化物超导线材的制造方法，其中， 所述混合溶液中的包含金属元素的所述金属有机酸盐由选自辛酸盐、环烷酸盐、新癸酸盐或三氟乙酸盐的一种以上的盐构成。
7.如权利要求1所述的带状氧化物超导线材的制造方法，其中， 所述氧化物超导线材包括: 形成在所述基板上的中间层； 形成在所述中间层上的REBayCu3Oz系超导层；以及 形成在所述超导层上的稳定层， 所述RE由选自Y、Nd、Sm、Eu、Gd以及Ho的一种以上的元素构成。
8.一种带状氧化物超导线材的热处理装置，包括: 炉芯管，具有圆筒状的热处理空间； 圆筒状的旋转体，以能相对于炉芯轴而旋转的方式配置在所述热处理空间内部，并且在形成有多个贯通孔的表面缠绕带状线材，所述带状线材形成有超导前驱物的膜体； 气体供给管，配置在相对于缠绕在所述旋转体上的所述带状线材的所述膜体的膜面而在上方隔开的位置，且用于向所述膜面供给环境气体；以及气体排出管，用于将所述环境气体从所述旋转体内部排出， 其中，所述气体供给管的气体喷出孔设置在与所述旋转体的表面之间的隔开距离为10臟-150 臟的位置。
【文档编号】H01B12/06GK103460306SQ201280007562
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2012年2月1日 优先权日:2011年2月3日
【发明者】小泉勉, 佐野茂树 申请人:公益财团法人国际超电导产业技术研究中心, 昭和电线电缆系统株式会社