[相关申请案]本申请案享受以日本专利申请案2015-6946号(申请日：2015年1月16日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。技术领域本发明的实施方式涉及一种半导体发光元件。
背景技术：
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)等半导体发光元件具备具有发光层的半导体层、p电极及n电极。在半导体发光元件中，p电极形成在半导体层的一个面且n电极形成在半导体层的另一个面，或者，p电极及n电极形成在半导体层的一个面。在此种半导体发光元件中，业者期望发光效率的提高。
技术实现要素：
本发明的实施方式提供改善了发光效率的半导体发光元件。实施方式的半导体发光元件具备：半导体层，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层；电极垫，与所述半导体层相邻而设置；第1电极，一端连接在所述电极垫，从所述电极垫线状地延伸而连接在所述第1半导体层；第2电极，与所述第2半导体层连接；以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层，该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率。所述第1电极随着远离所述电极垫，而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。附图说明图1(a)是例示第1实施方式的半导体发光元件的透视俯视图。图1(b)是图1(a)的A-A'线中的剖视图。图1(c)是图1(a)的B-B'线中的剖视图。图2是第1实施方式的半导体发光元件的另一例的剖视图。图3(a)是图1(a)的C部的放大图。图3(b)是图1(a)的D部的放大图。图4(a)～图4(c)是例示第1实施方式的半导体元件的一部分的俯视图。图5是例示比较例的半导体发光元件的透视俯视图。图6(a)是例示第1实施方式的半导体发光元件的电流密度分布的图形。图6(b)是例示比较例的半导体发光元件的电流密度分布的图形。图7(a)是例示第1实施方式的变化例1的半导体发光元件的透视俯视图。图7(b)是图7(a)的E-E'线中的剖视图。图8(a)～图8(e)是例示第1实施方式的变化例2的半导体发光元件的一部分的俯视图。图9是例示第1实施方式的变化例3的半导体发光元件的透视俯视图。图10(a)是图9的F部的放大图。图10(b)是图9的G部的放大图。图11(a)及图11(b)是例示第1实施方式的变化例4的半导体发光元件的透视俯视图。图12(a)及图12(b)是例示第1实施方式的变化例5的半导体发光元件的透视俯视图。图13(a)是例示第1实施方式的变化例6的半导体发光元件的透视俯视图。图13(b)及图13(c)是图13(a)的H-H'线中的剖视图。图14(a)～图14(c)是例示第1实施方式的变化例6的半导体发光元件的另一例的透视俯视图。图15(a)～图15(d)是表示第1实施方式的变化例6的半导体发光元件的电流密度分布的图形。图16(a)是例示第2实施方式的半导体发光元件的俯视图。图16(b)是图16(a)的K-K'线中的剖视图。图17是表示第2实施方式的半导体发光元件的电流密度分布的图形。图18(a)及图18(b)是第2实施方式的变化例的半导体发光元件的俯视图。图18(c)及图18(d)是表示第2实施方式的变化例的半导体发光元件的电流密度分布的图形。图19是例示第3实施方式的半导体发光元件的主要部的剖视图。具体实施方式以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。此外，附图是示意性或概念性的图，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必限定为与现实相同。另外，即便在表示相同的部分的情况下，也存在因附图不同而相互的尺寸或比率不同地表示的情况。此外，在本申请说明书与各图中，关于已经出现的图，对与所述内容相同的要素标注相同的符号而适当省略详细的说明。(第1实施方式)图1(a)是例示第1实施方式的半导体发光元件的透视俯视图。图1(b)是图1(a)的A-A'线中的剖视图。图1(c)是图1(a)的B-B'线中的剖视图。图2是本实施方式的半导体发光元件的另一例的剖视图。图3(a)是图1(a)的C部的放大图。图3(b)是图1(a)的D部的放大图。图4(a)～图4(c)是例示本实施方式的半导体元件的一部分的俯视图。如图1(a)～图1(c)所示，第1实施方式的半导体发光元件1具备第1半导体层10、第2半导体层20、发光层30、第1电极60、第2电极40、电流阻挡层50、及电极垫70a、70b。半导体发光元件1还具备绝缘层91、背垫金属92、支撑层93、支撑基板95、及背面电极96。第2半导体层20、发光层30、及第1半导体层10按照该顺序积层而形成半导体层80。半导体层80具有第1半导体层10侧的面80a及第2半导体层20侧的面80b。在以下的说明中，将从第2电极40朝向第1电极60的方向设为Z轴的正方向。将与Z轴方向垂直的1个方向设为X轴方向。将与X轴方向及Z轴方向垂直的方向设为Y轴方向。从第1半导体层10朝向第2半导体层20的方向成为Z轴的负方向。此外，在以下的说明中，在附图的对比上，有时将与X轴方向及Y轴方向平行的方向称为横向，将与Z轴方向平行的方向称为纵向。第1半导体层10具有面10a(第1面)及与面10a为相反侧的面10b(第2面)。此外，面10a为半导体层80的面80a。第1半导体层10例如为导入有成为n型半导体的杂质的n型(第1导电型)半导体的层。n型的半导体层例如为GaN层。第2半导体层20设置在第1半导体层10的面10b侧。第2半导体层20为例如导入有成为p型半导体的杂质的p型(第2导电型)半导体的层。p型的半导体层例如为p型GaN层。发光层30设置在第1半导体层10的面10b侧。发光层30例如具有多重量子井构造。半导体层80的Z方向的厚度例如为1～4μm左右。以下，设为第1半导体层10为n型半导体层，第2半导体层20为p型半导体层而进行说明。此外，半导体层的材料并不限定于所述的具体例，能够使用各种GaN系氮化物半导体或其他III-V族化合物半导体、其他各种化合物半导体等。第1电极60在第1半导体层10的设置有发光层30的一侧，也就是说面10b与第1半导体层10接触，并电连接。在跟第1电极60的与第1半导体层10连接的面为相反侧的面及侧面，设置有绝缘层91。因此，第1电极60与第2半导体层20及发光层30电绝缘。第1电极60由高导电材料，例如包含Al、含Si的Al等的金属、合金而形成。在形成下述电流阻挡层50的情况下，将与第1半导体层10的面10b连接的部分称为第1部分61。将在Z轴方向在第1半导体层10与第1电极60之间形成有电流阻挡层50的第1电极60的部分称为第2部分62。如图1(b)所示，在第1电极60的第1部分61与第2部分62，第2部分62在Z轴的负方向错开而形成，在第1部分61与第2部分62之间产生阶差。第2电极40在Z轴方向，设置在第2半导体层20与支撑基板95之间。第2电极40在半导体层80的面80b侧与第2半导体层20接触，并电连接。第2电极40在与第1电极60相邻的侧面，设置有绝缘层91。第2电极40由高导电材料，例如包含Ag等的金属、合金而形成。支撑基板95具有导电性，例如为Si等半导体基板、或者Cu或CuW等金属基板。支撑基板95支撑半导体层80、第1电极60、及第2电极40等上部构造，使半导体发光元件1与外围器具等构造物稳定连接。在第2电极40与支撑基板95之间设置有背垫金属92，背垫金属92跟与第2半导体层20的面80b为相反侧的面接触。背垫金属92隔着绝缘层91向第1电极60的Z方向的下方延伸而设置。背垫金属92使由半导体层80产生的发光向与支撑基板95相反侧反射而提高发光效率。而且，在背垫金属92与支撑基板95之间，为了吸收背垫金属92的Z方向的凹凸，实现欧姆接合且与支撑基板95连接而设置有支撑层93。支撑层93由焊料埋入层或接合层等而构成。在与支撑基板95的设置有第2电极40的一侧为相反侧的面设置有背面电极96。背面电极96例如由Ti/Pt/Au等而形成，与支撑基板95取得欧姆接合。在第2半导体层20流通的电流通过第2电极40、背垫金属92、支撑层93、支撑基板95、及背面电极96而流通。也就是说，在半导体发光元件1流通的电流在第1电极60与第2电极40之间横向流通，在第2电极40与背面电极96之间纵向流通。此外，半导体发光元件1在刻划或切割前的晶片状态下为了测定电特性，也可在与电极垫70a、70b相同的面设置第2电极用的电极垫72。例如，如图1(a)所示，电极垫72以不使半导体发光元件1的发光效率降低的方式，配置在半导体芯片的角部的位置。如图1(c)所示，第2电极40用的电极垫72利用在第2电极40与电极垫72之间延伸而形成的背垫金属92来电连接。电极垫72的位置或面积并不限定于所述，能够任意地设定，电极垫72的个数也并不限定于1个，也可配置2个以上。另外，电极垫72的形状并不限定于圆形，也可为椭圆状、方形状、三角形或者多边形状等。电流阻挡层50在Z轴方向设置在第1半导体层10与第1电极60之间。电流阻挡层50为与第1电极相比导电率充分低的绝缘层，由绝缘性的材料或者高电阻化的层而形成。作为绝缘性的材料，例如，具有包含氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiON)、氟化锂(LiF)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氧化铪(HfO2)、二氧化锆(ZrO2)、氧化钛(TiO2)、其他氧化物、氮化物、氟化物、或者、这些的混合物的介电材料。在半导体发光元件1中，如果在电极垫70a、70b与第1电极60的连接部位等的容易产生电流集中的部位设置电流阻挡层50，则电子等的载流子(以下，称为电子等)避开电流阻挡层50而流通，所以电子等流通的方向分散，能够抑制配线电阻的上升并抑制电流集中。由此，提供成为均匀性较高的电流分布，实现均匀性较高的发光的半导体发光元件。形成电流阻挡层50的所述介电体从发光效率的观点来看光学上透明度较高，且具有与半导体层80同等或者低的折射率。折射率越低则越理想，也可通过设为泡状或者海绵状而使平均折射率降低。电流阻挡层50由于具有作为全反射镜(TotalInternalReflection：TIR)的功能，所以抑制因第1电极60所致的光的损耗。电流阻挡层50的Z轴方向的厚度理想的是λ/2n以上，但在无法忽视介电体的光吸收的情况下，或者，不期待TIR的效果的情况下，理想的是1nm以上且λ/8n以下。如果厚度为1nm以下，则存在在几个介电体中穿隧电流成为有意的情况。另外，厚度为λ/8n～λ/2n的范围由于因第1电极60所致的光吸收增大，所以不理想。λ为光的波长，n为介电体的λ中的折射率。理想的是，包含非接触性的金属的材料的光学反射率较高。但是，根据材料的组合即便为0.5nm左右的厚度也可发挥功能。如图2所示，在使电流阻挡层50a由高电阻化的层而形成的情况下，在第1电极60与第1半导体层10的接合面，通过将第1半导体层10的一部分预先利用等离子处理、自由基处理、或者离子处理等进行加工而惰性化，妨碍第1电极60与第1半导体层10的接触来实现。在这些情况下，也能够使电流阻挡层50a的厚度与第1电极60的厚度相比充分薄。电流阻挡层50沿着第1电极60而局部地设置，使在第1电极60流通的电子等分散，抑制电流集中。另外，电流阻挡层50在第1电极60形成有由第1部分61及第2部分62所致的阶差。因此，通过施加具有含有在第1电极60流通的电子等的方向，也就是说与电子的运动量矢量的方向的成分不同的方向的成分的运动量矢量的电子流，能够使电迁移的进展降低。而且，电流阻挡层50防止在半导体层80产生的发光被第1电极60吸收，有助于发光效率的提高。绝缘层91设置在背垫金属92与第1电极60之间，将第1电极60与第2电极40电绝缘。绝缘层91也可使用与电流阻挡层50相同的材料形成。电极垫70a、70b为大致四边形状且设置在半导体层80的端部的附近。电极垫70a、70b与第1电极60电连接。电极垫70a、70b例如将接合线接合而将外部电路与第1电极60电连接。此外，在该例中，电极垫设置有2个，但并不限制为2个，既可为1个也可为3个以上。但是，如果设置多个电极垫，则芯片尺寸扩大，所以存在发光效率降低的情况。另外，电极垫的形状并不限定于所述的方形状，能够设为任意的形状，例如，既可为长方形状、三角形状或其他多边形状，或者，也可为圆形或椭圆形等。半导体发光元件1例如为将GaN系氮化物半导体等半导体设为材料的发光二极管(LightEmittingDiode：LED)。半导体发光元件1具有薄膜构造。薄膜构造的半导体发光元件具有将在成长基板上成长的半导体层转印至与成长基板不同的支撑基板95的构造。在半导体发光元件1中，第1电极60及第2电极40均设置在第2面80b侧，在横向导通而流通电流，所以关于以下的半导体发光元件1，存在将横通电型的薄膜构造称为LTF(LateralThin-Film，横向薄膜)构造的情况。设置在半导体发光元件1的第1电极60在观察XY平面时，具有含有线状部分的细线电极构造。此外，也可将第2电极40的形状设为线状。也就是说，第1电极60及第2电极40的任一者具有线状部分。电极的形状也可将框状、梳状、格子状、锯齿状、或者这些几个组合。本实施方式的半导体发光元件1形成为一边的长度为L0的正方形状的半导体芯片。半导体发光元件1具有L0×L0的芯片面积。以下，半导体发光元件1具有与XY平面平行的面，且将4个角中的1个作为原点O。也就是说，半导体发光元件1为具有从原点O起在X轴上的正方向为L0的边、与其对向的长度为L0的边、在Y轴上的正方向为L0的边、与其对向的长度L0的边的半导体芯片。本实施方式的半导体发光元件1的2个电极垫70a、70b具有分别相同的形状及相同的面积，形成一边的长度为Lp的大致正方形状。电极垫70a、70b配置在XY平面上的原点O侧的端部。在Y轴方向的位置，一个电极垫70a的中心配置在y1的位置，另一个电极垫70b的中心配置在y3的位置。电极垫70a、70b的沿着Y轴的与原点O侧对向的边配置在位置x0。半导体发光元件1与XY平面平行具有线状的第1电极60。为了方便起见，将沿着X方向延伸的线状的第1电极60称为横线，将沿着Y方向延伸的线状的第1电极60称为纵线。本实施方式的半导体发光元件1具有含有5根横线的第1电极60a～60e及含有2根纵线的第1电极60f、60g。在本实施方式的半导体发光元件1中，构成横线的第1电极60a～60e大致平行地等间隔离开而配置。更具体而言，第1电极60a～60e的Y坐标分别为y0～y4。y0为半导体发光元件1的下边的Y坐标。y4为半导体发光元件1的上边的坐标。半导体发光元件1的半导体芯片的一边的长度为L0，所以y4－y0≒L0。y2位于将半导体发光元件1的一边在Y轴方向上2等分的位置。y1位于将y2～y0进行2等分的位置。y3位于将y4～y2进行2等分的位置。因此，作为半导体发光元件1的横线的第1电极60a～60e关于与通过坐标y2的X轴平行的线线对称地配置。换句话说，构成横线的第1电极60a～60e相互的间隔为y1－y0＝y2－y1＝y3－y2＝y4－y3。第1电极60b的一端在x0的位置与一个电极垫70a连接。第1电极60d的一端也在x0的位置与另一个电极垫70b连接。构成纵线的第1电极60f、60g大致平行地配置在半导体发光元件1的X轴方向的各自端部的附近。更具体而言，第1电极60f配置在x0的位置，第1电极60g配置在X＝x2的位置。半导体发光元件1的半导体芯片的与X轴平行的一边的长度为L0，所以x2位于从原点O起为L0的位置。第1电极60f、60g各自两端与构成横线的第1电极60a、60e的两端连接。第1电极60g连接有构成横线的第1电极60b、60c、60d的一端。第1电极60f被分割为第1电极60f1、60f2、60f3、60f4。被分割的第1电极60f1的一端在y1－Lp/2的位置与一个电极垫70a连接。第1电极60f1的另一端在坐标(x0、y0)与构成横线的第1电极60a的一端连接。被分割的第1电极60f2的一端在y1+Lp/2的位置与电极垫70a连接。第1电极60f2的另一端与构成横线的第1电极60c的一端连接，并且与第1电极60f3的一端连接。连接位置为y2的位置。被分割的第1电极60f3的另一端在y3－Lp/2的位置与另一个电极垫70b连接。被分割的第1电极60f4的一端在y3+Lp/2的位置与电极垫70b连接，第1电极的另一端在y4的位置与构成横线的第1电极60e的一端连接。构成横线的第1电极60a～60e从与纵线的连接位置及电极垫的连接位置朝向X轴的正方向，以Y轴方向的长度，也就是说第1电极60a～60e的宽度变窄的方式形成。第1电极60a～60e的宽度从位置x0到X轴的特定的位置x1为止逐渐变窄，但在比位置x1靠X轴的正方向保持固定。构成纵线的第1电极60f1～60f4以在与电极垫70a、70b的连接位置的附近变宽，随着远离电极垫70a、70b沿着延伸方向而宽度逐渐变窄的方式形成。更具体而言，在位置y1与位置y0之间的区间l1、位置y2与位置y1之间的区间l2、位置y3与位置y2的区间l3、及位置y4与位置y3之间的区间l4，为固定的宽度wa。另外，横线的位置x1到位置x2的部分与构成纵线的第1电极60g全部具有固定的宽度wb。因此，由位置x1到x2为止的第1电极60a、60b与位置y0到y1为止的第1电极60g而形成的区间l5全部为固定的宽度wb。在区间l6～l8中，全部为固定的宽度wb。此外，构成横线的第1电极60a～60e在Y轴方向等间隔地配置，所以属于所述的固定的宽度wb的区间l5～l8的第1电极的长度设定为相互相等。另外，关于固定的宽度wa的区间l1～l4，属于这些区间的第1电极的长度也以相互相等的方式设定。关于这些区间的各自的长度，能够根据电流密度分布等而任意地设定。此外，由于第1电极60形成为线状，所以在本说明书中在第1电极的宽度的情况下，定义为与第1电极线状地延伸的方向垂直的方向的长度。例如，构成横线的第1电极60a～60e沿着X轴方向延伸，所以第1电极60a～60e的宽度为Y轴方向的长度。构成纵线的第1电极60f、60g沿着Y轴方向延伸，所以第1电极60f、60g的宽度为X轴方向的长度。在本实施方式的半导体发光元件1中，电流阻挡层50设置在电极垫70a、70b与第1电极60f1、60b、60f2、60f3、60d、60f4的连接位置的附近。另外，电流阻挡层50以包围半导体发光元件1的外周的方式设置。例如，形成在第1电极60b、60d上的电流阻挡层50从位置x0延伸到xb为止。在位置x0到xb为止的范围中，以覆盖第1电极60b、60d的方式设置。在将位置x0到xb为止的长度设为Lb时，设置在电极垫70a与第1电极60f1的连接位置的电流阻挡层50的Y轴方向的长度也设定为Lb。同样地，设置在电极垫70a与第1电极60f2之间的连接位置的电流阻挡层50的Y轴方向的长度也为Lb。设置在与电极垫70b的连接位置的电流阻挡层50的Y轴方向的长度也为Lb。如图3(a)所示，电流阻挡层50以覆盖构成设置在半导体发光元件1的外周部的纵线的第1电极60g的更外周部的方式形成。如图3(b)所示，第1电极60以到X轴的正方向的位置x1为止宽度变窄的方式形成，在比x1靠X轴的正方向为固定的宽度。此时的第1电极的宽度wb设定为与图3(a)的第1电极60g的宽度wb相等。其次，对本实施方式的半导体发光元件1的动作原理进行说明。近年来，半导体发光元件随着半导体层的高品质化，而以高电流密度驱动时的发光效率提高，进一步的大输出化、芯片小型化的要求强烈。例如，以1～2mm见方左右的芯片尺寸实用化至额定3A左右，为了提高发光效率，必须使电流密度进一步提高。为了使每个芯片的电流密度提高，而使将电流供给至第1半导体层及第2半导体层各者的电极的宽度扩大而流通大电流，并且使电流密度均等化，由此必须防止电迁移以提高可靠性。另一方面，即便在使输出光的一侧的电极、多数情况下为与第1半导体层(n型半导体层)连接的第1电极的电极宽度扩大的情况下，也必须不妨碍光输出。因此，无法遍及发光面的整个面而使第1电极的电极宽度扩大。一般而言，从第1电极60流入的电子的流通在电极垫70a、70b附近较大，随着远离电极垫70a、70b，而电子分流至活性层，所以变小。因此，通过设为如在与电极垫70a、70b连接的位置的附近使第1电极60的电极宽度扩大，随着远离电极垫70a、70b而使第1电极60的电极宽度变小的电极形状，能够谋求电流密度的均等化。如图4(a)所示，第1电极60在位置x0与电极垫70连接，且延伸到位置x3为止。位置x0中的第1电极60的宽度为wa，位置x3中的宽度为比wa小的wb。在该例中，在位置x3，宽度wb＝0。在该例中，在位置x0到x3，第1电极60的宽度以大致固定的比率减少的方式设定。换句话说，第1电极60的缘部形成为直线状。认为随着第1电极60的宽度的减少，而与第1电极60的每单位长度的第1半导体层10的接触面积减少，所以电子向半导体层80分流的比率减少。因此，如图4(b)所示，第1电极60的宽度也可以随着远离电极垫70，而减少的比率变小的方式设定。如果在第1电极60的端部附近接触面消失，则电流注入量极端减少。因此，如图4(a)及图4(b)所示，在第1电极60的端部中，以第1电极60的宽度成为0的方式设定从发光效率的观点来看存在不理想的情况。因此，如图4(c)所示，理想的是，在与电极垫70的连接位置x0与第1电极60的端部x3之间，设置位置x1，在位置x0到x1，使第1电极60的宽度逐渐减少，在位置x1到x3，以位置x1中的宽度wb固定地设定。在本实施方式的半导体发光元件1中，能够将电流阻挡层50设置为任意的形状、任意的位置。通过将电流阻挡层50设置在电流密度上升的部位，能够更有效地抑制电流密度的上升。认为在电极垫70a、70b与第1电极60的连接位置附近，如上所述电流密度变得最高，所以通过设置电流阻挡层50能够进而有效地抑制电流密度的上升。其次，一面与比较例的半导体发光元件进行比较，一面对本实施方式的半导体发光元件1的作用与效果进行说明。图5是例示比较例的半导体发光元件100的透视俯视图。图6(a)是例示本实施方式的半导体发光元件1的电流密度分布的图形(graph)，图6(b)是例示比较例的半导体发光元件100的电流密度分布的图形。如图5所示，比较例的半导体发光元件100具备线状的第1电极160a～160g。此外，关于比较例的半导体发光元件100的截面构造，在本实施方式的半导体发光元件1的截面构造中除了电流阻挡层50以外为相同。另外，比较例的半导体发光元件100具有L0×L0的大致正方形状的半导体芯片。构成横线的第1电极160a～160e与X轴平行地大致等间隔地配置。在比较例的半导体发光元件100中，电极垫170a、170b配置在原点O侧的上下端部。构成纵线的第1电极160f是一端与电极垫170a连接，并且与第1电极160a的一端连接。第1电极160f的另一端与另一个电极垫170b连接，并且与第1电极160e的一端连接。构成纵线的第1电极160g是一端与第1电极160a的另一端连接，另一端与第1电极160e的另一端连接。第1电极160b～160d的一端与第1电极160f分别连接，另一端与第1电极160g分别连接。在半导体发光元件100的外周，形成有与电极垫170a、170b分别连接的第1电极160(未图示)，沿着该第1电极形成有电流阻挡层150。此外，在该比较例的半导体发光元件100的例中，第2电极160用的电极垫172配置在与配置有第1电极垫170a、170b的边对向的位置的边的角部。如图5所示，在比较例的半导体发光元件100中，第1电极160a～160g具有沿着延伸的方向具有具有相同的宽度的线状构造。另外，在外周部以外未形成电流阻挡层150。如图6(a)所示，在本实施方式的半导体发光元件1中，在电流阻挡层50与第1电极60的交界附近，也就是说，b区域中电流密度最高，电流密度最大为400kA/cm2。在c区域中，电流密度为200kA/cm2以下，在d区域中，电流密度为100kA/cm2。此外，在第1电极的周围的发光层区域中，在第1电极60的弯曲部，例如，第1电极60a与第1电极60f1的连接部分(a区域)中，存在电流密度超过200kA/cm2的部分。在发光层区域的其他部分，电流密度为200kA/cm2以下。另一方面，如图6(b)所示，在比较例的半导体发光元件100中，在第1电极的电极垫附近的g区域中，电流密度超过1000kA/cm2。在f区域中，也超过600kA/cm2，在e区域中，超过400kA/cm2。此外，在图6(a)中，将第2电极用的电极垫72除外进行模拟。另外，在关于以下所说明的变化例或其他实施方式的电流密度分布图形中，也适当将电极垫72除外进行模拟。本实施方式的半导体发光元件1及比较例的半导体发光元件100均为1.4mm见方的芯片尺寸，各电极垫为100μ/m见方的正方形。另外，第1电极的厚度均为1.8μm。第1电极由Al构成，将电阻率设为2.8μΩcm。作为驱动电流考虑流通1.5A的情况。首先，对比较例的半导体发光元件100的情况进行考察。比较例的半导体发光元件100的第1电极160的宽度设定为一般而言使用的15μm。比较例的半导体发光元件100具有2个电极垫170a、170b，且在各者连接有各2根第1电极160。因此，第1电极160的电极宽度的合计为60μm，第1电极内的最大电流密度超过1390kA/qm2(＝1.5A/(60μm×1.8μm))。在图5的第1电极的图案中，如果假设为将电流均等地分支到5根横线，则各横线内的电流密度为1110kA/cm2以上。另外，此时，纵线的电流密度超过1670kA/cm2。因此，由该部分的焦耳热所致的发热的密度(电力密度)超过1400W/cm2。另外，考虑具体的应用事例，在作为LED的消耗电力采用5W的情况下，平均电力密度为357W/cm2。并且，如果将由涂布有荧光体的外围器具覆盖此种LED作为白色LED的情况下的电力转换效率设为妥当的值采用40％，则该LED的平均的发热密度为214W/cm2。因此，所述计算的第1电极的发热密度达到发光部的发热密度的6.5倍(＝1400/214)，可靠性上会产生问题。在作为可靠性上的考虑，考虑电迁移的情况下，Al电极的容许值为200kA/cm2为极限。因此，在比较例的半导体发光元件100中，会存在超过该8倍的部分。作为第1电极的材料使用Si含有Al(AlSi)，由此能够使电迁移耐性提高，但即便在该情况下，容许值也为400kA/cm2，根据所述计算结果，依然存在4倍的差异。在图6(b)的模拟结果中，在较多的部分中，也能够观测超过400kA/cm2的电流密度。在本实施方式的半导体发光元件1中，相对于比较例的半导体发光元件100，增加与每1个电极垫连接的第1电极的数量，由此使向电极垫的连接位置附近的电流流通的截面面积扩大。在本实施方式的半导体发光元件1中，为了从电极垫70a、70b的各者三方连接第1电极60，而将电极垫70a、70b的位置设为y1、y3的位置。此处，位置y1为与Y轴平行的内分为长度L0的边1：3的位置，位置y3为与Y轴平行的内分为长度L0的边3：1的位置。在本实施方式的半导体发光元件1中，与电极垫70a、70b连接的第1电极60的一端的电极宽度wa设为50μm。因此，在比较例的半导体发光元件100中，在电流密度最大的部位中，电流密度成为比较例的半导体发光元件100的1/5(＝60μm/(50μ×6))。而且，在电极垫70a、70b与第1电极60的连接位置设置电流阻挡层50，使电子流通的方向分散防止电流集中，由此实现了进一步的电流密度的降低。如此一来，在本实施方式的半导体发光元件1中，实现了使第1电极60内的电流密度为400kA/cm2以下。在考虑抑制电迁移的产生的情况下，作为第1电极60使用AlSi，由此能够达成充分的可靠性。另外，通过使最小的电极宽度wb＝10μm，即便在远离电极垫70a、70b的部位也能够将电流供给至半导体层80，所以能够实现电流密度的均等化。此外，关于最小的电极宽度，为了避免在第1电极60与第1半导体层10的接触面中产生局部的电流密度上升，而理想的是设为4μm以上，或者，第1电极60的厚度的2倍以上。这样，在本实施方式的半导体发光元件1中，随着远离电极垫70a、70b，而第1电极60的宽度变窄，所以能够将发光面积的减少抑制得较小，从而能够提高发光效率。另外，在本实施方式的半导体发光元件1中，第1电极60及电极垫70a、70b以相对于将半导体芯片的对向的两边2等分的线段而线对称的方式配置。并且，也相对于将各电极垫70a及电极垫70b的对向的两边2等分的线段，而第1电极60a～60c及第1电极60c～60e分别线对称地配置。因此，电流密度分布均等化，大电流的驱动成为可能。而且，在本实施方式的半导体发光元件1中，在电流密度局部变高的部分，也就是说电极垫70a、70b与第1电极60的连接部的附近设置有电流阻挡层50。在形成有电流阻挡层50的第1电极60的部分，电子流因由电流阻挡层50而形成的第1电极60的阶差而散射，运动量矢量的大小变小。因此，不容易在该部分产生电流集中，电流密度的增大得到抑制。(第1实施方式的变化例1)图7(a)是例示第1实施方式的变化例1的半导体发光元件的透视俯视图。图7(b)是图7(a)的E-E'线中的剖视图。在第1实施方式的半导体发光元件1中，通过使用背面电极而取出来自第2电极的电流，但也可不使用背面电极，而使用设置在与第1电极用的电极垫相同的面的电极垫来取出电流。如图7(a)所示，在本变化例的半导体发光元件1a中，构成横线的第1电极60a～60e大致等间隔地离开而配置。构成纵线的60f、60g大致平行地配置在半导体发光元件1a的X轴方向的各端部的附近。在本实施方式的半导体发光元件1a中，第2电极40用的电极垫72b配置在将构成纵线的第1电极60g分割的第1电极60g1、60g2之间，且电极垫72a配置在第1电极60g2、60g3之间的方面与第1实施方式的半导体发光元件1不同。为了在该位置配置第2电极40用的电极垫72，而使构成横线的第1电极60b、60d的X轴方向的长度比构成另一横线的第1电极60a、60b、60d、60e的X轴方向的长度短。如图7(b)所示，第2电极40用的电极垫72a、72b利用延伸而形成的背垫金属92分别与第2电极40电连接。在本变化例中，不进行利用背面电极的电流取出，所以不在支撑基板95a形成背面电极。另外，支撑基板95a不与第2电极40电连接，所以由绝缘性的材料而形成。例如，支撑基板95a能够使用氮化铝(AlN)等陶瓷基板。此外，为了更加提高导热率也可使用具有良导热率的导电材料作为支撑基板95a，在该情况下，支撑基板95a隔着绝缘层而与支撑层93连接。在本变化例的半导体发光元件1a中，在第1电极60与第2电极40之间流通的电流在横向流通，并且向横向拉出而与外部电路连接。在本变化例的半导体发光元件1a中，支撑基板95a不包含在电流路径。在本变化例的半导体发光元件1a中，能够在金属制的高散热基板与其他半导体芯片一起直接混载安装。作为用于支撑基板95a的材料使用AlN陶瓷等具有高导热率的材料，由此能够降低热电阻，所以能够施加大电力，能够提高发光效率。(第1实施方式的变化例2)在第1实施方式的半导体发光元件1中，在电极垫70a、70b与第1电极60的连接部的附近设置有电流阻挡层50。通过研究该电流阻挡层50的形状，能够使电迁移耐性更加提高。图8(a)～图8(e)是例示第1实施方式的变化例2的半导体发光元件的一部分的俯视图。如图8(a)所示，本变化例1的半导体发光元件1a的第1电极60在位置x0，与电极垫70连接。在位置x0，第1电极60的宽度为wa。第1电极60沿着X轴方向，延伸至位置x3为止。位置x3中的第1电极60的宽度为wb＝0。第1电极60的宽度以固定比率减少。电流阻挡层50设置在第1电极60上的一部分。第1电极60与电流阻挡层50在位置x1到x4为止，以覆盖第1电极60的方式形成。第1电极60与电流阻挡层50以相对于中心线c1成为线对称的方式配置。电流阻挡层50在位置x4到x5，含有具有从第1电极60的Y轴上的中心线c1朝向第1电极60的缘部的角度θ1的部分。角度θ1是中心线c1与将位置x4中的中心线c1上的位置及位置x5中的第1电极60的缘部的位置连接的线段所成的角度。在使用绝缘层形成电流阻挡层50的步骤中，容易在将电流阻挡层50形成在第1电极60上之后利用掩模图案将电流阻挡层50形成为该形状。图8(b)表示形成在第1电极60上的电流阻挡层50的形状的另一例。第1电极60的形状与图8(a)的情况相同。电流阻挡层50以朝向位置x5，以比第1电极60大的比率使宽度减少的方式形成。角度θ2是中心线c1与将位置x0中的第1电极60的缘部的位置及位置x5中的中心线c1上的位置连接的线段所成的角度。此种电流阻挡层50的形状适合于形成用以使用离子注入等，使第1半导体层10与第1电极60的接触面惰性化等而形成电流阻挡层50的掩模图案的情况。认为电迁移是因为在电极等导体具有弯曲的部分或存在阶差的部分的情况下，在导体流通的电子的流动的矢量急剧变化，对构成该导体的金属原子赋予较大的运动量矢量而产生。因此，有效的是，在电流阻挡层50的缘部，相对于电子流的方向预先附加角度，由此使电子流的方向的运动量矢量的大小变小。在所述例中，相对于电子等流通的方向，电流阻挡层50的缘部具有角度而形成。因此，关于一方向的电子等的运动量矢量变小，能够减轻构成第1电极60的金属原子所受的运动量，从而抑制电迁移的产生。为了以使电子流的流动方向不急剧地变化，有效地抑制电迁移的产生，而理想的是设为θ1、θ2≦30°。如图8(c)所示，电流阻挡层50也可以具有与在第1电极60流通的电子等的流通的方向平行的部分的方式构成。电流阻挡层50在位置x0到x6为止，覆盖第1电极60。电流阻挡层50在位置x6到x5为止，沿着第1电极60的X轴方向的缘部而与X轴平行地形成，且不形成在第1电极60的Y轴方向的中心部。这样，即便电流阻挡层50沿着电子等流通的方向而形成，也在第1电极60的截面内(例如图1(b)等)，在Z轴方向具有阶差，所以产生与电子等流通的方向不同的方向的运动量矢量，沿着电子等流通的方向的运动量矢量变小，所以电迁移耐性提高。电流阻挡层50的形状并不限定于如上所述的相对于中心线c1而线对称的情况。如图8(d)所示，电流阻挡层50也可以在第1电极60上以比第1电极60的宽度的变化的比率大的变化的比率而宽度变小的方式设定。也就是说，也可以第1电极60在位置x3电极的宽度最小，电流阻挡层50在位置x0与x3之间的位置x5宽度最小的方式设定。另外，如图8(e)所示，也可以在位置x5宽度阶梯状地变化。如上所述，通过使电流阻挡层50的形状相对于电流流通的方向具有角度，或改变与电流流通的方向垂直的截面的截面面积而实质上设置阶差，能够使电流流通的方向的运动量矢量的大小变小。因此，即便在流通相同的电流的情况下，也能够提高电迁移的耐性。此外，所谓电子等流通的方向，是指朝向产生电位差的方向的方向，但在本变化例的情况下，电流从电极垫70a、70b向第1电极60流出或者流入，到达远离第1电极60的电极垫70a、70b的位置。因此，可认为电流流通的方向为第1电极60延伸的方向。(第1实施方式的变化例3)图9是例示第1实施方式的变化例3的半导体发光元件的透视俯视图。图10(a)是图9的F部的放大图。图10(b)是图9的G部的放大图。本变化例2的半导体发光元件1b是第1电极60a及60e的形状与电流阻挡层50的形状与第1实施方式的半导体发光元件1不同。关于与第1实施方式的半导体发光元件1相同的部分，标注相同的符号并省略详细的说明。如图9所示，在本变化例的半导体发光元件1b中，构成横线的第1电极60a～60e中配置在Y轴上的位置y0的第1电极60a及配置在位置y4的第1电极60e在位置x0到x6为止宽度变化。分别配置在位置y1、y2、y3的第1电极60b、60c、60d在位置x0到x1为止宽度变化。位置x6位于位置x0与x1之间。也就是说，配置在半导体发光元件1a的上边与下边的第1电极60a、60e的宽度以比配置在这些之间的第1电极60b、60c、60d的宽度大的比率变窄的方式设定。在该例中，区间l5的长度与区间l8的长度相等，区间l6的长度与区间l7的长度相等，区间l5、l8的长度以比区间l6、l7的长度长的方式设定。此外，区间l1～l4的长度与第1实施方式的半导体发光元件1的情况相同。另外，如图10(a)所示，电流阻挡层50以覆盖第1电极60b、60c、60d与第1电极60g分别连接的交点的位置的方式设置。如图10(b)所示，在形成在外周的第1电极60a、60e上的最外周设置有电流阻挡层50。相对于图6(a)所示的电流密度分布，变更为所述形状，由此能够使电流密度分布更加均等。(第1实施方式的变化例4)图11(a)及图11(b)是例示第1实施方式的变化例4的半导体发光元件的透视俯视图。如图11(a)所示，在本变化例的半导体发光元件1c中，电极垫70a、70b配置在半导体发光元件1c的下边及上边。存在电极垫70a、70b的位置由搭载有半导体芯片的外围器具的构造等而限制的情况。在第1实施方式的半导体发光元件1中，从电极垫70a、70b的三边连接第1电极60而使电流密度降低，但在因外围器具构造等的限制，而无法配置在此种位置的情况下，例如，也可以将与电极垫70a、70b的连接位置的第1电极60的宽度进而扩大而连接。此处，考虑在构成纵线的第1电极60f2、60f3中不流通较大的电流，所以也可以将第1电极60f2、60f3的宽度设定得窄。另外，如图11(b)所示，也可以使半导体发光元件1d的第1电极60b、60d在位置x0到x7为止从电极垫70a、70b分别具有大致45°、-45°的倾斜而延伸，在位置x7到x2为止与X轴平行的方式延伸。这样，通过包含倾斜配置的第1电极60，能够使第1电极60向电极垫70a、70b的连接数量实质上增大，从而能够抑制向电极垫的连接部分中的电流密度增大。在由相同的次元构成图1(a)及图6(a)所示的第1实施方式的半导体发光元件1与图11(a)的变化例的半导体发光元件1c的情况下，半导体发光元件1c的第1电极60内的最大电流密度为480kA/cm2，发热密度为116W/cm2。另外，在与比较例的半导体发光元件100的发光面积进行比较的情况下，本变化例的半导体发光元件1c的发光层面积只不过减少2.5％。在图11(b)的半导体发光元件1d的情况下，进而改善，第1电极60内的最大电流密度为440kA/cm2，发热密度为97.6W/cm2。发光层的面积的降低也只不过为1.5％。(第1实施方式的变化例5)关于第1电极的宽度，能够根据电流密度而任意地设定。图12(a)及图12(b)是例示第1实施方式的变化例5的半导体发光元件的透视俯视图。如图12(a)所示，在本变化例的半导体发光元件1e中，将与电极垫70a、70b的连接部中的第1电极60的宽度设定得宽。更具体而言，设定为第1实施方式的半导体发光元件1的第1电极60的宽度的2倍的wa＝100μm。此外，宽度最窄的部分的位置为x1，宽度wb＝10μm。这些与第1实施方式的半导体发光元件1的情况相同。该情况下的第1电极60内的最大电流密度为400kA/cm2，能够使用Al作为电极材料。如图12(b)所示，在本变化例的半导体发光元件1f中，将与电极垫70a、70b的连接部中的第1电极的宽度设定得窄。设定为比第1实施方式的半导体发光元件1的第1电极的宽度wa窄的30μm。最窄的部分的宽度为wb＝10μm。该情况下的第1电极60内的最大电流密度为600kA/cm2。像该变化例的半导体发光元件1e、1f一样，第1电极60的宽度能够根据处理的驱动电流值或电流密度而任意地设定。(第1实施方式的变化例6)在所述第1实施方式及其变化例中，将构成横线的第1电极60a～60e的数量全部设为5根。第1电极的数量能够根据驱动电流值或电流密度而任意地设定。图13(a)是例示第1实施方式的变化例6的半导体发光元件的透视俯视图。图13(b)及图13(c)是图13(a)的H-H'线中的剖视图。图14(a)～图14(c)是例示本变化的半导体发光元件的另一例的透视俯视图。图15(a)～图15(d)是表示本变化例的半导体发光元件的电流密度分布的图形。如图13(a)所示，本变化例5的半导体发光元件1g具有构成横线的6根第1电极60a～60e、60h。第1电极60a～60e、60h与X轴平行地配置，且在Y轴方向以均等的间隔而配置。第1电极60a～60e、60h在Y坐标中配置在y0、y1、y2、y3、y4、y5的位置。y1－y0＝y2－y1＝y3－y2＝y4－y3＝y5－y4。第1电极60a配置在Y轴的最下边，第1电极60h配置在Y轴的最上边。构成纵线的60f、60g与Y轴平行地配置。第1电极60f、60g的两端分别连接在第1电极60a、60h的两端。构成纵线的第1电极60f进而被分为5个部分。第1电极60f1是一端连接在电极垫70a，另一端连接在第1电极60a的一端。第1电极60f2是一端连接在电极垫70a，另一端连接在第1电极60c的一端，并且连接在第1电极60f3的一端。第1电极60f3的另一端连接在第1电极60d的一端，并且连接在第1电极60f4的一端。第1电极60f4的另一端连接在电极垫70b。第1电极60f5的一端连接在电极垫70b，另一端连接在第1电极60h的一端。本变化例的半导体发光元件1g具备电流阻挡层50。电流阻挡层50设置在第1电极60与电极垫70a、70b的连接位置附近、第1电极60的弯曲部、及外周部。此外，如图13(a)所示，关于存在电流密度变高的倾向的电极垫70a、70b附近与接近电极垫70a、70b的弯曲部，具备如图8(a)所示的相对于电流的流通方向具有角度而形成的电流阻挡层50。如上所述，关于配置电流阻挡层50的部位或形状，能够根据电流密度分布等而任意地设定。另外，如图13(b)所示，在第1电极60的截面构造中，在未形成电流阻挡层50的第1部分61与形成有电流阻挡层50的第2部分62在Z轴方向产生阶差。与第1实施方式的半导体发光元件1的情况相同，由于该阶差，而电子流散射，在形成有电流阻挡层50的部位抑制电流集中，从而能够提高电迁移耐性。如图13(c)所示，关于代替介电层由惰性层形成高电阻层的电流阻挡层50a的情况下，也与第1实施方式的半导体发光元件1相同，能够在形成有电流阻挡层50a的部分中提高电迁移耐性。在半导体发光元件1g中，第1电极60a～60c、60f1、60f2及第1电极60d、60e、60h、60f4、60f5相对于与分别包含y1及y4的X轴平行的中心线而线对称地构成。另外，也相对于与包含(y3+y2)/2的X轴平行的中心线而线对称地构成。因此，考虑在将第1电极60a～60c、60f1、60f2及第1电极60d、60e、60h、60f4、60f5连接的第1电极60f3中几乎不流通电流。因此，如图14(a)所示，在半导体发光元件1h中，也可形成为删除了第1电极60f3的第1电极图案。在半导体发光元件1h中，仅至少将第1电极60f3去除则发光面积扩大，发光效率提高。在半导体发光元件的外周，形成有被称为电流扩散层的导体层，导体层通常包含电极垫70a、70b且不与任何部位连接。如图14(b)所示，将该导体层与最下边的第1电极60a、最上边的第1电极60h、构成纵线的第1电极60f、60g共用，使发光面全部由第1电极60包围，在半导体发光元件1k中，能够提高发光效率。如图14(c)所示，通过将由于位于外周而发光区域的发光效率降低的部位的第1电极60k的宽度扩大流通电流，而在半导体发光元件1m中，能够提高发光效率。图15(a)是表示图13(a)所示的半导体发光元件1g的电流密度分布的图形。增加横线的结果表示400kA/cm2以下的b区域的部分减少。另外，也一并表示相当于第1电极60f3的部位的电流密度较低。图15(b)是表示图14(a)所示的半导体发光元件1h的电流密度分布的图形。表示存在通过将第1电极60f3去除，而在电极垫70a、70b之间在X轴方向的端部发光减少的部分。图15(c)是表示图14(b)所示的半导体发光元件1k的电流密度分布的图形。表示成为所有第1电极60内的电流密度为200kA/cm2的c区域，发光也均等。图15(d)是表示图14(c)所示的半导体发光元件1m的电流密度分布的图形。表示在半导体发光元件1h中发光量降低的部分的发光提高。如此一来，在本实施方式及其变化例的半导体发光元件中，能够根据处理驱动电流及电流密度分布，抑制电流密度分布的分布不均，使发光量均等化。在本实施方式及其变化例中，对应用于第1电极60形成在第1半导体层10的形成有发光层30的一侧，第1电极60与第2电极40之间的电流成为横向的横型的电极构造的情况进行了说明。在此种横型的电极构造中，为了使电流密度降低，使发热密度降低，而使第1电极的厚度变厚，由此存在难以使电迁移耐性提高的情况，在该情况下有效。以下，主要对第1实施方式的半导体发光元件1的制造方法的一例进行说明。关于各变化例及下述另一实施方式的半导体发光元件也同样适用。在成长用基板上，使包含氮化物半导体的第1半导体层10、发光层30及第2半导体层20依序结晶成长而形成半导体层80。成长用基板例如使用Si。使用真空蒸镀法或者溅镀法，使金属膜成膜。使用抗蚀剂掩模等将金属膜图案化为特定的形状，形成第2电极40。将抗蚀剂涂布在第2半导体层20上，使用光刻法等，进行图案化，在半导体层80设置开口部。然后，利用反应性离子蚀刻(ReactiveIonEtching；RIE)，对第2半导体层20、发光层30及第1半导体层10的一部分进行蚀刻。由此，使第1半导体层10的一部分露出。使用等离子CVD(ChemicalVaporDeposition，化学气相沉积)法或溅镀法，在开口部使绝缘膜成膜。使用抗蚀剂掩模等将绝缘膜图案化为特定的形状，形成电流阻挡层50及绝缘层91的一部分。理想的是，绝缘膜的成膜在例如300度以下的温度中进行，能够抑制第2电极40的反射率的劣化或接触电阻的劣化。使用剥离法，以覆盖已露出的第1半导体层10、电流阻挡层50及绝缘层91的方式形成第1电极60。以覆盖第1电极60的方式形成绝缘层91的一部分。该绝缘层91设置在第2电极40与第1电极60之间。然后，在第2电极40及绝缘层91上，积层背垫金属92、支撑层93等。对成长用基板进行研磨，进行旋转蚀刻，由此将成长用基板去除，与支撑基板95连接。然后，在半导体层80的端部的附近，形成与第1电极60电连接的电极垫70a、70b、72，在支撑基板95的背面形成背面电极96。这样，本实施方式的半导体发光元件1能够使用周知的技术来制造。(第2实施方式)如上所述，关于对横型的电极构造适用的情况进行了叙述，但能够也对于具有纵型的电极构造的半导体发光元件适用。图16(a)是例示第2实施方式的半导体发光元件的透视俯视图。图16(b)是图16(a)的K-K'线中的剖视图。图17是表示第2实施方式的半导体发光元件的电流密度分布的图形。如图16(a)及图16(b)所示，本实施方式的半导体发光元件1n具备第1半导体层10、第2半导体层20、发光层30、第1电极60、第2电极40、电流阻挡层50、及电极垫70a、70b。第1电极60设置在与第1半导体层10的形成有发光层30的面为相反侧的面80a上。第2电极40设置在半导体层80的另一个面80b，也就是说与第2半导体层20的形成有发光层30的面为相反侧的面。电流阻挡层50设置在第1半导体层10与第1电极60之间。因此，本实施方式的半导体发光元件1m是按照第2电极40、第2半导体层20、发光层30、第1半导体层10、电流阻挡层50、及第1电极60的顺序在Z方向积层。本实施方式的半导体发光元件1n中，也能够根据通电的驱动电流值或电流密度来任意地设定第1电极60的形状、配置。另外，关于电流阻挡层50的形状或配置的部位也能够任意地设定。在图16(a)所示的例中，第1电极60的XY平面中的形状与图11(a)所示的第1电极60的图案大致相同。在图16(a)所示的例中，电流阻挡层50以全部包围第1电极60的周围的方式设定。如图17所示，在第1电极60内无超过400kA/cm2(b区域)的部分，实现了均等的发光量。(第2实施方式的变化例)图18(a)及图18(b)是第2实施方式的变化例的半导体发光元件的透视俯视图。图18(c)及图18(d)是表示第2实施方式的变化例的半导体发光元件的电流密度分布的图形。图18(c)与图18(a)对应，图18(d)与图18(b)对应。在本实施方式的半导体发光元件1n中，能够任意地设定第1电极60的形状或配置。如图18(a)所示，在半导体发光元件1p中，也可将构成纵线的第1电极60g上下分离，从构成横线的第1电极60b、60c、60d也分离。另外，如图18(b)所示，在半导体发光元件1q中，也可将构成纵线的第1电极60g删除，使构成横线的第1电极60a～60e的前端的宽度扩大。如图18(c)及图18(d)所示，根据本变化例，能够使第1电极60内的电流密度不超过400kA/cm2，也能够使发光量均等。此外，关于本实施方式及其变化例的半导体发光元件的情况下，关于第1电极60的宽度等的形状或数量、电流阻挡层50的形成位置或形状等，也与第1实施方式的半导体发光元件的情况下相同，能够根据电流密度分布等任意地设定。(第3实施方式)如上所述，不管为纵型的电极构造，还是为横型的电极构造，均通过应用第1电极60的形状及电流阻挡层50的形状或配置，能够使电流密度分布、发光量均等化，抑制由电流集中所致的电迁移等的可靠性的劣化。也能够应用于在一侧配置电极的倒装芯片构造的半导体发光元件。图19是例示第3实施方式的半导体发光元件的主要部的剖视图。如图19所示，本实施方式的半导体发光元件1r具备第1半导体层10、第2半导体层20、发光层30、第1电极60、第2电极40、电流阻挡层50、及电极垫70(未图示)。与第1及第2实施方式的半导体发光元件1等的不同方面在于，在半导体层80上的面80a设置基板99，及不设置支撑层93与绝缘层91。图19的剖视图与图1(b)的剖视图对应，除了在半导体层80上设置基板99，及不设置支撑层93与绝缘层91以外，与图1(a)的半导体发光元件1大致相同，省略详细的说明。即便为具有倒装芯片构造的电极构造的半导体发光元件1r，也为使与电极垫70的连接部的宽度扩大的第1电极，以随着远离电极垫而宽度变窄的方式设定，由此能够使通电电流变大且抑制电流密度的上升并谋求可靠性的提高。由于第1电极的宽度随着远离电极垫而变窄，所以能够抑制发光面积的降低，提高发光效率。另外，通过设置电流阻挡层50，能够使电流密度变大的部位的电子流的流通的方向分散，有助于电流密度的均等化。因此，能够维持并提高半导体发光元件1r的可靠性，且谋求发光效率的提高。此外，在本说明书中，所谓“氮化物半导体”，是指包含在BxInyAlzGa1-x-y-zN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z≦1)的化学式中使组成比x、y及z在各自的范围内变化的所有组成的半导体。另外，而且，在所述化学式中，也还包含N(氮)以外的V族元素的物质、还包含为了控制导电型等各种物性而添加的各种元素的物质、及还包含未意图地包含的各种元素的物质也包含在“氮化物半导体”中。此外，在本申请说明书中，“垂直”及“平行”并不仅是严格的垂直及严格的平行，例如包含制造步骤中的偏差等，只要实质上垂直及实质上平行即可。以上，一面参照具体例，一面对本发明的实施方式进行了说明。然而，本发明并不限定于这些具体例。另外，将各具体例的任意2个以上的要素在技术上可能的范围组合而成者只要包含本发明的主旨则包含在本发明的范围中。对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为示例而提示的，并不意图限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式实施，能够在不脱离发明的主旨的范围内，进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变化包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明与其均等的范围中。[符号的说明]1、1a～1r半导体发光元件10第1半导体层10a、10b面20第2半导体层30发光层40第2电极50、50a电流阻挡层60、60a～60k第1电极70、70a、70b、72、72a、72b电极垫80半导体层80a、80b面91绝缘层92背垫金属93支撑层95、95a支撑基板96背面电极a～e区域100半导体发光元件150电流阻挡层160、160a～160g第1电极170a、170b电极垫