瓦片状钕铁硼磁体的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及电机用磁体，公开了一种瓦片状钕铁硼磁体，包括磁体（1），所述的磁体（1）包括中间层（11），中间层（11）外包裹保护层（12）。本实用新型通过将磁体设置成拱形，提高了磁体的结构强度，使磁体具有一定的承载能力，同时在磁体外部设置保护层，一方面提高了磁体的抗腐蚀能力，另一方提高了磁体的抗冲击性能。
【专利说明】瓦片状钕铁硼磁体
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电机用磁体，尤其涉及了一种瓦片状钕铁硼磁体。
【背景技术】
[0002]目前，在电机、传感器等设备上，都需要应用磁体，而现有的磁体，由于其磁性差、磁性不稳定，容易损坏等缺点，导致磁性设备无法正常、高效的运行。同时，由于磁体装配性差，也导致磁体无法与磁性设备精确配合，影响设备的安装。
【发明内容】
[0003]本实用新型针对现有技术中磁体磁性不稳定，结构强度低，无法承载，容易摔碎等缺点，提供了一种磁性稳定、结构强度高、承载力强，不容易损坏的瓦片状钕铁硼磁体。
[0004]为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决:
[0005]瓦片状钕铁硼磁体，包括磁体，所述的磁体包括中间层，中间层外包裹保护层，磁体的横截面为拱形，保护层为电泳层，电泳层为环氧树脂层，磁体上设置一条以上的加劲棱。。。通过采用拱形结构，提高了磁体承载能力，使得磁体在特殊的工作环境中，能够承受一定的压力，不至于损坏。通过在磁体的中间层外设置具有耐冲击性能的环氧树脂层，使得磁体在应用于抗冲击的环境中，保证了磁体的正常使用。加劲棱设置在拱形磁体的拱背上，通过设置加劲棱，进一步增大了磁体抗压能力，提高了磁体的结构强度。
[0006]作为优选，所述的中间层表面的粗糙度为I一50μπι。通过在中间层表面的设置一定的粗糙度，一方面能够提高磁体的中间层与保护层的结合力，另一方面，为提高保护层的厚度提供了必要条件。
[0007]作为优选，所述的保护层为电镀层，电镀层为镀锌层或镀镍层。通过设置镀锌层或镀镍层，提高了磁体的抗腐蚀性能。
[0008]本实用新型由于采用了以上技术方案，具有显著的技术效果:本实用新型通过将磁体设置成拱形，提高了磁体的结构强度，使磁体具有一定的承载能力，同时在磁体外部设置保护层，一方面提高了磁体的抗腐蚀能力，另一方提高了磁体的抗冲击性能。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型实施例1的结构示意图。
[0010]图2是图1中A— A面截面图。
[0011]图3是本实用新型实施例2的结构示意图。
[0012]以上附图中各数字标号所指代的部位名称如下:其中I一磁体、11—中间层、12—保护层、13 一加劲棱。
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图1至图3与实施例对本实用新型作进一步详细描述:[0014]实施例1
[0015]瓦片状钕铁硼磁体，如图1至图2所示，包括磁体1，所述的磁体I包括中间层11，中间层11外包裹保护层12，磁体I的横截面为拱形。通过采用拱形结构，提高了磁体I承载能力，使得磁体在特殊的工作环境中，能够承受一定的压力，不至于损坏。
[0016]中间层11表面的粗糙度为8 μ m。通过在中间层11表面的设置一定的粗糙度，一方面能够提高磁体I的中间层11与保护层12的结合力，另一方面，为提高保护层12的厚度提供了必要条件。
[0017]保护层12为电泳层，电泳层为环氧树脂层。通过在磁体I的中间层11外设置具有耐冲击性能的环氧树脂层，使得磁体在应用于抗冲击的环境中，保证了磁体的正常使用，使得磁体的磁稳定性大大提高。
[0018]实施例2
[0019]如图3所示，本实施例与实施例1的区别在于:
[0020]中间层11表面的粗糙度为21 μ m。通过在中间层11表面的设置一定的粗糙度，一方面能够提高磁体I的中间层11与保护层12的结合力，另一方面，为提高保护层12的厚度提供了必要条件。保护层12为电镀层，电镀层为镀锌层或镀镍层。通过设置镀锌层或镀镍层，提高了磁体I的抗腐蚀性能。
[0021]磁体I上沿磁体I纵向方向设置一条以上的加劲棱13。加劲棱13设置在拱形磁体的拱背上，通过设置加劲棱13，进一步增大了磁体I抗压能力，提高了磁体的结构强度。
[0022]总之，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型专利的涵盖范围。
【权利要求】
1.瓦片状钕铁硼磁体，包括磁体(I)，其特征在于:所述的磁体(I)包括中间层(11)，中间层(11)外包裹保护层(12)，磁体(I)的横截面为拱形，保护层(12)为电泳层，电泳层为环氧树脂层，磁体(I)上设置一条以上的加劲棱(13)。
2.根据权利要求1所述的瓦片状钕铁硼磁体，其特征在于:所述的中间层(11)表面的粗糙度为I一50 μ m。
【文档编号】H01F1/057GK203434758SQ201320448824
【公开日】2014年2月12日 申请日期:2013年7月24日 优先权日:2013年7月24日
【发明者】鲍金胜 申请人:浙江鑫盛永磁科技有限公司