技术总结
本发明公开了一种具有辅助栅极的非易失性存储器单元结构，包括一半导体衬底，其上设有一N型井区和一P型井区；一第一氧化层定义区和一第二氧化层定义区设于所述N型井区内；一PMOS选择晶体管设于所述第一氧化层定义区上；一PMOS浮动栅极晶体管与所述PMOS选择晶体管串联，其中PMOS浮动栅极晶体管另包含一覆盖于第一氧化层定义区上的浮动栅极；一辅助栅极，自浮动栅极一末端凸出至第二氧化层定义区的一边，使辅助栅极与第二氧化层定义区及N型井区电容耦合。选择晶体管、浮动栅极晶体管以及辅助栅极均同样位于N型井区中。
技术研发人员：曹沐潆;陈纬仁
受保护的技术使用者：力旺电子股份有限公司
文档号码：201510255970
技术研发日：2015.05.19
技术公布日：2016.12.07