源极/漏极中带有底部SiGe层的FinFET的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种FinFET，包括：衬底；鳍结构，位于所述衬底上；源极，位于所述鳍结构中；漏极，位于所述鳍结构中；沟道，在所述鳍结构中位于所述源极与所述漏极之间；栅极介电层，位于所述沟道上方；以及栅极，位于所述栅极介电层上方，其中，所述源极和所述漏极中的至少一个包括底部SiGe层；所述源极和所述漏极包括具有SiP或SiCP的第一层，所述第一层布置在所述底部SiGe层上方。2.根据权利要求1所述的FinFET，进一步包括侧壁SiGe层，位于所述源极和所述漏极中的至少一个中。3.根据权利要求1所述的FinFET，其中，SiGe与SiP的体积比或SiGe与SiCP的体积比的范围在10％到40％之间。4.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述第一层的磷的浓度范围在5e20cm-3到1e22cm-3之间。5.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述第一层包括SiCP并且所述第一层的碳掺杂百分比范围在0.5％到2％之间。6.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述源极和所述漏极进一步包括具有SiP或SiCP的第二层，所述第二层沉积在所述第一层上方，并且所述第二层的磷的浓度比所述第一层的磷的浓度更高。7.根据权利要求6所述的FinFET，其中，所述第一层的磷的浓度范围在5e20cm-3到2e21cm-3之间。8.根据权利要求6所述的FinFET，其中，所述第二层的磷的浓度范围在1e21cm-3到1e22cm-3之间。9.根据权利要求1所述的FinFET，其中，所述鳍结构的高度X、所述源极或所述漏极的高度Y、和所述底部SiGe层的高度Z的关系是Z≤Y-X。10.根据权利要求1所述的FinFET，进一步包括邻近所述栅极的隔离件。11.根据权利要求10所述的FinFET，其中，所述隔离件包括SiN、SiCN、或SiCON。12.一种形成FinFET的方法，包括：在衬底上形成鳍结构；形成源极和漏极，所述源极和所述漏极中的至少一个包括底部SiGe层；形成所述源极和所述漏极包括形成具有SiP或SiCP的第一层，并且所述第一层布置在所述底部SiGe层上方；在所述源极和所述漏极之间的沟道上方形成栅极介电层；以及在所述栅极介电层上方形成栅极。13.根据权利要求12所述的形成FinFET的方法，其中，形成所述源极和所述漏极包括在所述源极和所述漏极中的至少一个中形成侧壁SiGe层。14.根据权利要求12所述的形成FinFET的方法，其中，所述第一层的磷的浓度范围在5e20cm-3到1e22cm-3之间。15.根据权利要求12所述的形成FinFET的方法，其中，形成所述源极和所述漏极进一步包括在所述第一层上方形成第二层，所述第二层包括SiP或SiCP，并且所述第二层的磷的浓度比所述第一层的磷的浓度更高。16.根据权利要求15所述的形成FinFET的方法，其中，所述第一层的磷的浓度范围在5e20cm-3到2e21cm-3之间，所述第二层的磷的浓度范围在1e21cm-3到1e22cm-3之间。17.根据权利要求12所述的形成FinFET的方法，进一步包括形成邻近所述栅极的隔离件。18.一种FinFET，包括：衬底；鳍结构，位于所述衬底上；源极，位于所述鳍结构中；漏极，位于所述鳍结构中；沟道，在所述鳍结构中位于所述源极与所述漏极之间；栅极介电层，位于所述沟道上方；以及栅极，位于所述栅极介电层上方，其中，所述源极和所述漏极中的至少一个包括具有SiP或SiCP的顶层、底部SiGe层、和侧壁SiGe层。