一种透明导电膜的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供了一种透明导电膜，包括：基底或表面形成有基质层的基底；导电层，所述导电层为设置于所述基底上或所述基质层上的网格状导电层，且延伸至不可视区；挠性连接部件，所述挠性连接部件包括基片、以及设置于所述基片上的引线电极，该挠性连接部件与所述导电层延伸至不可视区的网格贴合实现引线电极与导电层的电连接。本实用新型通过将带有引线电极的挠性连接部件与导电层延伸至不可视区网格进行贴合实现电连接，可以解决现有技术将引线电极与导电层一次成型过程中，由于在引线处的网格比较密，会导致短路、划痕等不良现象产生的问题。
【专利说明】—种透明导电膜【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种透明导电膜，属于电子显示技术导电膜领域，尤其涉及一种用于触摸屏的透明导电膜。
【背景技术】
[0002]透明导电膜是具有良好导电性及在可见光波段具有高透光率的一种薄膜。目前透明导电膜已广泛应用于平板显示、光伏器件、触控面板和电磁屏蔽等领域，具有极其广阔的市场空间。
[0003]在触摸屏的制作领域，透明导电膜作为触摸屏中接收触摸等输入信号的感应元件，因此是保证和提升触摸屏性能的重要元件。目前，触摸屏中多使用ITO (氧化铟锡)薄膜，作为导电层的ITO层是透明导电膜中至关重要的组成部分。虽然触摸屏的制造技术一日千里的飞速发展着，但是以投射式电容屏为例，ITO层的基础制造流程近年来并未发生太大的改变，不可避免的需要在基底上形成ITO膜以及图形化。但是，铟是一种昂贵的金属材料，ITO膜作为导电层，很大程度上提升了触摸屏的成本，而且ITO导电层在图形化工艺中，需将整面ITO膜层通过掩膜蚀刻以形成图案，这样大量的ITO膜被蚀刻掉，也造成贵金属的严重浪费及污染。
[0004]另一方面，透明导电薄膜的制作中，导电层与引线电极的连接是通过一次成型工艺完成，即:先将导电层延伸到不可视区，然后直接在该不可视区的导电层网格上形成引线电极，实现导电层与引线电极的电连接。这种导电层与引线电极的连接方式，会由于引线处的网格比较密，致使引线出现短路、划痕等现象，导致不良率增加。
实用新型内容
[0005]本实用新型所解决的`主要技术问题，在于提供一种透明导电薄膜，通过将带有引线电极的挠性连接部件与导电层延伸至不可视区网格进行贴合实现电连接，可以解决现有技术将引线电极与导电层一次成型过程中，由于在引线处的网格比较密，会导致短路、划痕等不良现象产生的问题。
[0006]本实用新型提供了一种透明导电膜，包括:
[0007]基底或表面形成有基质层的基底；
[0008]导电层，所述导电层为设置于所述基底上或所述基质层上的网格状导电层，且延伸至不可视区；
[0009]挠性连接部件，所述挠性连接部件包括基片、以及设置于所述基片上的引线电极，该挠性连接部件与所述导电层延伸至不可视区的网格贴合实现引线电极与导电层的电连接。
[0010]进一步地，所述挠性连接部件与所述导电层延伸至不可视区的网格的贴合是通过导电胶进行贴合。
[0011]进一步地，所述基底或所述基质层上设有网格状凹槽，该网格状凹槽内填充有导电材料形成导电层。
[0012]进一步地，所述网格状凹槽的底部设有深度为500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽的截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形。
[0013]进一步地，所述网格状凹槽为对所述基底或所述基质层压印而形成。
[0014]进一步地,所述网格状凹槽的宽度为1“111?54 1]1,深度为2 μ m?6 μ m,且深度与宽度的比值大于I。
[0015]进一步地，所述网格状凹槽的网格为规则网格或随机网格，其中所述规则网格为正方形网格、矩形网格、平等四边行网格或正六边形网格。
[0016]进一步地，所述引线电极为线条状，且引线电极的线宽为50-200 μ m，高度为5-10 μ m0
[0017]进一步地，所述引线电极为对挠性连接部件的基片进行压印而形成的凹槽式引线电极；或者为在挠性连接部件的基片上进行图形化而形成的凸起结构的引线电极。
[0018]在本实用新型的一种实施方式中，所述基底或所述基质层上设有网格状凹槽，并且该网格状凹槽内填充有导电材料形成导电层。其中，所述网格状凹槽的底部设有深度为500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽的截面可呈V字形、W字形、弧形或波浪形，所述微型槽结构能够在导电材料缩聚时防止导电材料的断裂形成断路。进一步地，所述网格状凹槽的宽度为I μ m?5 μ m，高度为2 μ m?6 μ m，高度与宽度的比值大于1，本实用新型方案中，当开设上述微型槽时，所述凹槽的高度应理解为凹槽的最大高度；所述网格状凹槽的网格为规则网格或随机网格，其中所述规则网格为正方形网格、矩形网格、平等四边行网格或正六边形网格。在本实用新型的另一种实施方式中，所述导电层还可以在所述基底或所述基质层上进行图形化而形成凸起结构。
[0019]在本实用新型的一种实施方式中，所述导电层为网格状，通过向所述凹槽中填充导电材料(导电浆液)，然后烧结形成所述网格状导电层。进一步地，所述导电材料的材质包括银、铜或导电聚合物。
[0020]在本实用新型提供的透明导电膜中，引线电极先设置于挠性连接部件的基片上，通过挠性连接部件(例如FPC连接器)与导电层的结合，利于保证二者的连接效果和导电膜的质量。
[0021]本实用新型所使用的引线电极为线条状，且引线电极的线宽为50-200 μ m，高度为5-10 μ m0进一步地，所述引线电极可以通过丝网印刷、压印或喷墨打印等方式形成。其中，所述引线电极为对挠性连接部件的基片进行压印而形成的凹槽式引线电极；或者为在挠性连接部件的基片上进行图形化而形成的凸起结构的引线电极。
[0022]本实用新型所使用的基底的材质为热塑性材料，所述热塑性材料为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯；所述基质的层材质为紫外光固化胶、压印胶或聚碳酸酯。
[0023]本实用新型所使用的基片的材质为热塑性材料，所述热塑性材料为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
[0024]本实用新型相比于现有技术具有如下有益效果:
[0025]1、本实用新型的透明导电膜可以采用价格相对低廉的导电材料，其生产成本相对于ITO导电膜而言大大降低。[0026]2、本实用新型的透明导电薄膜，通过将带有引线电极的挠性连接部件与导电层延伸至不可视区网格进行贴合实现电连接，可以解决现有技术将引线电极与导电层一次成型过程中，由于在引线处的网格比较密，会导致短路、划痕等不良现象产生的问题。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]图1为一实施方式的透明导电膜截面不意图。
[0028]图2为另一实施方式的透明导电膜截面不意图。
[0029]图3 (a)-图3 (b)为一实施方式的透明导电膜平面示意图。
[0030]图4为一实施方式的网格状凹槽底部网格的结构示意图。
【具体实施方式】
[0031]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0032]实施例1
[0033]参考图1所示，本实施例中的透明导电膜，包括基底101、基质层102、导电层103和带有引线电极的挠性连接部件104，其中所述基质层102设于所述基底101上，所述导电层103和所述带有引线电极的绕性连接部件104设于所述基质层102上。
[0034]参考图3 (a)_图3 (b)及图1，所述挠性连接部件104包括有基片、以及设置于所述基片上的引线电极，且所述引线电极包括内接线柱303、以及与内接线柱303连接的引线302，所述内接线柱303与所述导电层103延伸至不可视区的网格301通过异方性导电胶进行贴合实现电连接。
[0035]本实施例中，在基质层102上设有通过压印方式而形成的网格状凹槽，并且将材质为铜的导电材料填充于所述网格状凹槽中；其中所述网格状凹槽的宽度为1μπι?5μπι，深度为2μπι?6μπι，深度与宽度的比值大于1，所述网格状凹槽的网格可以是规则网格或随机网格，所述规则网格可以是正方形网格、矩形网格、平等四边行网格或正六边形网格；并且，在所述网格状凹槽的底部设有深度为500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形(图4所示)。
[0036]本实施例中，引线电极为线条状，且引线电极的线宽为50-200μπι，高度为5-10 μ m0其可以通过下述方式制得:1)在基片上图形化凹槽，特别是在凹槽的底部设有微型槽，用于减小导电材料在干燥固化时的收缩，从而防止导电材料断裂而形成断路；2)利用刮涂等方式在凹槽中填充导电材料(如纳米银墨水)，然后进行烧结，从而在凹槽中形成凹槽式引线电极。上述所述的一次成型工艺也适用于导电层的形成，在此不作赘述。
[0037]本实施例中所使用的基底的材质为热塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET);所述基质层的材质为紫外光固化胶、压印胶或聚碳酸酯，其可以通过刮涂、喷涂等方式形成于所述基底101上。
[0038]本实施例中所使用基片的材质为热塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[0039]本实施例提供的透明导电膜的可见光透过率不小于86%。特别是，该透明导电膜可用于触摸屏的制作。
[0040]实施例2
[0041]参考图2所示，本实施例中的透明导电膜，包括基底201、基质层202、导电层203和带有引线电极的挠性连接部件204，其中所述基质层202设于所述基底201上，所述导电层203和所述带有引线电极的绕性连接部件204设于所述基质层202上。
[0042]参考图3 (a)_图3 (b)及图2，所述挠性连接部件204包括有基片、以及设置于所述基片上的引线电极，且所述引线电极包括内接线柱303、以及与内接线柱303连接的引线302，所述内接线柱303与所述导电层203延伸至不可视区的网格301通过异方性导电胶进行贴合实现电连接。
[0043]本实施例中，在基质层202上设有通过压印方式而形成的网格状凹槽，并且将材质为银的导电材料设于所述网格状凹槽中；其中所述网格状凹槽的宽度为I μ m?5 μ m，深度为2μπι?6μπι，深度与宽度的比值大于1，所述网格状凹槽的网格可以是规则网格或随机网格，所述规则网格可以是正方形网格、矩形网格、平等四边行网格或正六边形网格；并且，在所述网格状凹槽的底部设有深度为500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形(图4所示)。
[0044]本实施例中，引线电极为线条状，且引线电极的线宽为50-200μπι，高度为5-10 μ m。其可以通过下述方式制得:通过光刻刻蚀等方法在基片的表面形成凸起的引线电极。其中，所述光刻刻蚀具体可以包括:在基片的表面涂布感光导电材料，然后通过遮光板进行曝光处理，经刻蚀，形成所述凸起式引线电极。
[0045]本实施例中所使用的基底的材质为热塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET);所述基质层的材质为紫外光固化胶、压印胶或聚碳酸酯，其可以通过刮涂、喷涂等方式形成于所述基底201上。
[0046]本实施例中所使用基片的材质为热塑性材料，如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
[0047]本实施例提供的透明导电膜的可见光透过率不小于86%。特别是，该透明导电膜可用于触摸屏的制作。
[0048]作为上述具体实施方案的变化，实施例1和实施例2中的导电层也可以直接在基底101或基底201上形成，形成方式可以为压印等。引线电极的结构和连接方式则与上述实施例相同。
[0049]最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。
【权利要求】
1.一种透明导电膜，其特征在于，包括: 基底或表面形成有基质层的基底； 导电层，所述导电层为设置于所述基底上或所述基质层上的网格状导电层，且延伸至不可视区； 挠性连接部件，所述挠性连接部件包括基片、以及设置于所述基片上的引线电极，该挠性连接部件与所述导电层延伸至不可视区的网格贴合实现弓I线电极与导电层的电连接。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述挠性连接部件与所述导电层延伸至不可视区的网格的贴合是通过导电胶进行贴合。
3.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述基底或所述基质层上设有网格状凹槽，该网格状凹槽内填充有导电材料形成导电层。
4.根据权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于，所述网格状凹槽的底部设有深度为500nm?I μ m的微型槽，所述微型槽的截面呈V字形、W字形、弧形或波浪形。
5.根据权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于，所述网格状凹槽为对所述基底或所述基质层压印而形成。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述网格状凹槽的宽度为I μ m?5 μ m,深度为2 μ m?6 μ m,且深度与宽度的比值大于I。
7.根据权利要求3-5中任一项所述的透明导电膜，其特征在于，所述网格状凹槽的网格为规则网格或随机网格，其中所述规则网格为正方形网格、矩形网格、平等四边行网格或正六边形网格。
8.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述引线电极为线条状，且引线电极的线宽为50-200 μ m,高度为5-10 μ m。
9.根据权利要求1或8所述的透明导电膜，其特征在于，所述引线电极为对挠性连接部件的基片进行压印而形成的凹槽式引线电极；或者为在挠性连接部件的基片上进行图形化而形成的凸起结构的引线电极。
【文档编号】H01B5/14GK203376990SQ201320463567
【公开日】2014年1月1日 申请日期:2013年7月31日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】程传新, 陈春明, 刘升升, 郑建军 申请人:南昌欧菲光科技有限公司, 深圳欧菲光科技股份有限公司, 苏州欧菲光科技有限公司