技术总结
本发明公开了一种整流器件及其制备方法。该器件包括第一导电类型的衬底、元胞区和终端区。其中，元胞区的衬底正面设有沟槽型区，沟槽型区底部设有第二导电类型埋层区，元胞区的衬底正面除沟槽型区以外的剩余区域设有第二导电类型体区。该整流器件中同时包含了MOS结构和PN结，可将MOS器件和PN二极管的优势结合到一起；且采用沟槽型结构，不会产生结型场效应管寄生电阻，即不会限制正向导通压降的降低，同时还可增加器件在单位面积内的沟道密度，减低器件成本；沟槽型区底部的第二导电类型埋层区可有效提高阻断电压。因此，该整流器件不仅结构简单，而且具有低正向导通压降以及高阻断电压，性能优异。
技术研发人员：钟圣荣;邓小社;周东飞
受保护的技术使用者：无锡华润华晶微电子有限公司
文档号码：201510449706
技术研发日：2015.07.28
技术公布日：2017.02.15