专利名称：叠层基板的裁切方法、半导体器件及其制法、发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种叠层基板的裁切方法、具有该叠层基板的半导体器件 的制造方法、半导体器件、发光装置以及背光灯装置，其中，上述叠层基 板的正面形成有第一金属层，其反面形成有第二金属层。
背景技术：
以下说明现有叠层基板的裁切方法。图8 (a) 图8 (c)是说明现 有叠层基板的裁切方法的剖面图。导体部71连接绝缘基板75的轮廓线， 且导体部71和独立于轮廓线的导体部72通过电解电镀用导通部73相互 连接。如图8 (b)所示，在导通部73上形成预切口 74，然后如图S (c) 所示，通过扩孔加工法等在绝缘基板75上形成凹部76，从而裁切导通部 73。
图9 (a)和图9 (b)是说明现有的叠层基板的另一裁切方法的剖面 图。在基板61的主面61a上形成有多个金属镀敷层62。通过基板61正面 的露出部也就是非金属镀敷部63将上述金属镀敷层62分离、分割成各种 大小。非金属镀敷部63是进行裁切时的切口，其宽度被设定为大于在裁 切时所使用刀具的刀刃宽度。然后，将基板61安装在精密裁切机(未图 示)等上，通过外缘刃的金刚石刀具64等，沿着由非金属镀敷部63所构 成的切口将基板61裁切成所期望大小尺寸的电路基板。其中，上述金刚 石刀具64的刀刃宽度小于非金属镀敷部63的宽度。
图10 (a)和图10 (b)是说明现有的叠层基板的其它裁切方法的剖 面图。表面安装型LED基板上形成有保护膜，在LED的反面上形成有导 体图形(conductionpattern),该保护膜至少覆盖该导体图形上的将通过切 割被裁切的部分上的导体图形，该LED具有多面。因此，如图10 (a)所 示，即使通过切割装置的刀片对具有多面的LED进行裁切，如图IO (b) 所示，覆盖导体图形的保护膜将起到抑制导体图形发生毛刺的作用，所以，导体图形的毛刺不会从保护膜向外部突出。
以下说明将由厚膜金属层、多层配线树脂层、环氧玻璃基板和反面电 极层所构成的多层基板裁切成单个发光装置的示例。图11 (a)是说明现
有叠层基板的其它裁切方法的平面图；图11 (b)是表示图11 (a)所示 的叠层基板的剖面AA的向视图。具有叠层基板的半导体元件或发光装置 的制造方法中，对叠层基板进行裁切使其单片化的步骤存在各种问题。其 中，上述叠层基板在以陶瓷或树脂作为母体的绝缘基板的内部或正面具有 配线。
发光装置材料89具有环氧玻璃基板81。在环氧玻璃基板81上形成有 多层配线树脂层80。多层配线树脂层80具有配线层88和树脂层87。在 树脂层87上形成有厚膜金属层93。在环氧玻璃基板81的与有多层配线树 脂层80—侧相反的一侧，形成有反面电极94。通过对形成于环氧玻璃基 板81中的通孔内的电镀，实现配线层88和反面电极94的电连接。
在厚膜金属层93中形成有杯状的凹部99。对凹部99的内部进行蚀刻 加工，并使得在凹部99的底部露出树脂层87的LED芯片搭载面86。在 此，省略对搭载于LED芯片搭载面86上的LED芯片和用于密封凹部99 内的LED芯片的密封树脂进行图示。凹部99的内壁是围绕LED芯片的 反射面。像这样，凹部99被配置成棋盘格状。在裁切时，裁切的是各凹 部99之间的未加工的部分。通常，在裁切环氧玻璃基板时，利用被称为 电铸刀的刀片从厚膜金属层93侧开始裁切，该电铸刀是其表面附着有金 刚石微粒的刀片。
上述现有技术例如是在日本国专利申请公开特开平3-183190号公报 (
公开日1991年8月9日)、日本国专利申请公开特开平3-259589号公 报(
公开日1991年11月19日)以及日本国专利申请公开特开2007-88155 号公报(
公开日2007年4月5日)中所揭示的技术。
但是，利用上述图11 (a)和图11 (b)所示的现有技术，将会在裁 切后的断面的在反面电极94 一侧产生电极毛剌这样的问题。另外，还存 在其他问题，例如在切割厚膜金属层93时金属碎屑的产生、刀片消耗大、 裁切困难。如果将刀片换成由钨碳化物形成且其刀刃呈锯齿状的被称为超 硬刀片，虽然能够简单地完全切割，但是，在该结构中，存在有在多层配线树脂层80上产生裂纹这样的问题。
另外，利用电铸刀从反面电极94侧进行切割时，多层配线树脂层80 虽几乎不产生裂纹，但是，会在厚膜金属层93的上部产生金属毛刺。
在这样的发光装置中，由于将裁切面作为安装面，所以，裁切面上如 有金属毛刺将会对安装形成阻碍。另外，金属毛刺如成为粉尘，其将会成 为短路发生的原因。另外，材料硬度如下述，即，厚膜金属层=反面电极< 环氧玻璃基板=多层配线树脂层。也就是说，厚膜金属层93和反面电极94 的硬度小于环氧玻璃基板81和多层配线树脂层80的硬度。厚膜金属层93 和反面电极94具有相同程度的硬度，环氧玻璃基板81和多层配线树脂层 80具有相同程度的硬度。
图8 (a) 图10 (b)所示的结构是对仅在其一面上形成有金属层的 基板等实施裁切的结构，而不是对在两面上形成有金属层的基板实施裁切 的本发明的结构。
如上所述，图ll (a)和图ll (b)所示的结构会产生以下问题，艮口， 因用于固定被裁切的叠层基板的粘合膜较为柔软，在进行裁切时，金属层 (厚膜金属层、反面电极层)将产生毛刺；在裁切金属层时，由于碎屑使 得裁切效率降低；由于材料和刀片以及裁切方法的相合性而使刀片消耗 大；在裁切由树脂材料层叠而成的结构时，如果不在刀片的选定、切割方 法上下功夫，将会导致在树脂层上产生裂纹。
发明内容
本发明是鉴于上述问题进行开发的，其目的在于提供一种能够对叠层 基板进行裁切而不产生裂纹的裁切方法、半导体器件的制造方法、半导体 器件、发光装置和背光灯装置，其中，该叠层基板的正面形成有第一金属 层，以及其反面形成有第二金属层。
为了解决上述课题，本发明的叠层基板的裁切方法是裁切在正面形成 有第一金属层和在反面形成有第二金属层的叠层基板的方法，该裁切方法 的特征在于包括分别从上述第一金属层侧和从上述第二金属层侧进行裁
切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤；从上述第一金属层侧进
行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。根据上述特征，从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板 的厚度中途为止，从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的 厚度中途为止。因此，因为不从第二金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切 第一金属层，所以不会在第一金属层产生由于裁切而形成的毛刺。另外， 因为不从第一金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切第二金属层，所以也不 会在第二金属层产生由于裁切而形成的毛刺。因此，能够不产生毛刺地裁 切在其正面形成有第一金属层并在其反面形成有第二金属层的叠层基板。 另外，由于从第一金属层侧进行裁切的切口宽度与从第二金属层侧进行裁 切的切口宽度相互不同，所以能够使切断后的端面的形状稳定。
为了解决上述课题，本发明的半导体器件具有在正面形成有第一金属 层并在反面形成有第二金属层的叠层基板，本发明的半导体器件的制造方 法的特征在于包括分别从上述第一金属层侧和从上述第二金属层侧迸行 裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤；从上述第一金属层侧 进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不 同。
根据上述特征，从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板 的厚度中途为止，从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的 厚度中途为止。因此，因为不从第二金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切 第一金属层，所以不会在第一金属层产生由于裁切而形成的毛刺。另外， 因为不从第一金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切第二金属层，所以也不 会在第二金属层产生由于裁切而形成的毛刺。因此，能够不产生毛刺地裁 切在其正面形成有第一金属层并在其反面形成有第二金属层的叠层基板。 另外，由于从第一金属层侧进行裁切的切口宽度与从第二金属层侧进行裁 切的切口宽度相互不同，所以能够使切断后的端面的形状稳定。
为了解决上述课题，本发明的半导体器件通过半导体器件制造方法制 成，该半导体器件具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有第二金属 层的叠层基板，上述半导体器件制造方法包括分别从上述第一金属层侧和 上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度的中途为止的 步骤，从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进 行裁切的切口宽度相互不同。根据上述特征，从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板 的厚度中途为止，从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的 厚度中途为止。因此，因为不从第二金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切 第一金属层，所以不会在第一金属层产生由于裁切而形成的毛刺。另外， 因为不从第一金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切第二金属层，所以也不 会在第二金属层产生由于裁切而形成的毛刺。因此，能够不产生毛刺地裁 切在其正面形成有第一金属层并在其反面形成有第二金属层的叠层基板。 另外，由于从第一金属层侧进行裁切的切口宽度与从第二金属层侧进行裁 切的切口宽度相互不同，所以能够使切断后的端面的形状稳定。
为了解决上述课题，本发明的发光装置，具有在正面形成有第一金属 层和在反面形成有第二金属层的叠层基板，在上述第一金属层中形成有其 中配置了发光元件的杯状凹部，该发光装置的制造方法包括分别从上述第 一金属层侧和从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚 度的中途为止的步骤，从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述 第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同，在上述叠层基板的从上述第 一金属层侧进行裁切的切口与从上述第二金属层侧进行裁切的切口会合 的端面位置形成有台阶形状。
根据上述特征，从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板 的厚度中途为止，从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的 厚度中途为止。因此，因为不从第二金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切 第一金属层，所以不会在第一金属层产生由于裁切而形成的毛剌。另外， 因为不从第一金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切第二金属层，所以也不 会在第二金属层产生由于裁切而形成的毛刺。因此，能够不产生毛刺地裁 切在其正面形成有第一金属层并在其反面形成有第二金属层的叠层基板。 另外，由于从第一金属层侧进行裁切的切口宽度与从第二金属层侧进行裁 切的切口宽度相互不同，所以能够使切断后的端面的形状稳定。
为了解决上述课题，本发明的背光灯装置具有发光装置、反射片和导 光板，其中，上述发光装置具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有 第二金属层的叠层基板，在上述第一金属层中形成有其中配置了发光元件 的杯状凹部，在上述叠层基板的从上述第一金属层侧进行裁切的切口与从上述第二金属层侧进行裁切的切口会合的端面位置形成有台阶形状，上述 发光装置的制造方法包括分别从上述第一金属层侧和从上述第二金属层 侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度的中途为止的步骤，从上述第一 金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽 度相互不同；以上述发光装置中设置的叠层基板的端面作为安装面，在上 述反射片上安装有上述发光装置；上述导光板使得由发光装置发射出的光 发生散射而照射液晶面板。
根据上述特征，在发光装置中，从上述第一金属层侧进行裁切并裁切 到上述叠层基板的厚度中途为止，从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到 上述叠层基板的厚度中途为止。因此，因为不从第二金属层侧向叠层基板 的相反侧来裁切第一金属层，所以不会在第一金属层产生由于裁切而形成 的毛刺。另外，因为不从第一金属层侧向叠层基板的相反侧来裁切第二金 属层，所以也不会在第二金属层产生由于裁切而形成的毛刺。因此，能够 不产生毛刺地裁切在其正面形成有第一金属层并在其反面形成有第二金 属层的叠层基板。另外，由于从第一金属层侧进行裁切的切口宽度与从第 二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同，所以能够使切断后的端面的形 状稳定。
本发明的其他目的、特征和优点在以下的描述中会变得十分明了。此 外，以下参照附图来明确本发明的优点。
图1是表示本实施方式的发光装置材料的外观的立体图。
图2 (a)是说明上述发光装置材料的结构的平面图，图2 (b)是表 示图2 (a)所示结构的AA剖面的向视图。
图3 (a) 图3 (d)是说明被设置于上述发光装置材料的叠层基板 的裁切方法的剖面图。
图4是表示通过上述叠层基板的裁切方法所制造的发光装置的结构的 剖面图。
图5是表示上述发光装置的外观的立体图。
图6 (a) 图6 (c)是说明上述叠层基板的其它裁切方法的剖面图。图7是表示通过上述叠层基板的其它裁切方法所制造的发光装置的结 构的剖面图。
图8 (a) 图8 (c)是说明现有的叠层基板的裁切方法的剖面图。 图9 (a) 图9 (b)是说明现有的叠层基板的其它裁切方法的剖面图。
图10 (a) 图10 (b)是说明现有的叠层基板的其它裁切方法的剖 面图。
图11 (a)是说明现有的叠层基板的其它裁切方法的平面图，图11 (b) 是表示图ll (a)所示叠层基板的剖面AA的向视图。
具体实施例方式
下面，参照图l至图7说明本发明的一实施方式。图l是表示本实施 方式的发光装置材料19的外观的立体图。图2 (a)是说明上述发光装置 材料19的结构的平面图，图2 (b)是表示图2 (a)所示结构的剖面AA 的向视图。发光装置材料19具有叠层基板2。叠层基板2具有环氧玻璃基 板ll。在环氧玻璃基板11上形成有多层配线树脂层10。多层配线树脂层 10具有配线层18和树脂层17。多条呈条状的厚膜金属层3 (第一金属层) 以预定的间隔相互平行地形成在树脂层17上。在环氧玻璃基板11的与有 多层配线树脂层10—侧相反的一侧上形成有反面电极4 (第二金属层)。 通过对形成于环氧玻璃基板11中的通孔内的电镀，使得配线层18和反面 电极4电连接。
在各厚膜金属层3的正面上，相隔预定间隔地形成有多个杯状的凹部 9。各凹部9的内部被蚀刻加工，在凹部9的底面上露出有树脂层17的各 LED芯片搭载面16。在此，省略对搭载于LED芯片搭载面16上的LED 芯片和用于密封凹部9内的LED芯片的密封树脂的图示。各凹部9的内 壁是围绕LED芯片的反射面。像这样，多个凹部9如图所示地被配置 成矩阵状。如图1所示，沿着形成为条状的各金属层之间的虚线15b，通 过正在转动的电铸刀的相对移动来进行裁切，并且沿着虚线15a,通过正 在转动的电铸刀的相对移动，经由各凹部9之间的金属层3来裁切发光装 置材料19。电铸刀6a的直径约为2英寸 3英寸，其厚度例如约为数十um 数百um。在电铸刀6a的周缘上附着有颗粒状的金刚石。以发光装 置材料19的端面作为裁切基准，通过电铸刀裁切发光装置材料19。由于 以其端面作为裁切基准，所以能够提高尺寸的精确度。
另外，在发光装置材料19的端部形成通孔，利用裁切用监视器在正 面或反面所识别的该通孔作为裁切基准，由此能够提高尺寸的精确度。但 在上述两种情况下，首先，在发光装置材料19的正面，测量从通孔或端 面到最近处的杯状凹部9的反射器件裁切部分的距离，并在校正了从通孔 或端面到反射器件裁切部分的上述距离后，以预定间距裁切发光装置材料 19反面。但是，由于裁切用监视器在识别通孔和裁切部分的中心时产生的 误差，将使反面和正面的裁切位置之间产生误差。
为了消除上述误差，在多个杯状的凹部9中，除去其中位于发光装置 材料19端部的凹部9的环氧玻璃基板，使用LED芯片的搭载面作为裁切 用监视器的识别对象，利用搭载面和反射器件裁切部分之间距离的设计值 进行裁切。
针对上述设计值的制作精度由多层配线树脂层的制造步骤的精度来 决定，其精确度高于上述距离测量的精确度，因此能够提高尺寸的精确度。
图3 (a) (d)是说明设置于发光装置材料19的叠层基板的裁切方 法的剖面图。图4是表示通过上述叠层基板的裁切方法所制造的发光装置 la的结构的剖面图。图5是表示上述发光装置la的外观的立体图。
如图3 (a)所示，首先，将粘合膜20粘贴在反面电极4上并固定发 光装置材料19。然后通过超硬刀片6b从凹部9之间的金属层3的正面开 始切削金属层3并裁切到金属层3和叠层基板2之间的界面的近前位置为 止，形成裁切槽5a (参照图3 (b))。超硬刀片6b由超硬合金构成，在其 周缘上形成有爪状的锯刃。超硬合金包含钨碳化物和钴。通过超硬刀片6b 能够良好地切削金属。
如图3 (b)所示，利用比超硬刀片6b还薄的电铸刀6a来切削金属层 3的剩下厚度，并进一步切削直到叠层基板2的厚度中途为止，形成裁切 槽5b (参照图3 (c))。
如图3 (c)、图3 (d)、图4和图5所示，从反面电极4上剥离粘合 膜20，并翻转发光装置材料19，之后将粘合膜20固定于金属层3的正面。然后，利用比电铸刀6a更薄的电铸刀6c来切削反面电极4和叠层基板2 并切削到裁切槽5b为止，形成裁切槽5c。这样，裁切槽5a和裁切槽5b 之间的金属层3的端面形成台阶形状8b。裁切槽5b和裁切槽5c之间的叠 层基板2的端面形成台阶形状8a。如上所述，裁切槽5a形成于金属层3， 裁切槽5b跨越金属层3和叠层基板2地形成，裁切槽5c从叠层基板2贯 通反面电极4地形成。裁切槽5a的宽度大于裁切槽5b的宽度，裁切槽5b 的宽度大于裁切槽5c的宽度。由此，通过上述来制造发光装置la。发光 装置la的宽度尺寸Wl例如是3mm 5mm。
通过上述方法制造的发光装置la的金属层3 (金属反射器件)具有与 设置于凹部9内的LED芯片(未图示)的阳极电位或阴极电位相同的电 位。以发光装置la的端面作为安装面，将其安装于背光灯装置的反射片 上。在上述端面上形成有如图4所示的台阶形状8a、 8b，因此，金属层3 (金属反射器件)的端面不与反射片的安装面接触，叠层基板2的环氧玻 璃基板与反射片的安装面接触。
图6 (a) 图6 (c)是说明上述叠层基板的其它裁切方法的剖面图。 图7是表示通过上述叠层基板的其它裁切方法所制造的发光装置lb的结 构的剖面图。如图6 (a)所示，首先利用电铸刀6d从反面电极4侧进行 切削并切削到叠层基板2的厚度中途为止，形成裁切槽5d。
然后，如图6 (b)所示，翻转发光装置材料后，将粘合膜20粘贴在 反面电极4上。接着，利用比电铸刀6d的厚度还薄的电铸刀6e从金属层 3侧进行切削，通过叠层基板2直到粘合膜20，形成裁切槽5e，由此来制 造图7所示的发光装置lb。发光装置lb的宽度尺寸W2例如是3mm 5mm。
如图6 (b)所示，利用电铸刀6e进行切削直到粘合膜20，借助于粘 合膜20的修整效果来除去电铸刀6e的堵塞，较之于不切削至粘合膜20 时的情况，能够以较低功耗进行切削。
如果利用刀片沿着图1所示的虚线15a进行切削，在金属层3的沿着 虚线15a的端面上，也可能沿刀片旋转方向产生毛刺。如果向刀片的半径 方向对刀片施加超声波，能够使水浸入因刀片在其半径方向收縮而产生的 缝隙中，从而可减少毛刺的出现。裁切槽5d和裁切槽5e之间的叠层基板2的端面上形成有台阶形状8c。 这样，裁切槽5d跨越反面电极4和叠层基板2地形成，裁切槽5e跨越金 属层3和叠层基板2地形成。裁切槽5d的宽度大于裁切槽5e的宽度。
通过上述方法制造的发光装置lb的金属层3 (金属反射器件)不具有 与设置于凹部9内的LED芯片(未图示)的阳极电位或阴极电位相同的 电位，也就是无电位。以发光装置lb的端面作为安装面，将其安装于背 光灯装置的反射片上。由于该端面上形成有图7所示的台阶形状8c，所以， 金属层3 (金属反射器件)的端面与反射片的安装面接触。因此，能够良 好地散发由金属反射器件内的LED (未图示)所产生的热量，具有较好散 热性。
由此，能够形成具有图4和图5所示的发光装置la或图7所示的发 光装置lb的背光灯装置。该背光灯装置包括发光装置la、反射片以及导 光板。其中，以设置于该发光装置la的叠层基板2的端面作为安装面， 将发光装置la安装于反射片；导光板使得从发光装置la发射出的光发生 散射从而照射液晶面板。
背光灯装置的结构也可以具有发光装置lb、反射片以及导光板，其中， 以设置于发光装置lb的金属层3的端面作为安装面，将发光装置lb安装 于反射片。
本实施方式能够适用于一种在其正面形成有第一金属层以及在其反 面形成有第二金属层的叠层基板的裁切方法、具有该叠层基板的半导体器 件的制造方法、半导体器件、发光装置和背光灯装置。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选从上述第二金属层侧进 行裁切的切口宽度大于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。
根据上述结构，通过使第一金属层成为无电位，以叠层基板的端面作 为安装面，将发光装置安装于基板，由于第一金属层的端面接触基板，所 以，能够通过基板良好地将从发光元件所发出的热量经过第一金属层进行 发散，其中，该发光元件被设置于第一金属层内所形成的杯状凹部中。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选从上述第二金属层侧进 行裁切的切口宽度小于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。
根据上述结构，由于以第一金属层的端面作为安装面，将发光装置安装于基板，第一金属层的端面和基板之间将产生缝隙，因此，能够使第一 金属层具有电位。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选对叠层基板进行裁切， 使得宽度较小的切口位于宽度较大的切口的内侧。
根据上述结构，能够确实地控制叠层基板以及第一、第二金属层的端 面的台阶形状。另外，在叠层基板以及第一、第二金属层的端面中，台阶 形状较高的部分的端面之间的宽度是由标准规格决定的精度所要求的封 装尺寸。在本实施方式的切断方法中，台阶形状较高方的端面一定形成在 叠层基板的正面或反面上，因此，能够在可高精度控制的切割装置的裁切 间距的精度范围内形成封装尺寸。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选最后的裁切步骤的切口 宽度小于其它裁切步骤的切口宽度。
根据上述结构，能够进行稳定的裁切。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选从第一金属层侧裁切上 述第一金属层和上述叠层基板之间的界面；从第二金属层侧裁切上述第二
金属层和上述叠层基板之间的界面。
根据上述结构，能够防止在裁切端面上产生毛刺。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选上述第一金属层的厚度 大于上述第二金属层的厚度。
根据上述结构，能够在第一金属层中形成有杯状的凹部，并能够形成 在凹部中设置发光元件的发光装置。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选通过超硬刀片裁切上述 第一金属层。
根据上述结构，能够通过超硬刀片良好地裁切金属层。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选一边沿着上述刀片的半 径方向对上述刀片施加超声波， 一边进行裁切。
根据上述结构，由于刀片沿着半径方向伸縮而能够使水渗入刀片与切 割槽之间的缝隙，所以能够防止刀片的外缘的堵塞。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选上述叠层基板是由不同 的材料层叠而成的多层基板。根据上述结构，能够形成以下的发光装置，即，以第二金属层作为反 面电极，在第一金属层中形成杯状的凹部，并在凹部中安装发光元件。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选上述叠层基板包括环氧 玻璃基板。
根据上述结构，能够形成以下的发光装置，§卩，以第二金属层作为反 面电极，在第一金属层中形成杯状的凹部，并在凹部中安装发光元件。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选上述叠层基板包括多层 配线树脂层。
根据上述结构，能够形成以下的发光装置，S卩，以第二金属层作为反 面电极，在第一金属层中形成杯状的凹部，并在凹部中安装发光元件。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选上述裁切步骤包括从第 一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度的中途为止从而形成 第一裁切槽的步骤；以及从第二金属层侧进行裁切并裁切到上述第一裁切 槽为止从而形成第二裁切槽的步骤，上述形成第一裁切槽的步骤中包括用 超硬刀片裁切上述第一金属层并裁切到接近上述叠层基板的步骤。
根据上述结构，由于利用超硬刀片裁切第一金属层，所以能够良好地 裁切第一金属层；由于利用电铸刀裁切叠层基板，所以即使叠层基板由树 脂构成，也能够不使叠层基板破损地进行裁切。
在本实施方式的叠层基板的裁切方法中，优选上述裁切步骤包括从上 述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度的中途为止从而 形成第一裁切槽的步骤；以及从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到第一 裁切槽为止从而形成第二裁切槽的步骤；在上述形成第二裁切槽的步骤 中， 一边用刀片切入被粘贴在上述第二金属层侧的粘合膜， 一边形成上述 第二裁切槽。
根据上述结构，由于一边使刀片切入粘合膜一边进行裁切，所以，通 过粘合膜的修整作用可除去因在裁切时的碎屑所产生的堵塞，进一步提高 裁切效率。
在本实施方式的发光装置中，优选在上述第一金属层的端面上形成有 邻接上述叠层基板的台阶形状。
根据上述结构，能够通过超硬金属的刀片裁切第一金属层，通过电铸刀裁切叠层基板。
以上，对本发明进行了详细的说明，上述具体实施方式
或实施例仅仅 是揭示本发明的技术内容的示例，本发明并不限于上述具体示例，不应对 本发明进行狭义的解释，可在本发明的精神和权利要求的范围内进行各种 变更来实施之。
权利要求
1.一种叠层基板的裁切方法，该叠层基板的正面形成有第一金属层且反面形成有第二金属层，该叠层基板的裁切方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤；从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同。
2. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度小于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。
3. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度大于从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度。
4. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 对叠层基板进行裁切，使得宽度较小的切口位于宽度较大的切口的内
5. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 最后的裁切步骤的切口宽度小于其它裁切步骤的切口宽度。
6. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 从第一金属层侧裁切上述第一金属层和上述叠层基板之间的界面； 从第二金属层侧裁切上述第二金属层和上述叠层基板之间的界面。
7. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 上述第一金属层的厚度大于上述第二金属层的厚度。
8. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 用超硬刀片裁切上述第一金属层。
9. 根据权利要求8所述的叠层基板的裁切方法，其中， 一边沿着上述刀片的半径方向对上述刀片施加超声波一边进行裁切。
10. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 上述叠层基板是由不同材料层叠而成的多层基板。
11. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 上述叠层基板包括环氧玻璃基板。
12. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 上述叠层基板包括多层配线树脂层。
13. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 上述裁切步骤包括从上述第一金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止从而形成第一裁切槽的步骤；以及从上述第二金属层 侧进行裁切并裁切到上述第一裁切槽为止从而形成第二裁切槽的歩骤，上述形成第一裁切槽的步骤包括用超硬刀片裁切上述第一金属层并 裁切至接近上述叠层基板的步骤。
14. 根据权利要求1所述的叠层基板的裁切方法，其中， 上述裁切步骤包括从上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止从而形成第一裁切槽的步骤；以及从上述第一金属层 侧迸行裁切并裁切到上述第一裁切槽为止从而形成第二裁切槽的步骤；在上述形成第二裁切槽的步骤中， 一边用刀片切入被粘贴在上述第二 金属层侧的粘合膜一边形成上述第二裁切槽。
15. —种半导体器件的制造方法，该半导体器件具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有第二金属层的叠层基板，该半导体器件的制造方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤；从上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进 行裁切的切口宽度相互不同。
16. —种半导体器件，通过半导体器件制造方法制成，该半导体器件 具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有第二金属层的叠层基板，上述半导体器件制造方法包括分别从上述第一金属层侧和上述第二 金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤，从上述 第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切 口宽度相互不同。
17. —种发光装置，具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有第 二金属层的叠层基板，在上述第一金属层中形成有其中配置了发光元件的杯状凹部，该发光装置的制造方法包括分别从上述第一金属层侧和从上述 第二金属层侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤，从 上述第一金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切 的切口宽度相互不同，在上述叠层基板的从上述第一金属层侧进行裁切的切口与从上述第 二金属层侧进行裁切的切口会合的端面位置形成有台阶形状。
18. 根据权利要求17所述的发光装置，其中，在上述第一金属层的端面上还形成有邻接上述叠层基板的台阶形状。
19. 一种背光灯装置，具有发光装置、反射片和导光板，其中，上述 发光装置具有在正面形成有第一金属层并在反面形成有第二金属层的叠 层基板，在上述第一金属层中形成有其中配置了发光元件的杯状凹部，在 上述叠层基板的从上述第一金属层侧进行裁切的切口与从上述第二金属 层侧进行裁切的切口会合的端面位置形成有台阶形状，上述发光装置的制 造方法包括分别从上述第一金属层侧和从上述第二金属层侧进行裁切并 裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤，从上述第一金属层侧进行裁 切的切口宽度和从上述第二金属层侧进行裁切的切口宽度相互不同；以上述发光装置中设置的叠层基板的端面为安装面，在上述反射片上 安装有上述发光装置；上述导光板使得由上述发光装置发射出的光发生散射从而照射液晶 面板。
全文摘要
本发明提供一种对在正面形成有第一金属层且在反面形成有第二金属层的叠层基板进行裁切而不发生毛刺的裁切方法。该裁切方法是裁切在其正面形成金属层并在其反面形成反面电极的叠层基板的方法，包括分别从上述金属层侧以及从上述反面电极侧进行裁切并裁切到上述叠层基板的厚度中途为止的步骤，从上述金属层侧进行裁切的切口宽度和从上述反面电极进行裁切的切口宽度不同。
文档编号H01L21/48GK101308801SQ20081009951
公开日2008年11月19日 申请日期2008年5月13日 优先权日2007年5月15日
发明者太田清久 申请人:夏普株式会社