一种发光均匀的倒装led芯片版图布局结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及芯片结构，尤其涉及一种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构。
【背景技术】
[0002]在倒装LED芯片生产中，设计优良的芯片版图是很重要的，其直接决定做出芯片的电性、出光的好坏，直接影响LED芯片的质量。
[0003]目前，有的版图布局结构不佳，使得做出的LED芯片，其电流扩展差，电性差，发光不均匀，亮度低，光效差，可靠性差，寿命低。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷，提供一种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构，电流扩展好，分布均匀，电性较好，发光均匀。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
[0006]—种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极设置在芯片的横向中心位置;所述P电极电流扩展电极为2个，上下对称地设置于N电极电流扩展电极的两侧;所述P电极焊点设置在芯片左侧;所述N电极焊点设置在芯片右侧。
[0007]所述芯片的长方形的长度为660微米，宽度为228微米。
[0008]有益效果:本实用新型解决了【背景技术】中存在的缺陷，本实用新型的倒装LED芯片版图布局结构做出的LED芯片，电流扩展好，分布均匀，电性较好，发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。
【附图说明】
[0009]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细的说明。
[0010]图1是本实用新型的优选实施例的结构示意图。
[0011]其中:1、芯片;2、P电极焊点；3、N电极焊点;4、N电极电流扩展电极;5、P电极电流扩展电极;6、LED芯片发光区。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易被本领域人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0013]如图1所示，本实用新型的实施例包括:
[0014]—种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点2、N电极焊点3、N电极电流扩展电极4、P电极电流扩展电极5、LED芯片发光区6;芯片I为长方形，所述N电极电流扩展电极4设置在芯片I的横向中心位置;所述P电极电流扩展电极5为2个，上下对称地设置于N电极电流扩展电极4的两侧;所述P电极焊点2设置在芯片I左侧;所述N电极焊点3设置在芯片I右侧。
[0015]所述芯片I的长方形的长度为660微米，宽度为228微米。
[0016]应当理解，以上所描述的具体实施例仅用于解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。由本实用新型的精神所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之中。
【主权项】
1.一种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构，其特征在于:包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极设置在芯片的横向中心位置;所述P电极电流扩展电极为2个，上下对称地设置于N电极电流扩展电极的两侧;所述P电极焊点设置在芯片左侧;所述N电极焊点设置在芯片右侧。2.根据权利要求1所述的一种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构，其特征在于:所述芯片的长方形的长度为660微米，宽度为228微米。
【专利摘要】本实用新型涉及一种发光均匀的倒装LED芯片版图布局结构，包括P电极焊点、N电极焊点、N电极电流扩展电极、P电极电流扩展电极、LED芯片发光区；芯片为长方形，所述N电极电流扩展电极设置在芯片的横向中心位置；所述P电极电流扩展电极为2个，上下对称地设置于N电极电流扩展电极的两侧；所述P电极焊点设置在芯片左侧；所述N电极焊点设置在芯片右侧。本实用新型的倒装LED芯片版图布局结构做出的LED芯片，电流扩展好，分布均匀，电性较好，发光均匀，亮度高，可靠性好，寿命长。
【IPC分类】H01L33/38
【公开号】CN205177871
【申请号】CN201520984327
【发明人】张振, 潘文明
【申请人】江苏晶瑞半导体有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2015年12月2日