XIII族硒化物纳米粒子的制作方法与工艺

技术特征：
1.一种制备二元第13族硒化物纳米粒子的方法，所述二元第13族硒化物纳米粒子具有通式MxSey，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，所述方法包括：通过在第一温度将第13族离子前体分散在非配位溶剂、配位溶剂或非配位溶剂和配位溶剂的组合中，而形成分散体；将硒醇化合物添加到所述分散体中而形成混合物；以及将所述混合物的温度升高到第二温度，并且将所述混合物在第二温度保持一定时间，以形成所述二元第13族硒化物纳米粒子；其中所述二元第13族硒化物纳米粒子基本上不含硫。2.权利要求1所述的方法，其中所述第13族离子前体是第13族元素的氯化物、乙酸盐或乙酰丙酮化物。3.权利要求1所述的方法，其中所述第13族离子前体选自由以下各项组成的组：InCl3、In(OAc)3、In(acac)3、GaCl3、Ga(OAc)3和Ga(acac)3。4.权利要求1所述的方法，其中所述硒醇是烷基、烯基、炔基或芳基硒醇。5.权利要求1所述的方法，其中所述硒醇含有4至14个碳原子。6.权利要求1所述的方法，其中所述硒醇化合物是辛烷硒醇。7.权利要求1所述的方法，所述方法还包括将第二硒化合物添加至所述第13族离子前体。8.权利要求7所述的方法，其中所述第二硒源是硒化三辛基膦。9.权利要求1所述的方法，其中所述纳米粒子的直径为等于或小于200nm。10.权利要求1所述的方法，其中所述纳米粒子的直径为2至100nm。11.权利要求1所述的方法，其中所述纳米粒子的直径为等于或小于10nm。12.一种组合物，所述组合物包含：纳米粒子，所述纳米粒子包含核和有机覆盖配体，其中所述核包含二元第13族硒化物半导体，所述二元第13族硒化物纳米粒子具有通式MxSey，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，并且其中所述有机覆盖配体通过碳-硒共价键结合到所述纳米粒子。13.权利要求12所述的组合物，其中所述有机覆盖配体是烷基、烯基、炔基或芳基基团。14.权利要求12所述的组合物，其中所述有机覆盖配体含有8至12个碳原子。15.一种形成半导体膜的方法，所述方法包括：使第13族离子前体与硒醇化合物在混合物中反应而形成二元第13族硒化物纳米粒子，所述二元第13族硒化物纳米粒子具有通式MxSey，其中M是Ga或In，0＜x，并且0＜y，所述硒醇化合物是烷基、烯基、炔基或芳基硒醇中的任一种，将所形成的二元第13族硒化物纳米粒子从所述混合物中分离，将CuSe纳米粒子和分离的二元第13族硒化物纳米粒子共沉积在基材上，以及加热所述基材以使所述CuSe纳米粒子和所述二元第13族硒化物纳米粒子熔化；其中加热所述基材以使所述CuSe纳米粒子和所述二元第13族硒化物纳米粒子熔化也移除了烷基、烯基、炔基或芳基部分。16.权利要求15所述的方法，其中所述半导体膜基本上不含硫。17.权利要求1所述的方法，其中所述第一温度介于50℃-150℃之间。18.权利要求1所述的方法，其中所述第二温度介于100℃-220℃之间。19.权利要求1所述的方法，其中所述一定时间介于30分钟-2小时之间。