一种cmos硅片裂片的处理装置制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种cmos硅片裂片的处理装置，所述处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二PVC透明片。本实用新型能够大大提高硅片裂片的拆分效率，同时不划伤硅片表面，且不会产生崩边及摩擦产生静电现象。
【专利说明】—种cmos硅片裂片的处理装置
【【技术领域】】
[0001]本实用新型涉及一种cmos硅片裂片的处理装置。
【【背景技术】】
[0002]CMOS 是 Complementary Metal Oxide Semiconductor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的，其采用有硅片结构。
[0003]现有硅片裂片的拆分一般是将制作好的带有横竖切割道的一整片硅片，人工按整片硅片上的切割道进行滑动然后拆解下硅片裂片，效率十分的低，人工成本高，并且操作时容易划伤硅片，且会产生崩边及摩擦产生静电现象。同时拆解下来的硅片裂片堆放无规律，挑片耗时长。
【
【发明内容】
】
[0004]本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种cmos硅片裂片的处理装置，能够大大提高硅片裂片的拆分效率，同时不划伤硅片表面，且不会产生崩边及摩擦产生静电现象。
[0005]本实用新型是这样实现上述技术问题的:
[0006]一种cmos硅片裂 片的处理装置，所述处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一 PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二 PVC透明片。
[0007]进一步地，所述弹性垫片、第一 PVC透明片、第一宣纸层、第二宣纸层以及第二 PVC透明片均为圆形。
[0008]本实用新型具有如下优点:
[0009]本实用新型处理装置的最底部为一弹性垫片，能够使拆分时的推压力度得到缓冲，大大减小硅片的损伤；在接触硅片的上下两层宣纸层用冷媒湿润，既能够保护硅片表面，又能够使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑选。
【【专利附图】
【附图说明】】
[0010]下面参照附图结合实施例对本实用新型作进一步的说明。
[0011]图1为本实用新型的处理装置的结构示意图。
【【具体实施方式】】
[0012]请参阅图1所示，对本实用新型的实施例进行详细的说明。
[0013]本实用新型涉及一种cmos硅片裂片的处理装置，所述处理装置包括一承压部1、一挤压部2以及一铜棒(图未示)，所述承压部I通过一连接件3与挤压部2相连，所述承压部I从下到上依次设置有一弹性垫片11、一第一 PVC透明片12以及一第一宣纸层13，所述挤压部2从下到上依次设有一第二宣纸层21以及一第二 PVC透明片22。
[0014]所述弹性垫片11、第一PVC透明片12、第一宣纸层13、第二宣纸层21以及第二 PVC透明片22均为圆形。
[0015]所述处理装置的使用方式如下:
[0016]步骤10、将处理装置的承压部I和挤压部2打开，即承压部I在下，挤压部2在上，往第一宣纸层13和第二宣纸层21滴冷媒；
[0017]步骤20、将整片硅片的正面朝下放置于第一宣纸层13上，然后盖下挤压部2 ;
[0018]步骤30、将铜棒放于挤压部2的上方，并沿整片硅片的横向切割道方向推压一次，再沿纵向切割道方向推压一次，同时用力均匀，最后形成硅片裂片；
[0019]步骤40、将整个处理装置翻转，使得承压部I在上，挤压部2在下，则硅片裂片的正面均朝上打开承压部，再挑选合格的硅片裂片。
[0020]本实用新型处理装置的最底部为一弹性垫片11，能够使拆分时的推压力度得到缓冲，大大减小硅片的损伤；在接触硅片的上下两层宣纸层用冷媒湿润，既能够保护硅片表面，又能够使得拆分后的硅片裂片固定，方便最后的挑选，且不会产生崩边及摩擦产生静电现象。
[0021]虽然以上描述了本实用新型的【具体实施方式】，但是熟悉本【技术领域】的技术人员应当理解，我们所描述的具体的实施例只是说明性的，而不是用于对本实用新型的范围的限定，熟悉本领域的技术人员在依照本实用新型的精神所作的等效的修饰以及变化，都应当涵盖在本实用新型的权利要求所保护的范围内。
【权利要求】
1.一种cmos硅片裂片的处理装置，其特征在于:所述处理装置包括一承压部、一挤压部以及一铜棒，所述承压部通过一连接件与挤压部相连，所述承压部从下到上依次设置有一弹性垫片、一第一 PVC透明片以及一第一宣纸层，所述挤压部从下到上依次设有一第二宣纸层以及一第二 PVC透明片。
2.根据权利要求1所述的一种cmos硅片裂片的处理装置，其特征在于:所述弹性垫片、第一 PVC透明片、第一宣纸层、第二宣纸层以及第二 PVC透明片均为圆形。
【文档编号】H01L21/8238GK203746819SQ201420080953
【公开日】2014年7月30日 申请日期:2014年2月25日 优先权日:2014年2月25日
【发明者】黄福仁, 林勇, 陈轮兴 申请人:福建安特微电子有限公司