静电防护装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种静电防护装置，包括电性耦接于一待测走线的半导体结构，其半导体结构包含闸极电极层、闸极绝缘层、半导体电极层以及源/汲极电极层。闸极电极层形成于基板上，其包含一渐缩端。闸极绝缘层形成于闸极电极层上，其包含第一转角及第二转角。半导体电极层形成于闸极绝缘层上。源/汲极电极层形成于半导体电极层上。由第一渐缩端分别与第一转角及第二转角形成第一静电放电路径及第二静电放电路径。
【专利说明】静电防护装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种静电防护装置，且特别是涉及一种液晶显示面板的静电防护装置。
【背景技术】
[0002]消费性电子时代已来临，新的应用面不断增加，消费者对于影像的要求愈来愈高，因此,高分辨率、窄边框及低功耗逐渐成为主流电子产品的面板必备的特性。
[0003]为迎合消费者的需求，业界发展出面板内建闸极(Gate in Panel, GIP)技术，使得电子产品的面板能符合消费者对于窄边框的需求。
[0004]面板厂于产品出厂前必须对产品进行检测，而确保消费者不会买到有瑕疵的产品。据此，面板厂于面板制程结束后必定会对面板进行P检，所谓P检是对面板外观检查以及点灯检测，此点灯检测系指对点缺陷及线缺陷进行检查。详细而言，在进行P检时，可藉由探针将讯号传递进入面板，以确认数据线或扫描线可正常运作以传递讯号。
[0005]然而，米用面板内建闸极的电子产品的面板，在设计上所需的输入讯号较多，因此，在进行P检时，容易引起静电放电(Electrostatic Discharge, ESD)的问题。
[0006]由此可见，上述现有技术，仍存在不便与缺陷，而有待改进。为了解决上述问题，相关领域莫不费尽心思来谋求行之有 效的解决方案，但长久以来仍未发展出适当的解决方案。
实用新型内容
[0007]本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种液晶显示面板的静电防护装置，藉以改善采用面板内建闸极的电子产品的面板所存在的静电放电的问题。
[0008]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是:提供一种液晶显示面板的静电防护装置，其包含电性耦接于一待测走线的半导体结构，而半导体结构包含闸极电极层、闸极绝缘层、半导体电极层以及源/汲极电极层。闸极电极层形成于基板上，其中所述闸极电极层具有一形状为向该基板的反方向渐缩的横切面，从而在基板的反方向上形成第一渐缩端。闸极绝缘层包含第一区以及第二区，第一区系沿着闸极电极层的外表面共形设置，而第二区系形成于基板上，其中第一区具有一包含第一转角及第二转角的横切面。半导体电极层系沿着闸极绝缘层的外表面共形设置。源/汲极电极层系沿着半导体电极层的外表面共形设置。由第一渐缩端分别与第一转角及第二转角形成第一静电放电路径及第二静电放电路径。
[0009]根据本实用新型一实施例，闸极绝缘层在第一转角及第二转角处分别包含第一裂缝及第二裂缝，其中由第一渐缩端分别与第一裂缝及第二裂缝形成第一静电放电路径及第二静电放电路径。
[0010]根据本实用新型另一实施例，闸极电极层的横切面的形状包含三角形及梯形的其中至少一者。[0011]根据本实用新型再一实施例，闸极电极层的第一渐缩端汇聚于一条直线或一个面上。
[0012]根据本实用新型又一实施例，基板的反方向定义为沿所述基板平面的垂直方向，其中，闸极电极层包含位于一水平方向上的第一端与第二端，其中，第一端具有一形状为由所述闸极电极层的中心向外侧的方向渐缩的横切面，从而在水平方向上形成第二渐缩端。
[0013]根据本实用新型另再一实施例，第一端的横切面的形状为三角形或梯形。
[0014]根据本实用新型另又一实施例，闸极电极层的第二渐缩端汇聚于一条直线或一个面上。
[0015]根据本实用新型再另一实施例，源/汲极电极层设置在闸极电极层的第二渐缩端上。
[0016]根据本实用新型一实施例，静电防护装置更包含至少一静电防护组件。静电防护组件电性耦接于半导体结构。
[0017]根据本实用新型再一实施例，半导体结构设置于静电防护组件上。
[0018]根据本实用新型又一实施例，闸极电极层形成于静电防护组件上。
[0019]根据本实用新型一实施例，静电防护组件为尖端放电结构或者二极管式静电防护结构。
[0020]因此，根据本实用新型的技术内容，本实用新型实施例提供一种静电防护装置，由闸极电极层的第一渐缩端 分别与闸极绝缘层的第一转角及第二转角形成一第一静电放电路径及一第二静电放电路径，藉以改善采用面板内建闸极的电子产品在进行P检时容易引起静电放电的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是一种采用面板内建闸极的电子产品的面板示意图；
[0022]图2是本实用新型一实施例的制造流程示意图；
[0023]图3A是依照本实用新型另一实施例的结构剖面图；
[0024]图3B是依照本实用新型再一实施例的结构剖面图；
[0025]图4是依照本实用新型又一实施例的结构示意图；
[0026]图5是依照本实用新型另一实施方式的配置示意图；
[0027]图6是本实用新型再一实施方式的配置示意图；
[0028]图7是依照本实用新型一实施方式与其它静电防护结构的配置示意图；
[0029]图8是依照本实用新型另一实施方式与其它静电防护结构的配置示意图。
[0030]【主要组件标号说明】
[0031]100:面板结构228:第二区
[0032]110:面板230:半导体电极层
[0033]120:面板内建闸极240:源/汲极电极层
[0034]130:简易点灯线路290:基板
[0035]140:第一位置510:待测走线
[0036]150:第二位置610:待测走线
[0037]200:静电防护装置710:待测走线[0038]210:闸极电极层720:讯号线
[0039]212:第一渐缩端730:尖端放电结构
[0040]214:第一渐缩端740:尖端放电结构
[0041]216:第一端750:二极管式静电防护结构
[0042]218:第二端810:待测走线
[0043]219:第二渐缩端820:讯号线
[0044]220:闸极绝缘层830:尖端放电结构
[0045]222:第一转角840:尖端放电结构
[0046]224:第二转角850:二极管式静电防护结构
[0047]226:第一区
【具体实施方式】
[0048]为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0049]图1所示的采用面板内建闸极的电子产品的面板结构100 (其包含面板110、面板内建闸极120、简易点灯线路130、第一位置140以及第二位置150。)，由于设计上所需的输入讯号较多，因此，在进行P检时，容易引起静电放电的问题。为解决上述问题，本实用新型实施例提供一种液晶显示面板的静电防护装置，其可依照实际需求而选择性地设置于第一位置140或第二位置150，而能将静电电荷释放，如此，得以保护采用面板内建闸极的电子产品的面板100不受静电破坏。上述半导体结构将于后文中详述。
[0050]图2是依照本实用新型一实施例的一种液晶显示面板的静电防护装置的制造流程示意图。如需形成静电防护装置的半导体结构要四道制程，首先，形成闸极电极层(GateElectrode, GE) 210于基板上(图中未示)，接着，形成闸极绝缘层(Gate Insulated, GI)于闸极电极层210上，再形成半导体电极层(Semiconductor Electrode, SE) 230于闸极绝缘层上，然后，形成源/汲极电极层240于半导体电极层(Source and DrainElectrode, SD) 230上。在图2中，由于静电防护装置的闸极绝缘层可为氮化硅，其完全覆盖于闸极电极层上，因而并无使用光罩。
[0051]为使本实用新型更易于理解，在此，对图2所形成的静电防护装置沿着切线AB进行剖面，而上述切线AB的横切面图参见图3A及图3B。
[0052]如图3A所示，液晶显示面板的静电防护装置200包含闸极电极层210、闸极绝缘层220、半导体电极层230以及源/汲极电极层240。闸极电极层210可形成于基板290上。如图所示，闸极电极层210具有一形状为向该基板290的反方向渐缩的横切面，从而在基板290的反方向上形成第一渐缩端212。闸极绝缘层220包含第一区226以及第二区228，第一区226沿着闸极电极层210的外表面共形设置，而第二区228形成于基板290上，其中第一区226具有一包含第一转角222及第二转角224的横切面。
[0053]此外，半导体电极层230沿着闸极绝缘层220的外表面共形设置。源/汲极电极层240沿着半导体电极层230的外表面共形设置。如图3A所示，可由第一渐缩端212分别与第一转角222及第二转角224形成第一静电放电路径及第二静电放电路径。在一实施例中，第一及第二静电放电路径可延伸至半导体电极层230及源/汲极电极层240的转角处。然而，本实用新型并不以图3A所示的结构为限，其仅用以示例性地表示本实用新型其中一种实施方式，在不脱离本实用新型之精神的状况下，对图3A所示的结构作任何改动或润饰皆落入本实用新型的保护范围之内。
[0054]综上所述，由于闸极电极层210包含第一渐缩端212，而使得静电电荷容易被第一渐缩端212所诱发，而上述静电电荷可由第一渐缩端212与第一及第二转角222、224形成第一及第二静电放电路径，对其进行放电。如此，即可解决采用面板内建闸极的电子产品的面板，在进行P检时，容易引起静电放电的问题。
[0055]在一实施例中，闸极绝缘层220在第一转角222及第二转角224处分别包含第一裂缝及第二裂缝，其中由第一渐缩端212分别与第一裂缝及第二裂缝形成第一静电放电路径及第二静电放电路径。详细而言，会产生上述裂缝是由于闸极绝缘层220成膜于转角过大之处。当闸极电极层210及半导体电极层230两者电位不同时，容易沿着裂缝处形成通道，并诱发静电的产生，因而在第一渐缩端212与第一裂缝及第二裂缝之间形成上述第一静电放电路径及第二静电放电路径。由此可知，本实用新型实施例克服公知技术人员认为在半导体结构中具有裂缝，会影响半导体结构性能的技术偏见，并进一步将上述裂缝作为静电防护之用。
[0056]在另一实施例中，图3A所示的闸极电极层210的第一渐缩端212汇聚于一个面上，换言之，闸极电极层210的第一渐缩端212的横切面形状可为梯形。
[0057]本实用新型的另一实现方式如图3B所示。图3B与图3A中的静电防护装置200的不同之处在于，其第一渐缩端214系汇聚于一条直线，换言之，闸极电极层210的横切面的形状可为三角形，使得闸极电极层210的第一渐缩端214类似尖端放电结构，而能达到尖端放电的效果，如此，更能将静电电荷释放。
[0058]为使本实用新型实施例的静电防护装置能达到更佳的静电防护效果，本实用新型更提供如图4所示的结构。首先，基板的反方向定义为沿基板平面的垂直方向，对读者而言，亦即看入图式的方向为垂直方向。闸极电极层210包含位于水平方向上的第一端216与第二端218，其中，第一端216具有一形状为由闸极电极层210的中心向外侧的方向渐缩的横切面，从而在水平方向上形成第二渐缩端219。如此一来，除了透过第一渐缩端212与第一及第二转角222、224所形成的第一及第二静电放电路径外，静电防护装置200更可透过第二渐缩端219来对静电电荷进行放电。
[0059]在一实施例中，如图4所示，闸极电极层210的第二渐缩端219汇聚于一条直线，换言之，闸极电极层210的横切面的形状可为三角形，使得闸极电极层210的第二渐缩端219类似尖端放电结构，而能达到尖端放电的效果，如此，更能将静电电荷释放，然而，上述结构并非用以限定本实用新型，在其它实施例中，闸极电极层210的第二渐缩端219汇聚于一个面上，换言之，闸极电极层210的第二渐缩端219的横切面形状可为梯形。在一实施例中，源/汲极电极层240设置于闸极电极层210的第二渐缩端219之上，如此，更能将诱发于源/汲极电极层240与第二渐缩端219间的静电电荷导出。
[0060]如图1所示，本实用新型实施例提供的静电防护装置可依照实际需求而选择性地设置于第一位置140或第二位置150，并电性耦接于面板内建闸极120及简易点灯线路130，以下将更进一步介绍静电防护装置的实际配置方式。图5是依照本实用新型一实施例的一种静电防护装置的配置示意图。如图5所示，标号510为面板的待测走线，静电防护装置200可制作成单元结构，而间隔性地配置于面板的待测走线510上，以在进行P检时，将所产生的静电电荷导出，避免面板的待测走线510处产生静电破坏。
[0061]图6是静电防护装置200的另一配置方式。标号610为面板的待测走线，在此静电防护装置200可制作成环状结构，而配置在面板的待测走线610上，以在进行P检时，将所产生的静电电荷导出，避免面板的待测走线610处产生静电破坏。
[0062]为对采用面板内建闸极的电子产品的面板100有更佳的静电保护效果，本实用新型实施例的静电防护装置200亦可与其它静电防护组件一并使用。图7是静电防护装置200配合其它静电防护组件的配置方式，如图所示，标号710为面板的待测走线，而标号720为讯号线，两者之间存在一电位差而能透过尖端放电结构730、740将P检所产生的静电进行释放，其中静电防护装置200配置于尖端放电结构730、740上，而对待测走线710进行简易点灯检测时，待测走线710所产生的静电系经由静电防护装置200的第一与第二静电放电路径进行放电。在一实施例中，静电防护装置200的闸极电极层210形成于尖端放电结构730、740上。再者，静电防护装置200亦可配合二极管式静电防护结构750 —并使用。
[0063]图8是静电防护装置200的另一配置方式，如图所示，标号810为面板的待测走线，而标号820为讯号线，两者之间存在一电位差而能透过尖端放电结构830、840将P检所产生的静电进行释放，其中静电防护装置200配置于尖端放电结构830、840上，而对待测走线810进行简易点灯检测时，待测走线810所产生的静电系经由静电防护装置200的第一与第二静电放电路径进行放电。在一实施例中，静电防护装置200的闸极电极层210形成于尖端放电结构830、840上。再者，静电防护装置200亦可配合二极管式静电防护结构850一并使用。然而，本实用新型并不以图5、6、7及8所示的配置方式为限，本领域的技术人员当可依照实际需求来配置静电防护装置200、尖端放电结构730、740、830、840及二极管式静电防护结构750、850。
[0064]由上述本实用新型实施方式可知，应用本实用新型具有下列优点。本实用新型实施例揭露一种液晶显示面板的静电防护装置及其半导体结构，藉以改善采用面板内建闸极的电子产品，于进行P检时，容易引起静电放电的问题。
[0065]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种静电防护装置，其特征在于，包括电性耦接于一待测走线的半导体结构，所述半导体结构包含: 一闸极电极层，形成在一基板上，所述闸极电极层具有一形状为向该基板的反方向渐缩的横切面，从而在所述基板的反方向上形成一第一渐缩端； 一闸极绝缘层，包含一第一区以及一第二区，所述第一区沿着所述闸极电极层的外表面共形设置，而所述第二区形成于所述基板上，其中所述第一区具有一包含第一转角及第二转角的横切面； 一半导体电极层，沿着所述闸极绝缘层的外表面共形设置；以及 一源/汲极电极层，沿着所述半导体电极层的外表面共形设置； 其中由所述第一渐缩端分别与所述第一转角及所述第二转角形成一第一静电放电路径及一第二静电放电路径。
2.如权利要求1所述的静电防护装置，其特征在于，所述闸极绝缘层在所述第一转角及所述第二转角处分别包含一第一裂缝及一第二裂缝，其中由所述第一渐缩端分别与所述第一裂缝及所述第二裂缝形成所述第一静电放电路径及所述第二静电放电路径。
3.如权利要求1所述的静电防护装置，其特征在于，所述闸极电极层的横切面的形状为三角形或梯形。
4.如权利要求1所述的静电防护装置，其特征在于，所述闸极电极层的第一渐缩端汇聚于一条直线或一个面上。
5.如权利要求1所述的静电防护装置，其特征在于，所述基板的反方向定义为沿所述基板平面的垂直方向，其中，所述闸极电极层包含位于一水平方向上的第一端与第二端，其中，所述第一端具有一形状为由所述闸极电极层的中心向外侧的方向渐缩的横切面，从而在所述水平方向上形成一第二渐缩端。
6.如权利要求5所述的静电防护装置，其特征在于，所述第一端的横切面的形状为三角形或梯形。
7.如权利要求6所述的静电防护装置，其特征在于，所述闸极电极层的第二渐缩端汇聚于一条直线或一个面上。
8.如权利要求5所述的静电防护装置，其特征在于，所述源/汲极电极层设置在所述闸极电极层的第二渐缩端上。
9.如权利要求1所述的静电防护装置，其特征在于，还包含: 至少一静电防护组件，其电性耦接于所述半导体结构。
10.如权利要求9所述的静电防护装置，其特征在于，所述半导体结构设置于该至少一静电防护组件上。
11.如权利要求10所述的静电防护装置，其特征在于，所述闸极电极层形成于该至少一静电防护组件上。
12.如权利要求9至11任一项所述的静电防护装置，其特征在于，所述静电防护组件为尖端放电结构或者二极管式静电防护结构。
【文档编号】H01L23/60GK203423169SQ201320080884
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年2月21日 优先权日:2013年2月21日
【发明者】郭智宇, 李威龙 申请人:华映科技（集团）股份有限公司, 中华映管股份有限公司