1.一种具硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储单元的非挥发性存储器的制造方法，包括：
提供一基板；
在该基板上形成一第一栅极氧化层及一第一栅极导电层；
在完成该第一栅极导电层的图型化及蚀刻步骤而形成一MOS晶体管栅极后，在该基板上形成一ONO结构；以及
在该ONO结构上形成一第二栅极导电层，并经图型化及蚀刻步骤而制成一NVM晶体管栅极。
2.如权利要求1所述的制造方法，其中当进行该第二栅极导电层的蚀刻步骤时，该ONO结构作为该MOS晶体管栅极的保护硬膜。
3.如权利要求1所述的制造方法，其中当进行该第一栅极导电层的蚀刻步骤时，保留部分非形成该MOS晶体管栅极的该第一栅极导电层，以与后续制成的该ONO结构及该第二栅极导电层形成一电容结构。
4.如权利要求1所述的制造方法，其中当进行该第二栅极导电层的蚀刻步骤时，保留部分非形成该NVM晶体管栅极的该第二栅极导电层，而形成具一特定电阻值的一电阻元件。
5.一种具硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储单元的非挥发性存储器，其包括：
基板，具一表面，其中该表面划分为一存储器区及一逻辑区；
MOS晶体管，形成于该逻辑区，包括形成于该基板表面的一栅极氧化层及形成于该栅极氧化层的一MOS晶体管栅极；以及
NVM晶体管，形成于该存储器区，包括形成于该基板表面的一ONO结构，及形成于该ONO结构之上的一NVM晶体管栅极；其中
该ONO结构与该基板的交界面的高度比该基板的该表面的高度低。
6.如权利要求5所述的非挥发性存储器，其中该MOS晶体管栅极及该NVM晶体管栅极具有不同的电阻值。