1.一种整流器件，其特征在于，包括第一导电类型的衬底、元胞区和终端区；
所述元胞区的衬底正面设有沟槽型区；
所述沟槽型区底部设有第二导电类型埋层区；
所述元胞区的衬底正面除沟槽型区以外的剩余区域设有第二导电类型体区；
所述元胞区的衬底正面设有第一金属电极；
所述衬底背面设有第二金属电极。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述沟槽型区包括形成于所述衬底正面的沟槽，形成于所述沟槽内壁的氧化层，以及填充于所述沟槽内部的多晶硅。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一导电类型的衬底为正面生长有第一导电类型外延层的衬底。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述终端区包括场限环。
6.一种整流器件的制备方法，其特征在于，包括：
在第一导电类型的衬底正面形成终端区，所述衬底正面除所述终端区以外的剩余区域为元胞区；
在所述元胞区形成沟槽型区、第二导电类型埋层区和第二导电类型体区，其中，所述沟槽型区设于所述元胞区的衬底正面，所述第二导电类型埋层区设于所述沟槽型区的底部，所述第二导电类型体区设于所述元胞区的衬底正面除沟槽型区以外的剩余区域；
在上述元胞区的衬底正面制备第一金属电极；
在上述衬底背面制备第二金属电极。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述元胞区形成沟槽型区、第二导电类型埋层区和第二导电类型体区，包括：
在所述衬底正面形成沟槽；
在所述沟槽底部形成第二导电类型埋层区；
在上述沟槽内壁形成氧化层；
在上述沟槽内填充多晶硅；
在所述元胞区的衬底正面除沟槽型区以外的剩余区域形成第二导电类型体区。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型的衬底为正面生长有第一导电类型外延层的衬底。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在第一导电类型的衬底正面形成终端区，具体为：
在N型衬底正面形成P型场限环。