具SONOS存储单元的非挥发性存储器的制造方法与流程

技术总结
本发明公开一种具SONOS存储单元的非挥发性存储器的制造方法，包括提供一基板；在基板上形成第一栅极氧化层及第一栅极导电层；在完成第一栅极导电层的图型化及蚀刻步骤而形成MOS晶体管栅极后，在基板上形成ONO结构；以及于ONO结构上形成第二栅极导电层，并经图型化及蚀刻步骤而制成NVM晶体管栅极。

技术研发人员：林松斌;张文忠
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
文档号码：201510235948
技术研发日：2015.05.11
技术公布日：2017.01.04