倒装led芯片的反射层结构及倒装led芯片的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种倒装LED芯片的反射层结构及含有该结构的装装LED芯片。一种倒装LED芯片的反射层结构，包括设置于P型欧姆接触层的下侧的反射层，所述反射层与P型欧姆接触层之间还没有一过渡层，所述反射层选自Ag反射层或Al反射层，过渡层选自AlN过渡层。通过设置过渡层使Al或Ag反射层与半导体层附着力更强，可以将反射层的上表面做的更加平整，反光效果更好，提高光的利用效率；过渡层的导热性非常好，能及时将半导体产生的热量扩散，延长的芯片的使用寿命。
【专利说明】倒装LED芯片的反射层结构及倒装LED芯片
【技术领域】
[0001]本发明属于光电【技术领域】，具体是涉及一种倒装LED芯片的反射层结构及含有该结构的装装LED芯片。
【背景技术】
[0002]倒装LED芯片与正装LED芯片相比，倒装LED芯片具有较好的散热功能和发光效率，具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等优点，性能方面有较大的优势，具有良好的发展前景。
[0003]由于倒装LED的发光层位于P型和N型半导体层的中间，发光层发出的光一部分向下射出，但芯片的下面是焊接面和不透明的基板，为了有效利用这部分光，通常会在芯片的底部镀上一层反射层，反射层以Al或Ag材质为主。
[0004]以Al或Ag材质作为反射层时，由于Al或Ag材质与半导体层的附着力很差,在制作时很难将其覆盖在半体层上，工艺复杂成本高，即使镀上后，其结合力也不强；现有技术中有用三氧化二铝等作为镀银前的过渡层，但是三氧化二铝与半导体结合力不好、以及导热性能非常差，LED在发光时会产生大量热量，影响LED芯片的寿命，因此无法从根本上解决现有技术的缺点。
【发明内容】
[0005]为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种倒装LED芯片的反射层结构，使Al或Ag材质反射层能更好的附着于半导体上，并将半导体发光产生的热量快速的导走，延长芯片的寿命。
[0006]为达到上述目的，本发明是通过以下的技术方案来实现的:
[0007]氮化铝AlN由III A族元素Al和V A族元素N化合而成的半导体材料，导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料，同时还发现，氮化铝与半导体的附着性能很好，并且与银或铝的附着性能也非常好。
[0008]基于上述技术，本发明将氮化铝用于倒装LED芯片上，作为银或铝反射层的过渡层，提供一种倒装LED芯片的反射层结构，包括设置于P型欧姆接触层的下侧的反射层，所述反射层与P型欧姆接触层之间还没有一过渡层，所述反射层选自Ag反射层或Al反射层，过渡层选自AlN过渡层。
[0009]本发明还进一步提供一种倒装LED芯片，包括有蓝宝石衬底；设置于蓝宝石衬底下侧的N型半导体层；设置于N型半导体层下侧的P型半导体层；设置于P型半导体层下侧的P型欧姆接触层；设置于P型欧姆接触层的下侧的反射层，所述反射层与P型欧姆接触层之间还没有AlN过渡层，所述反射层选自Ag反射层或Al反射层。
[0010]以上所述的倒装LED芯片，其中，所述半导体层选自GaN半导体层。在反射层的下侧还设有一保护层。
[0011]本发明的有益效果在于:通过设置过渡层使Al或Ag反射层与半导体层附着力更强，可以将反射层的上表面做的更加平整，反光效果更好，提高光的利用效率；过渡层的导热性非常好，能及时将半导体产生的热量扩散，延长的芯片的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本发明实施例的倒装LED芯片的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]以下结合附图与具体实施例对本发明的技术方案做详细说明。
[0014]参照图1所示，本实施例的倒装LED芯片包括有蓝宝石衬底1、设置于蓝宝石衬底下侧的N-GaN层2、设置于N-GaN层下侧的P-GaN层3、N-GaN层与P-GaN层中间的发光层23、设置于P-GaN层下侧的P型欧姆接触层4、设置于P型欧姆接触层的下侧的银反射层6、N型欧姆接触层5、P型焊接电极7和N型焊接电极8。
[0015]在P型欧姆接触层下侧制备银反射层之前，先在P型欧姆接触层上镀一层氮化铝，作为P型欧姆接触层与银反射层之间的过渡层9，让银反射层6的结合力和导热性都更加好。为了更好保护银反射层，在银反射层的下侧还设有一保护层10。
[0016]以上实施例为本发明的优选实施例，本发明不限于上述实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不背离本发明技术原理的基础上所做的任何显而易见的改动，都属于本发明的构思和所附权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种倒装LED芯片的反射层结构，包括设置于P型欧姆接触层的下侧的反射层，其特征在于:所述反射层与P型欧姆接触层之间还没有一过渡层，所述反射层选自Ag反射层或Al反射层，过渡层选自AlN过渡层。
2.一种倒装LED芯片，包括有蓝宝石衬底；设置于蓝宝石衬底下侧的N型半导体层；设置于N型半导体层下侧的P型半导体层；设置于P型半导体层下侧的P型欧姆接触层；设置于P型欧姆接触层的下侧的反射层，其特征在于:所述反射层与P型欧姆接触层之间还没有AlN过渡层，所述反射层选自Ag反射层或Al反射层。
3.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于:所述半导体层选自GaN半导体层。
4.根据权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于:在反射层的下侧还设有一保护层。
【文档编号】H01L33/44GK103456859SQ201310399087
【公开日】2013年12月18日 申请日期:2013年9月5日 优先权日:2013年9月5日
【发明者】唐小玲, 夏红艺, 罗路遥 申请人:深圳市智讯达光电科技有限公司