阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法
【专利摘要】本发明涉及阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法，其中一种阵列基板，包括：位于不同层的第一金属连接部和第二金属连接部，还包括用于连接第一金属连接部和第二金属连接部的透明导电膜层；第一金属部与第二金属连接部通过第一绝缘层隔开；第一金属连接部与第二金属连接部在垂直于阵列基板平面的方向上至少部分重叠。本发明的有益效果是：第一金属连接部与第二金属连接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重叠，用于连通第一金属连接部、第二金属连接部的透明导电膜层在与衬底基板平行方向上的距离大大缩短，减小了透明导电膜层与第一金属连接部、第二金属连接部接触的接触电阻的大小，减少了透明导电膜层坡面的产生。
【专利说明】阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及液晶显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法。
【背景技术】
[0002]阵列基板包括衬底基板1，以及依次形成在衬底基板I上的栅金属连接部2、第一绝缘层3、源/漏金属连接部4、第二绝缘层5，需要连接Gate (栅金属连接部)和SD (源/漏金属连接部)金属时，会在Gate和SD金属上分别设置第一过孔7和第二过孔8去除栅金属连接部上方的第一绝缘层3和第二绝缘层5，以及去除源/漏金属连接部4上方的第二绝缘层5，然后用ΙΤ0(透明导电膜层)6连接，如图1所示，由于过孔存在坡度角以及绝缘层存在段差，且栅金属连接部2和源/漏金属连接部4之间的距离比较长，栅金属连接部2和源/漏金属连接部4之间的IT06出现多个坡面结构，而使得栅金属连接部2和源/漏金属连接部4之间的电阻增加，且IT06容易出现断裂现象。
【发明内容】
[0003]为了解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板、显示装置及制作阵列基板的方法，减少栅金属连接部、源/漏金属连接部之间的透明导电膜层的坡面结构，减小电阻。
[0004]为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是:一种阵列基板，包括:位于不同层的第一金属连接部和第二金属连接部，还包括用于连接所述第一金属连接部和第二金属连接部的透明导电膜层；
[0005]所述第一金属部与所述第二金属连接部通过第一绝缘层隔开；所述第一金属连接部与所述第二金属连接部在垂直于阵列基板平面的方向上至少部分重叠。
[0006]进一步的，还包括:
[0007]与所述第二金属连接部同层或在所述第二金属连接部上形成的第二绝缘层；
[0008]贯穿所述第二绝缘层和第一绝缘层的第一开口，所述第一开口露出所述第一金属连接部的至少一部分以及所述第二金属连接部的至少一部分；所述透明导电膜层覆盖所述第一开口以连接所述第一金属连接部和所述第二金属连接部。
[0009]进一步的，所述第一金属连接部的至少部分边缘与所述第二金属连接部的至少部分边缘在垂直于阵列基板平面的方向上平齐，所述第一开口露出该平齐的所述第一金属连接部的边缘及所述第二金属连接部的边缘。
[0010]进一步的，所述第二金属连接部位于所述第一金属连接部的正上方。
[0011]进一步的，所述第一开口还贯穿所述第二金属连接部，并露出所述第一金属连接部上表面的一部分。
[0012]进一步的，所述阵列基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第一金属连接部和第二金属连接部位于所述阵列基板的周边区域；所述第一金属连接部为栅金属连接部，所述第二金属连接部为源/漏金属连接部。[0013]进一步的，所述阵列基板上的所述栅金属连接部、第一绝缘层、所述源/漏金属连接部、第二绝缘层依次设置在所述阵列基板的衬底基板上；或，
[0014]所述阵列基板的所述源/漏金属连接部、第一绝缘层、所述栅金属连接部、第二绝缘层依次设置在所述阵列基板的衬底基板上。
[0015]进一步的，
[0016]所述栅金属连接部为所述阵列基板的栅线的一端连接部，所述源/漏金属连接部为栅线引出线的一端连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述栅线和所述栅线引出线电连接；或者，
[0017]所述源/漏金属连接部为所述阵列基板的数据线的一端连接部，所述栅金属连接部为所述阵列基板的数据线引出线的一端连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述数据线和所述数据线引出线电连接；或者，
[0018]所述栅金属连接部和所述源/漏金属连接部两者中之一为所述阵列基板的信号线的一端连接部，另一为该信号线的修复线，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述信号线和所述修复线电连接，其中所述信号线为栅线或数据线；或者，
[0019]所述栅金属连接部和所述源/漏金属连接部分别为所述阵列基板的公共电极引线的不同线段之间的连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将该不同线段电连接。
[0020]本发明还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0021]本发明还提供一种阵列基板的制造方法，包括:
[0022]通过构图工艺在阵列基板上形成位于不同层的第一金属连接部和第二金属连接部;
[0023]通过构图工艺在阵列基板上形成用于连接所述第一金属连接部和第二金属连接部的透明导电膜层；
[0024]所述方法还包括；在所述第一金属部与所述第二金属连接部之间形成第一绝缘层；
[0025]且，所述第一金属连接部与所述第二金属连接部在垂直于基板平面的方向上至少
部分重叠。
[0026]进一步的，还包括
[0027]在阵列基板顶层的所述第一金属连接部或所述第二金属连接部上形成第二绝缘层；
[0028]通过构图工艺，贯穿所述第二绝缘层和第一绝缘层形成第一开口，所述第一开口露出所述第一金属连接部的至少一部分以及所述第二金属连接部的至少一部分；
[0029]通过构图工艺，在所述第一开口上形成所述透明导电膜层以连接所述第一金属连接部和所述第二金属连接部。
[0030]本发明的有益效果是:所述第一金属连接部与所述第二金属连接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重叠，用于连通所述第一金属连接部、所述第二金属连接部的透明导电膜层在与所述衬底基板平行方向上的距离大大缩短，减小了透明导电膜层与所述第一金属连接部、第二金属连接部接触的接触电阻的大小，减少了透明导电膜层坡面的产生。【专利附图】
【附图说明】
[0031]图1表示现有技术中阵列基板截面示意图；
[0032]图2表示本发明一实施例中阵列基板截面示意图；
[0033]图3表示本发明一实施例中阵列基板截面示意图；
[0034]图4表不本发明一实施例中阵列基板截面不意图。
【具体实施方式】
[0035]以下结合附图对本发明的结构和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本发明，并非以此限定本发明的保护范围。
[0036]如图2所示，本实施例提供一种阵列基板，包括:位于不同层的第一金属连接部2和第二金属连接部4，还包括用于连接所述第一金属连接部2和第二金属连接部4的透明导电膜层6 ；
[0037]所述第一金属部2与所述第二金属连接部4通过第一绝缘层3隔开；所述第一金属连接部2与所述第二金属连接部4在垂直于阵列基板平面的方向上至少部分重叠。
[0038]本实施例中，所述第一金属连接部与所述第二金属连接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重叠，用于连通所述第一金属连接部、所述第二金属连接部的透明导电膜层在与所述衬底基板平行方向上的距离大大缩短，减小了透明导电膜层与所述第一金属连接部、第二金属连接部接触的接触电阻的大小，减少了透明导电膜层坡面的产生。提升了画面质量，同时减少了透明导电膜层坡面的产生，则大大减少了透明导电膜层断裂的可能性。
[0039]与所述第二金属连接部同层或在所述第二金属连接部上形成的第二绝缘层；
[0040]贯穿所述第二绝缘层5和第一绝缘层3的第一开口，所述第一开口露出所述第一金属连接部2的至少一部分以及所述第二金属连接部4的至少一部分；所述透明导电膜层6覆盖所述第一开口以连接所述第一金属连接部2和所述第二金属连接部4。
[0041]本实施例中仅采用第一开口 一个开口的设置代替现有技术中的两个开口的结构形式，减少了透明导电膜层坡面的产生，则大大减少了透明导电膜层断裂的可能性。
[0042]本实施例中，为了实现所述第一金属连接部2与所述第二金属连接部4在与阵列基板平面平行的方向的间隙为零，以实现用于连通所述第一金属连接部2、所述第二金属连接部4的透明导电膜层6的坡面结构减少，所述第一金属连接部2、所述第二金属连接部4的设置优选为以下结构形式:
[0043]如图3所示，一实施例中，所述第一金属连接部2的至少部分边缘与所述第二金属连接部4的至少部分边缘在垂直于阵列基板平面的方向上平齐，所述第一开口露出该平齐的所述第一金属连接部2的边缘及所述第二金属连接部4的边缘。
[0044]应当指出的是，所述第一金属连接部2的至少部分边缘与所述第二金属连接部4的至少部分边缘在垂直于阵列基板平面的方向上平齐，即所述第一金属连接部2的至少部分边缘与所述第二金属连接部4的至少部分边缘在垂直于阵列基板平面的方向上是重叠的，是上述所描述的实施例中所述第一金属连接部2与所述第二金属连接部4在垂直于阵列基板平面的方向上至少部分重叠中的一种实施方式。
[0045]如图4所示，一实施例中，所述第二金属连接部4位于所述第一金属连接部2的正上方。[0046]所述第一开口还贯穿所述第二金属连接部4，并露出所述第一金属连接部2上表面的一部分。
[0047]本实施例中，所述阵列基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第一金属连接部2和第二金属连接部4位于所述阵列基板的周边区域(阵列基板可以是显示基板，也可以是其他用途的基板，例如太阳能电池板等，这里的周边区域，是指在阵列基板周边用于信号线引出、包括布线走线、衬垫等的区域，例如显示基板外围的非显示区域)；所述第一金属连接部2为栅金属连接部，所述第二金属连接部4为源/漏金属连接部。
[0048]所述栅金属连接部、所述源/漏金属连接部至少部分重叠，仅仅设置在所述栅金属连接部、所述源/漏金属连接部上的的透明导电膜层6即可直接将所述栅金属连接部、所述原/漏金属连接部连通，减少了接触电阻，透明导电膜层6上与所述栅金属连接部、所述源/漏金属连接部接触的部分相对于阵列基板上透明导电膜层整体所占的比例增大，同时减少了透明导电膜层6断裂的可能性。
[0049]所述阵列基板上的所述栅金属连接部、第一绝缘层3、所述源/漏金属连接部、第二绝缘层5依次设置在所述阵列基板的衬底基板I上；或，
[0050]所述阵列基板的所述源/漏金属连接部、第一绝缘层3、所述栅金属连接部、第二绝缘层5依次设置在所述阵列基板的衬底基板I上。
[0051]本实施例中，所述栅金属连接部为所述阵列基板的栅线的一端连接部，所述源/漏金属连接部为栅线引出线的一端连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述栅线和所述栅线引出线电连接；或者，
[0052]所述源/漏金属连接部为所述阵列基板的数据线的一端连接部，所述栅金属连接部为所述阵列基板的数据线引出线的一端连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述数据线和所述数据线引出线电连接；或者，
[0053]所述栅金属连接部和所述源/漏金属连接部两者中之一为所述阵列基板的信号线的一端连接部，另一为该信号线的修复线，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述信号线和所述修复线电连接，其中所述信号线为栅线或数据线；或者，
[0054]所述栅金属连接部和所述源/漏金属连接部分别为所述阵列基板的公共电极引线的不同线段之间的连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将该不同线段电连接。
[0055]本发明实施例中还提供一种显示装置，包括上述的阵列基板。
[0056]本发明实施例中还提供一种阵列基板的制造方法，该阵列基板可以是上述的任意一种类型的阵列基板，所述方法包括:
[0057]通过构图工艺在阵列基板上形成位于不同层的第一金属连接部和第二金属连接部;
[0058]通过构图工艺在阵列基板上形成用于连接所述第一金属连接部和第二金属连接部的透明导电膜层；
[0059]所述方法还包括；在所述第一金属部与所述第二金属连接部之间形成第一绝缘层；
[0060]且，所述第一金属连接部与所述第二金属连接部在垂直于基板平面的方向上至少
部分重叠。[0061]还包括:在阵列基板顶层的所述第一金属连接部或所述第二金属连接部上形成第
二绝缘层；
[0062]通过构图工艺，贯穿所述第二绝缘层和第一绝缘层形成第一开口，所述第一开口露出所述第一金属连接部的至少一部分以及所述第二金属连接部的至少一部分；
[0063]通过构图工艺，在所述第一开口上形成所述透明导电膜层以连接所述第一金属连接部和所述第二金属连接部。以上所述为本发明较佳实施例，应当指出，对于本领域普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明保护范围。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:位于不同层的第一金属连接部和第二金属连接部，还包括用于连接所述第一金属连接部和第二金属连接部的透明导电膜层； 其特征在于，所述第一金属部与所述第二金属连接部通过第一绝缘层隔开；所述第一金属连接部与所述第二金属连接部在垂直于阵列基板平面的方向上至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括: 与所述第二金属连接部同层或在所述第二金属连接部上形成的第二绝缘层； 贯穿所述第二绝缘层和第一绝缘层的第一开口，所述第一开口露出所述第一金属连接部的至少一部分以及所述第二金属连接部的至少一部分；所述透明导电膜层覆盖所述第一开口以连接所述第一金属连接部和所述第二金属连接部。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属连接部的至少部分边缘与所述第二金属连接部的至少部分边缘在垂直于阵列基板平面的方向上平齐，所述第一开口露出该平齐的所述第一金属连接部的边缘及所述第二金属连接部的边缘。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二金属连接部位于所述第一金属连接部的正上方。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一开口还贯穿所述第二金属连接部，并露出所述第一金属连接部上表面的一部分。
6.根据权利要求2-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为薄膜晶体管阵列基板，所述第一金属连接部和第二金属连接部位于所述阵列基板的周边区域；所述第一金属连接部为栅金属连接部，所述第二金属连接部为源/漏金属连接部。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上的所述栅金属连接部、第一绝缘层、所述源/漏金.属连接部、第二绝缘层依次设置在所述阵列基板的衬底基板上；或， 所述阵列基板的所述源/漏金属连接部、第一绝缘层、所述栅金属连接部、第二绝缘层依次设置在所述阵列基板的衬底基板上。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于， 所述栅金属连接部为所述阵列基板的栅线的一端连接部，所述源/漏金属连接部为栅线引出线的一端连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述栅线和所述栅线引出线电连接；或者， 所述源/漏金属连接部为所述阵列基板的数据线的一端连接部，所述栅金属连接部为所述阵列基板的数据线引出线的一端连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述数据线和所述数据线引出线电连接；或者， 所述栅金属连接部和所述源/漏金属连接部两者中之一为所述阵列基板的信号线的一端连接部，另一为该信号线的修复线，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将所述信号线和所述修复线电连接，其中所述信号线为栅线或数据线；或者， 所述栅金属连接部和所述源/漏金属连接部分别为所述阵列基板的公共电极引线的不同线段之间的连接部，所述透明导电膜层用于通过所述第一开口将该不同线段电连接。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制造方法，包括: 通过构图工艺在阵列基板上形成位于不同层的第一金属连接部和第二金属连接部；通过构图工艺在阵列基板上形成用于连接所述第一金属连接部和第二金属连接部的透明导电膜层； 其特征在于，所述方法还包括: 在所述第一金属部与所述第二金属连接部之间形成第一绝缘层； 且，所述第一金属连接部与所述第二金属连接部在垂直于基板平面的方向上至少部分重叠。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括在阵列基板顶层的所述第一金属连接部或所述第二金属连接部上形成第二绝缘层；通过构图工艺，贯穿所述第二绝缘层和第一绝缘层形成第一开口，所述第一开口露出所述第一金属连接部的至少一部分以及所述第二金属连接部的至少一部分； 通过构图工艺，在所述第一开口上形成所述透明导电膜层以连接所述第一金属连接部和所述第二金属 连接部。
【文档编号】H01L23/50GK103439844SQ201310389372
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月30日 优先权日:2013年8月30日
【发明者】马禹 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司