芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法
【专利摘要】本发明提供了一种芯片集成模块，包括管芯、无源器件及连接件，所述管芯设有管芯结合部，所述无源器件设有无源器件结合部，所述管芯的管芯结合部及无源器件的无源器件结合部相对设置，所述连接件设置于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间并连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部。本发明的芯片集成模块易于集成且成本较低；且由于管芯与无源器件互连路径更短，可提升无源器件性能。本发明还公开一种芯片封装结构及一种芯片集成方法。
【专利说明】芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及芯片制造领域，尤其涉及一种芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集 成方法。
【背景技术】
[0002] 成本、尺寸、电特性在电子产品中具有非常重要的地位，而芯片（封装后的管芯）、 外围器件以及印制电路板（PCB，Printed Circuit Board)是电子产品的核心。其中，印制 电路板的大小在很大程度上决定了电子产品的成本和尺寸。另一方面，连接芯片和外围器 件的走线长度，滤波电路与电源地之间的距离决定着电特性，而同时器件的物理尺寸越小， 电特性越好。在外围器件中，有很大部分都是无源器件，如：电阻器，电感器，电容器。如果 能用一种低成本的方式将管芯直接与这些无源器件集成在一起，然后再通过封装将集成无 源器件后的管芯连接在印制电路板上，即可在成本、尺寸、电特性等方面提升电子产品的性 能。
[0003] 现有技术中的一种无源器件与管芯的集成方法：在管芯上设置凸点下金属（UBM， Under Bump Metallization)层，并在凸点下金属层上通过印刷或者电镀的方式形成可钎 焊凸块，然后再实现管芯与无源器件的集成。此种方法需要额外形成UBM层，导致额外的成 本。现有技术中还有一种无源器件与管芯的集成方法：通过导电胶直接将无源器件粘在管 芯上。但是此种方法在工艺实现的过程中，容易导致粘合剂杂质残留，影响半导体封装的良 率。另外，可导电粘合剂相对于金属导电性较差，会影响集成后的无源器件的电特性。
【发明内容】
[0004] 提供一种集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法，易于集成且成本较低。
[0005] 第一方面，提供了一种芯片集成模块，包括管芯、无源器件及连接件，所述管芯设 有管芯结合部，所述无源器件设有无源器件结合部，所述管芯的管芯结合部及无源器件的 无源器件结合部相对设置，所述连接件设置于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间 并连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部。
[0006] 在第一方面的第一种可能实现的方式中，所述管芯的管芯结合部与所述无源器件 的无源器件结合部采用金属制成。
[0007] 结合第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能实现的方式 中，所述连接件采用金、银、铜、钛、镍、铝中的任意一种、或其中任意两种或两种以上的上述 金属的合金制成。
[0008] 结合第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式 中，所述连接件采用超声焊接或热压合连接于所述管芯结合部与无源器件结合部。
[0009] 结合第一方面及第一方面的第一种至第三种可能的实现方式，在第一方面的第四 种可能的实现方式中，所述无源器件采用集成无源器件或分立无源器件。
[0010] 结合第一方面及第一方面的第一种至第三种可能的实现方式，在第一方面的第 五种可能的实现方式中，所述连接件包括第一连接元件及第二连接元件，所述第一连接元 件连接于所述管芯的管芯结合部，所述第二连接元件连接于所述无源器件的无源器件结合 部，且所述第一连接元件与所述第二连接元件相互连接。
[0011] 结合第一方面及第一方面的第一种至第三种可能的实现方式，在第一方面的第六 种可能的实现方式中，所述管芯设有管芯表面，所述管芯结合部设有管芯结合表面，所述管 芯结合表面相对于所述管芯表面内凹、外凸或平齐。
[0012] 结合第一方面及第一方面的第一种至第三种可能的实现方式，在第一方面的第七 种可能的实现方式中，所述无源器件设有无源器件表面，所述无源器件结合部设有无源器 件结合表面，所述无源器件结合表面相对于所述无源器件表面内凹、外凸或平齐。
[0013] 结合第一方面及第一方面的第一种至第七种可能的实现方式，在第一方面的第八 种可能的实现方式中，所述管芯结合部采用溅射或化学气相沉积形成于所述管芯。
[0014] 结合第一方面及第一方面的第一种至第七种可能的实现方式，在第一方面的第九 种可能的实现方式中，所述无源器件结合部采用电镀、溅射或化学气相沉积形成于所述无 源器件。
[0015] 结合第一方面及第一方面的第一种至第七种可能的实现方式，在第一方面的第十 种可能的实现方式中，所述连接件表面设有保护层，所述保护层至少覆盖部分所述连接件 的表面。
[0016] 结合第一方面的第十种可能的实现方式，在第一方面的第i 种可能的实现方式 中，所述保护层采用金、锡、铜、镍、钯或其中任意两者或两者以上的上述金属的合金制成。
[0017] 结合第一方面的第i^一种可能的实现方式，在第一方面的第十二种可能的实现方 式中，所述保护层含有有机可焊性防腐剂。
[0018] 结合第一方面及第一方面的第一种至第十二种可能的实现方式，在第一方面的第 十三种可能的实现方式中，所述管芯与无源器件之间设有间隙，所述管芯与无源器件之间 的间隙中填充有填充材料。
[0019] 结合第一方面的第十三种可能的实现方式，在第一方面的第十四种可能的实现方 式中，所述填充材料采用填充胶。
[0020] 第二方面，提供一种芯片封装结构，包括衬底及如第一方面及第一方面的第一种 至第十四种可能的实现方式中任一项所述的芯片集成模块，所述芯片集成模块设置于所述 衬底之上。
[0021] 第三方面，提供一种芯片集成方法，包括以下步骤，
[0022] 提供一管芯及一无源器件，所述管芯设有管芯结合部，所述无源器件设有无源器 件结合部；
[0023] 设置连接件，将所述连接件连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部，且所 述连接件位于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间。
[0024] 结合第三方面的第一种可能的实现方式，在第三方面的第一种可能的实现方式 中，
[0025] 所述设置连接件时，进一步包括以下步骤，
[0026] 将所述连接件形成于所述管芯结合部与所述无源器件结合部二者之中的一个；
[0027] 将所述连接件连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部二者之中的另一个。
[0028] 结合第三方面的第一种可能的实现方式，在第三方面的第二种可能的实现方式 中，
[0029] 所述设置连接件时，所述连接件采用引线键合剪切的方式形成于所述管芯结合部 与无源器件结合部二者之中的一个；且所述连接件采用超声焊接或热压合的方式连接于所 述管芯结合部与无源器件结合部二者之中的另一个。
[0030] 结合第三方面的第一种可能的实现方式，在第三方面的第三种可能的实现方式 中，
[0031] 所述连接件包括第一连接元件及第二连接元件，所述设置连接件时，进一步包括 以下步骤，
[0032] 将所述连接件的第一连接元件形成于所述管芯的管芯结合部；
[0033] 将所述连接件的第二连接元件形成于所述无源器件的无源器件结合部；
[0034] 将所述第一连接元件与所述第二连接元件相互连接。
[0035] 本发明的芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法不需要额外的工艺步骤来 形成UBM层，易于集成且成本较低；本发明的芯片集成模块及芯片封装结构将管芯的管芯 结合部及无源器件的无源器件结合部相对设置并通过连接件连接，从而使芯片集成模块及 芯片封装结构的管芯与无源器件的互连路径更短、缩减所述芯片集成模块及芯片封装结构 的整体尺寸。
【专利附图】
【附图说明】
[0036] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0037] 图1是本发明第一较佳实施方式提供的芯片集成模块组装状态下的结构示意图；
[0038] 图2是本发明第一较佳实施方式提供的芯片集成模块分解状态下的结构示意图；
[0039] 图3是本发明第一较佳实施方式提供的芯片集成模块的芯片集成方法的流程图；
[0040] 图4至图6是对图3所示的芯片集成方法制备过程中的制备示意图；
[0041] 图7是本发明第二较佳实施方式提供的芯片集成模块组装状态下的结构示意图；
[0042] 图8是本发明第三较佳实施方式提供的芯片集成模块组装状态下的结构示意图；
[0043] 图9是本发明第四较佳实施方式提供的芯片封装结构的结构示意图；
【具体实施方式】
[0044] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0045] 请参阅图1及图2,本发明第一较佳实施方式提供一种芯片集成模块10,包括管芯 11、无源器件13及连接件15。所述管芯11与无源器件13通过连接件15相互连接。
[0046] 在本实施例中，所述管芯11可采用逻辑电路、存储器件或其它类型的电路，其上 还可进一步设置二极管、晶体管、电容器等半导体元件。所述管芯11设有至少一个管芯结 合部110。如图所述，在本实施例中，所述管芯结合部110的设置数量为两个，所述管芯结合 部110形成于所述管芯11之上并暴露于所述管芯11外部。
[0047] 所述管芯结合部110为采用片状金属制成，优选地，所述管芯结合部110采用 铝（A1)或铜（Cu)或其合金制成。可以理解的是，所述管芯结合部110可直接形成于所 述管芯11，也可在原有管芯11基础上通过各种方式将所述管芯结合部110连接于所述原 有管芯11，从而形成设有管芯结合部110的管芯11。如所述管芯结合部110可采用溅射 (sputtering)、化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition)等方式形成于管芯11表 面，其具体形成方式在此不再赘述。
[0048] 所述无源器件13可米用集成无源器件（IPD，Integrated Passive Devices)或 分立无源器件，如滤波器或各类电容器，如普通电容、多层陶瓷电容（MLCC，Multi-Layer Ceramic Capacitor)等。所述无源器件13对应各个所述管芯11的管芯结合部110分别 设有无源器件结合部130。如图2所示，在本实施例中，所述无源器件结合部130的设置数 量同样为两个。所述无源器件结合部130形成于所述无源器件之上并暴露于所述无源器件 13外部。所述无源器件结合部130为采用片状金属制成，优选地，所述无源器件结合部130 采用铝（A1)、铜（Cu)或其合金制成。同样的，所述无源器件结合部130可采用电镀、溅射 (sputtering)、化学气相沉积（CVD，Chemical Vapor Deposition)等方式形成于无源器件 13表面，其具体形成方式在此不再赘述。
[0049] 所述连接件15为块状，所述管芯11的管芯结合部110及无源器件13的无源器件 结合部130相对设置，所述连接件15连接于所述管芯11的管芯结合部110及无源器件13 的无源器件结合部130,且所述连接件15位于所述管芯11的管芯结合部110及无源器件 13的无源器件结合部之间，从而将所述管芯11与所述无源器件13相互连接。在本实施例 中，所述连接件15可采用金（Au)、银（Ag)、铜（Cu)、钛（Ti)、镍（Ni)、铝（A1)或其中任意两 种或两种以上所形成的合金。可以理解的是，所述连接件15的组分中还可加入焊料，从而 便于连接件15通过焊接的方式连接于所述管芯11及无源器件13。
[0050] 进一步的，在本实施例中，如图2所示，所述管芯11设有管芯表面111，所述管芯结 合部110设有管芯结合表面1101。所述管芯结合表面1101相对于所述管芯表面111内凹 或外凸，或相对于所述管芯表面111平齐。
[0051] 同样的，所述无源器件13设有无源器件表面131，所述无源器件结合部130设有无 源器件结合表面1301。所述无源器件结合表面1301相对于所述无源器件表面131内凹或 外凸，或相对于所述无源器件表面131平齐。
[0052] 可以理解的是，所述管芯结合部110与所述无源器件结合部130可采用任意适用 方式设置或形成于所述管芯11或无源器件13。只需保证所述管芯结合部110与所述无源 器件结合部130可暴露于管芯11或无源器件13外部以便其连接于所述连接件15即可。
[0053] 组装状态下，所述管芯11的管芯结合部110与所述无源器件13的无源器件结合 部130相对设置并通过所述连接件15相互连接，从而将无源器件13集成连接于所述管芯 11。可以理解的是，所述管芯11的管芯结合部110与所述无源器件13的无源器件结合部 130及对应设置的连接件15的设置位置及数量可根据使用及连接需求自身设置。
[0054] 如图3所述，本实施例中的芯片集成模块10的芯片集成方法包括以下步骤：
[0055] 步骤S1，提供一管芯11及一无源器件13,所述管芯11设有管芯结合部110,所述 无源器件13设有无源器件结合部130 ;
[0056] 步骤S2,设置连接件15,将所述连接件15连接于所述管芯结合部110与所述无源 器件结合部130,且所述连接件15位于所述管芯结合部110与所述无源器件结合部130之 间，以使得所述管芯11与所述无源器件13相互连接。
[0057] 所述步骤S2进一步包括以下步骤：
[0058] 步骤S21，将所述连接件15形成于所述管芯结合部110与无源器件结合部130二 者之中的一个；在本实施例中，可将连接件15形成于管芯11的管芯结合部110。具体的， 在步骤S21中，可通过引线键合剪切的方法在管芯11表面的管芯结合部110上形成可焊接 连接件15。
[0059] 如图4及图5所示，通过引线键合剪切的方法在管芯11表面的管芯结合部110上 形成可焊接连接件15时，首先通过焊线机的真空吸管101固定管芯11。而后选用引线102， 并将引线102穿过焊线机的焊接头103,通过焊接头103在引线102末端形成一个引线球 1021。移动焊线机的焊接头103,使引线球1021接触管芯11表面的管芯结合部110。通 过焊线机的焊接头103将引线球1021键合于管芯11表面的管芯结合部110。键合引线球 1021前可对管芯11提前预热。剪切断引线102,并将所述引线球1021保留于所述管芯11 的管芯结合部110以作为连接件15。
[0060] 可以理解的是，在本实施例的芯片集成方法中，所述连接件15还可先通过引线键 合剪切的方法形成于无源器件13的无源器件结合部130,其具体步骤与上述一致，在此不 再赘述。所述引线102的材质与最终形成的连接件15的材质一致。
[0061] 步骤S22,将所述连接件15连接于所述管芯结合部110与无源器件结合部130二 者之中的另一个。
[0062] 进一步的，本实施例的芯片集成方法还可通过任意适用方法将已经连接于所述管 芯结合部110的连接件15连接于所述无源器件13的无源器件结合部130。
[0063] 如图6所示，具体的，在本实施例中，在步骤S22中于所述管芯11的管芯结合部 110形成连接件15后，可采用超声焊接与热压合的方式将连接件15进一步地连接于所述无 源器件，从而实现管芯11与无源器件13的集成。
[0064] 具体的，通过真空吸管101固定无源器件13。无源器件13使连接于管芯11的连 接件15接触所述无源器件13的无源器件结合部130,并通过超声焊接机的焊接头施加压 力及超声摩擦力于所述连接件15,从而通过热压合和超声焊接实现连接件15与所述无源 器件13的相互连接。可以理解的是，在本实施例的芯片集成方法中，还可通过其他任意适 用方法将连接件15连接于所述管芯11与无源器件13。可以理解的是，在将所述连接件15 连接于所述管芯11与无源器件13的过程中，所述连接件15可发生一定程度的形变，其可 具有任意形态的形变后的形状。
[0065] 如图7所示是本发明的第二较佳实施例的芯片集成模块20。本实施例的芯片集 成模块20与第一较佳实施例的芯片集成模块10大致相同。所述芯片集成模块20包括管 芯21、无源器件23及连接件25,所述管芯21设有管芯结合部210,所述无源器件23设有无 源器件结合部230。所述管芯21的管芯结合部210与所述无源器件23的无源器件结合部 230相对设置并通过所述连接件25相互连接。
[0066] 不同之处在于：所述连接件25表面设有保护层27,所述保护层27至少覆盖 所述连接件25的部分表面。所述保护层27可采用有机可焊性保护层27 (OSP，Organic solderability preservative)。所述保护层 27还可采用金（Au)、锡（Sn)、铜（Cu)、镍（Ni)、 钯（Pd)及其合金制成。本实施例中的芯片集成模块20的芯片集成方法与第一较佳实施例 大致相同，在此不再赘述。
[0067] 在本实施例中，所述保护层27可通过采用具有保护层的引线形成。即，可在通过 引线键合剪切的方法在管芯21表面的管芯结合部210上形成连接件25时，采用具有保护 层27的引线，从而形成的连接件25上也具有保护层27。
[0068] 进一步的，所述管芯21与无源器件23之间设有间隙，所述管芯21与无源器件23 之间的间隙中填充有填充材料29,所述填充材料29可采用底部填充胶（underfill)，或者其 它填充材料。
[0069] 如图8所示是本发明的第三较佳实施例的芯片集成模块30。本实施例的芯片集成 模块30与第一较佳实施例的芯片集成模块10大致相同。
[0070] 本实施例中，所述芯片集成模块30包括管芯31、无源器件33及连接件35,所述管 芯31设有管芯结合部310,所述无源器件33设有无源器件结合部330。所述管芯31的管 芯结合部310与所述无源器件33的无源器件结合部330相对设置并通过所述连接件35相 互连接。
[0071] 不同之处在于：本实施例中的所述连接件35包括第一连接元件351及第二连接 元件352,所述第一连接元件351连接于所述管芯31的管芯结合部310,所述第二连接元件 352连接于所述无源器件33的无源器件结合部330,且所述第一连接元件351与所述第二 连接元件352相互连接，从而将所述无源器件33连接集成于所述管芯31。
[0072] 可以理解的是，与第一较佳实施例的芯片集成模块10相同，无源器件33及管芯31 可对应设置多组无源器件结合部330与管芯结合部310,且芯片集成模块30可对应多组无 源器件结合部330与管芯结合部310设置多对第一连接元件351及第二连接元件352。所 述第一连接元件351与第二连接元件352与第一较佳实施例中的第一连接件15的材料相 同。
[0073] 可以理解的是，第二较佳实施例中所述保护层27也可部分覆盖于本实施例中的 连接件35的第一连接元件351及第二连接元件352。所述管芯31与无源器件33之间的间 隙中也可填充有填充材料39。
[0074] 本实施例中的芯片集成模块30的芯片集成方法与第一较佳实施例的芯片集成方 法大致相同，包括以下步骤：
[0075] 步骤S1，提供一管芯31及一无源器件33,所述管芯31设有管芯结合部310,所述 无源器件33设有无源器件结合部330 ;
[0076] 步骤S2,设置连接件35,通过所述连接件35将所述管芯11与所述无源器件13相 互连接。
[0077] 不同之处在于，在本实施例中，所述步骤S2进一步包括以下步骤：
[0078] 步骤S21'，将所述连接件35的第一连接元件351形成于所述管芯31的管芯结合 部 310 ;
[0079] 步骤S22'，将所述连接件35的第二连接元件352形成于所述无源器件33的无源 器件结合部330 ;
[0080] 步骤S23'，将所述第一连接元件351与所述第二连接元件352相互连接。本步骤 中，通过第一连接元件351与所述第二连接元件352将所述管芯11与所述无源器件13相 互连接。
[0081] 在本实施例中，所述连接件35与管芯31及无源器件33相互连接的方式一致。
[0082] 如图9所示是本发明的第三较佳实施例的芯片封装结构40,包括衬底45及设置 于衬底之上的管芯集成模块50,所述管芯集成模块50与第一较佳实施例或第二较佳实施 例所述的管芯集成模块的结构大致相同，包括管芯51、无源器件53及连接件55,所述管芯 51设有管芯结合部510,所述无源器件53设有无源器件结合部530。所述管芯51的管芯结 合部510与所述无源器件53的无源器件结合部530相对设置并通过所述连接件55相互连 接。
[0083] 所述芯片封装结构40还设有连接线60,所述管芯集成模块50的管芯51还设有连 接线结合部，所述连接线连接于所述连接线结合部与所述衬底45之间，从而将管芯51引线 键合于衬底45。
[0084] 在本实施例中，所述衬底45可采用引线框架（lead-frame)、基板（substrate)或 诸如半导体晶圆等的半导体材料。所述衬底45上还可形成用于保护管芯集成模块50的模 塑料70。可以理解的是，管芯集成模块50可采用任意适用的现有技术设置于所述衬底，如 所述芯片封装结构40也可取消设置连接线，而通过倒装的方式将管芯集成模块50的管芯 51连接于所述衬底45。
[0085] 本发明的芯片集成模块、芯片封装结构及芯片集成方法不需要额外的工艺步骤来 形成UBM层，减少了成本；且将管芯的管芯结合部及无源器件的无源器件结合部相对设置 并通过连接件连接，从而使芯片集成模块及芯片封装结构的管芯与无源器件的互连路径更 短、缩减所述芯片集成模块及芯片封装结构的整体尺寸。且相较于较长的互连路径，较短的 互连路径便于实现较佳的无源器件性能，如当无源器件为电容器件时，较短的互连路径能 更有效的实现对噪声的滤波；当无源器件为滤波器时，由于管芯与无源器件的互连路径更 短，通道寄生更小，滤波器的带宽更容易控制。
[0086] 以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权 利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权 利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
【权利要求】
1. 一种芯片集成模块，其特征在于：包括管芯、无源器件及连接件，所述管芯设有管芯 结合部，所述无源器件设有无源器件结合部，所述管芯的管芯结合部及无源器件的无源器 件结合部相对设置，所述连接件设置于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间并连接 于所述管芯结合部与所述无源器件结合部。
2. 如权利要求1所述的芯片集成模块，其特征在于：所述管芯的管芯结合部与所述无 源器件的无源器件结合部采用金属制成。
3. 如权利要求2所述的芯片集成模块，其特征在于：所述连接件采用金、银、铜、钛、镍、 铝中的任意一种、或其中任意两种或两种以上的上述金属的合金制成。
4. 如权利要求3所述的芯片集成模块，其特征在于：所述连接件采用超声焊接或热压 合连接于所述管芯结合部与无源器件结合部。
5. 如权利要求1至4中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述无源器件采用 集成无源器件或分立无源器件。
6. 如权利要求1至4中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述连接件包括第 一连接元件及第二连接元件，所述第一连接元件连接于所述管芯的管芯结合部，所述第二 连接元件连接于所述无源器件的无源器件结合部，且所述第一连接元件与所述第二连接元 件相互连接。
7. 如权利要求1至4中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述管芯设有管芯 表面，所述管芯结合部设有管芯结合表面，所述管芯结合表面相对于所述管芯表面内凹、夕卜 凸或平齐。
8. 如权利要求1至4中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述无源器件设有 无源器件表面，所述无源器件结合部设有无源器件结合表面，所述无源器件结合表面相对 于所述无源器件表面内凹、外凸或平齐。
9. 如权利要求1至8中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述管芯结合部采 用溅射或化学气相沉积形成于所述管芯。
10. 如权利要求1至8中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述无源器件结合 部采用电镀、溅射或化学气相沉积形成于所述无源器件。
11. 如权利要求1至8中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述连接件表面设 有保护层，所述保护层至少覆盖所述连接件的部分表面。
12. 如权利要求11所述的芯片集成模块，其特征在于：所述保护层采用金、锡、铜、镍、 钯或其中任意两者或两者以上的上述金属的合金制成。
13. 如权利要求12所述的芯片集成模块，其特征在于：所述保护层含有有机可焊性防 腐剂。
14. 如权利要求1至13中任一项所述的芯片集成模块，其特征在于：所述管芯与无源 器件之间设有间隙，所述管芯与无源器件之间的间隙中填充有填充材料。
15. 如权利要求14所述的芯片集成模块，其特征在于：所述填充材料采用填充胶。
16. -种芯片封装结构，其特征在于：包括衬底及如权利要求1至15中任一项所述的 芯片集成模块，所述芯片集成模块设置于所述衬底之上。
17. -种芯片集成方法，其特征在于：包括以下步骤， 提供管芯及无源器件，所述管芯设有管芯结合部，所述无源器件设有无源器件结合 部； 设置连接件，将所述连接件连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部，且所述连 接件位于所述管芯结合部与所述无源器件结合部之间。
18. 如权利要求17所述的芯片集成方法，其特征在于：所述设置连接件时，进一步包括 以下步骤， 将所述连接件形成于所述管芯结合部与所述无源器件结合部二者之中的一个； 将所述连接件连接于所述管芯结合部与所述无源器件结合部二者之中的另一个。
19. 如权利要求18所述的芯片集成方法，其特征在于：所述连接件采用引线键合剪切 的方式形成于所述管芯结合部与无源器件结合部二者之中的一个；且所述连接件采用超声 焊接或热压合的方式连接于所述管芯结合部与无源器件结合部二者之中的另一个。
20. 如权利要求17所述的芯片集成方法，其特征在于：所述连接件包括第一连接元件 及第二连接元件，所述设置连接件时，进一步包括以下步骤， 将所述连接件的第一连接元件形成于所述管芯的管芯结合部； 将所述连接件的第二连接元件形成于所述无源器件的无源器件结合部； 将所述第一连接元件与所述第二连接元件相互连接。
【文档编号】H01L23/31GK104157617SQ201410366385
【公开日】2014年11月19日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】符会利, 高崧 申请人:华为技术有限公司