技术特征：
1.一种高电子迁移率发光晶体管的结构，其特征在于，该结构包含：一基板；一高迁移率晶体管HEMT区，设置于该基板上；以及一氮化镓发光二极管LED区，设置于该基板上；其中，该HEMT区与该LED区皆存在一二维电子气2DEG层，且该HEMT区通过该2DEG层串联该LED区。2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该结构还包含：一缓冲层，设置于该基板上；以及一阻障层，设置于该缓冲层上并覆盖部分该缓冲层；其中，该HEMT区与该LED区设置于该缓冲层上，且该2DEG层存在于该缓冲层与该阻障层之间。3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该HEMT区包含：一栅极层，设置于该阻障层上，且覆盖部分该阻障层；以及一源极欧姆接触层，设置于该缓冲层上，该源极欧姆接触层覆盖部分该缓冲层且接触该阻障层；以及该LED区包含：一p型半导体层，设置于该阻障层上，并覆盖部分该阻障层；以及一漏极欧姆接触层，设置于该p型半导体层上；其中，该漏极欧姆接触层的材质为一金属或一金属氧化物，且该栅极层设置于该源极欧姆接触层与该漏极欧姆接触层之间。4.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该HEMT区包含：一第一p型半导体层，设置于该阻障层上，并覆盖部分该阻障层；一栅极层，设置并覆盖第一p型半导体层上；以及一源极欧姆接触层，设置于该缓冲层上，该源极欧姆接触层覆盖部分该缓冲层且接触该阻障层；以及该LED区包含：一第二p型半导体层，设置于该阻障层上并覆盖部分该阻障层；以及一漏极欧姆接触层，设置于该第二p型半导体层上；其中，该漏极欧姆接触层的材质为一金属或一金属氧化物，且该栅极层设置于该源极欧姆接触层与该漏极欧姆接触层之间。5.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该HEMT区包含：一栅极层，设置于该阻障层上；以及一源极欧姆接触层，设置于该缓冲层上，该源极欧姆接触层覆盖部分该缓冲层且接触该阻障层；以及该LED区包含：一p型半导体层，设置于该阻障层上；以及一漏极欧姆接触层，设置于该p型半导体层上；其中，该漏极欧姆接触层的材质为一金属或一金属氧化物，且该栅极层设置于该源极欧姆接触层与该漏极欧姆接触层之间。6.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该HEMT区包含：一栅极层，设置于该阻障层上；一介电层，设置于该栅极层与该阻障层之间，且该介电层覆盖部分该阻障层；以及一源极欧姆接触层，设置于该缓冲层上，该源极欧姆接触层覆盖部分该缓冲层且接触该阻障层；以及该LED区包含：一p型半导体层，设置于该阻障层上；以及一漏极欧姆接触层，设置于该p型半导体层上；其中，该漏极欧姆接触层的材质为一金属或一金属氧化物，且该栅极层设置于该源极欧姆接触层与该漏极欧姆接触层之间。7.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该HEMT区包含：一第一阻障层，设置并覆盖于该缓冲层上；以及一第二阻障层，设置并覆盖于该缓冲层上；一介电层，具有一第一部位、一第二部位、以及第三部位，该第一部位设置于该缓冲层上，且该第二部位与该第三部位分别覆盖该第一阻障层与该第二阻障层；一T型栅极层，设置该介电层上，且部分区域覆盖部份该第一部位、部分该第二部位、以及部分该第三部位；一源极欧姆接触层，设置于该缓冲层上，该源极欧姆接触层覆盖部分该缓冲层且接触该第一阻障层与该第二部位；以及该LED区包含：一p型半导体层，设置于该阻障层上，该p型半导体层接触该第三部位；以及一漏极欧姆接触层，设置于该p型半导体层上；其中，该漏极欧姆接触层的材质为一金属或一金属氧化物，且该栅极层设置于该源极欧姆接触层与该漏极欧姆接触层之间。8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，该T型栅极层导通电压与否以决定该第一部位与该缓冲层之间是否存在该2DEG层。9.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该HEMT区包含：一栅极层，设置于该阻障层上；以及一源极欧姆接触层，设置于该缓冲层上，该源极欧姆接触层覆盖部分该缓冲层且接触该阻障层；以及该LED区包含：一量子井，设置于该阻障层上；一p型半导体层，设置于该量子井上；以及一漏极欧姆接触层，设置于该p型半导体层上；其中，该漏极欧姆接触层的材质为一金属或一金属氧化物，且该栅极层设置于该源极欧姆接触层与该漏极欧姆接触层之间。10.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该结构包含：一量子井，设置于该缓冲层与该阻障层之间；且该HEMT区包含：一栅极层，设置于该阻障层上；以及一源极欧姆接触层，设置于该缓冲层上，该源极欧姆接触层覆盖部分该缓冲层且接触该阻障层；以及该LED区包含：一p型半导体层，设置于该阻障层上；以及一漏极欧姆接触层，设置于该p型半导体层上；其中，该漏极欧姆接触层的材质为一金属或一金属氧化物，且该栅极层设置于该源极欧姆接触层与该漏极欧姆接触层之间；以及该2DEG层存在于该量子井中。